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硅盒结构集成MOS环振式压力传感器 被引量:2
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作者 王跃林 郑心畲 +1 位作者 刘理天 李志坚 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第2期107-110,共4页
本文报道了一种硅盒结构的、具有频率输出的集成MOS环振式压力传感器。结果表明,与该结构相对应的硅盒技术与IC工艺完全兼容,非常适合集成压力传感器的制作,为进一步研制各种集成压力传感器提供了一种简单的、先进的技术。文中还讨论了... 本文报道了一种硅盒结构的、具有频率输出的集成MOS环振式压力传感器。结果表明,与该结构相对应的硅盒技术与IC工艺完全兼容,非常适合集成压力传感器的制作,为进一步研制各种集成压力传感器提供了一种简单的、先进的技术。文中还讨论了硅盒结构PMOSFET的力敏特性。 展开更多
关键词 硅盒结构 传感器 MOS 环振式
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