线切割机加工半导体晶片质量控制的研究

根据线切割机的工作原理,切片过程中硅片因机械作用造成的刀痕、损伤、破损产生包括机械应力和热应力在内的应力,进而产生滑移位错。当机械应力和热应力在高温处理过程中的作用超过晶体滑移临界应力时,会产生硅片的破碎。对于翘曲度、弯曲度、总厚度误差、中心厚度误差等方面的质量控制,通过调整线张力、进给速度、冷却剂流量等一系列工艺措施可达到目的及要求,大大降低了生产成本,提高了生产效率。实验证明,线切割机切出的硅片的厚度和质量都很好地满足了下一道工序的要求。

水基与水溶切割液对多晶硅片的影响

在研究多晶硅切片生产工艺的基础上,重点研究了切割液这个要素对多晶硅片制备的影响。根据试验设计(DOE)的要求进行了一组单因素的试验,切割液变量为不同性质的切割液,输出量为多晶硅片的切割质量,应用分析软件对试验结果进行分析,得到了相关的结论。通过对比可知,与水溶切割液相比,水基切割液切割出来的多晶硅片存在一些不足之处;但是水基切割液和水溶切割液两者之间都有自身的优势,在选择时,可以根据不同的需求来决定使用哪种切割液。

超薄单晶硅片加工检测技术的研究进展

半导体硅片是半导体产业链的上游,是制作芯片的核心材料,贯穿了芯片制作的全过程,半导体硅片的质量和数量制约着下游终端领域行业的发展。随着便携式电子产品不断朝着高集成度和微型化的方向发展,芯片的体积也不断减小。为了满足芯片体积进一步减小的需求,芯片封装前通常需要对硅片背面进行减薄,除了在封装技术上不断地革新,超薄单晶硅片的应用势在必行。简单介绍了半导体硅片的加工工艺流程,分析了超薄单晶硅片的制备方法及减薄工艺,讨论了减薄后的单晶硅片的表面质量(如翘曲度、厚度均匀性、粗糙度、损伤层厚度等)及其影响因素,并对硅片表面损伤层检测方法进行了简要的综述。