基于季戊四醇的二代硅碳烷液晶树状物——端基含36个丁氧基偶氮苯基团

以基于季戊四醇的二代硅碳烷树状氯化物PCSi-2G-Cl为脚手架、4-丁氧基-4’-羟己氧基偶氮苯(M-C4)为介晶基元,合成了以季戊四醇为核、端基含36个丁氧基偶氮苯的新型硅碳烷液晶树状物PCSi-2G-C4。利用红外光谱(IR)、核磁共振(1H NMR)、元素分析(EA)、偏光显微镜(POM)和差示扫描量热法(DSC)进行了表征。PCSi-2G-C4与M-C4同为向列相,说明树状物相态由介晶基元相态决定。PCSi-2G-C4的熔点比M-C4降低13℃,清亮点比M-C4降低15℃。

基于季戊四醇的新型硅碳烷液晶树状物:外围含12个丁氧基/己氧基偶氮苯基团(英文)

制备了基于季戊四醇外围含丁氧基/己氧基偶氮苯基团的新型硅碳烷液晶树状物。利用Williamson反应和偶氮反应合成了4-[4-(6-羟己氧基)苯基]丁氧基偶氮苯与4-[4-(6-羟己氧基)苯基]己氧基偶氮苯两种液晶基元。以基于季戊四醇端基为Si—Cl键的硅碳烷树状物为脚手架,分别以上述两种偶氮苯液晶基团对其表面进行修饰,得到两种树状液晶化合物。采用偏光显微镜(POM)和示差扫描量热法(DSC)对修饰单元和树状物的液晶性进行表征,表明其均示向列相。

基于季戊四醇的二代硅碳烷液晶树状物研究——端基含36个4-硝基偶氮苯基团

以基于季戊四醇的二代硅碳烷树状氯化物PCSi-2G-Cl为脚手架、4-硝基-4’-羟己氧基偶氮苯(M-NO2)为介晶基元,合成了以季戊四醇为核、端基含36个硝基偶氮苯的新型硅碳烷液晶树状物PCSi-2G-NO2。利用红外光谱(IR)、核磁共振(1H NMR)、元素分析(EA)、偏光显微镜(POM)和差示扫描量热法(DSC)进行了表征,PCSi-2G-NO2显示近晶相,其液晶相行为是K57SE76SA111I110SA75SE56K。而对应的介晶基元M-NO2则为向列相,树状物与修饰单元在熔点、清亮点和液晶态温度区间等方面也存在较大差异。

新型硅碳烷液晶树状物的合成与表征——端基含12个己氧基偶氮苯介晶基元

以基于季戊四醇-四烯丙基醚的硅氢化产物PCSi-1G-Cl为脚手架、4-己氧基-4′-羟己氧基偶氮苯(M-C6)为介晶基元,合成了季戊四醇为核、端基含12个己氧基偶氮苯的新型硅碳烷液晶树状物PCSi-1G-C6。利用元素分析、傅立叶变换红外光谱(FT-IR)、核磁共振(NMR)、偏光显微镜(POM)和差示扫描量热(DSC)进行了表征。PCSi-1G-C6与M-C6同为相列相,树状物相态由介晶基元相态决定。PCSi-1G-C6的熔点比M-C6低50℃,清亮点比M-C6低16℃,液晶态温区比M-C6宽34℃。

基于季戊四醇的三代硅碳烷液晶树状物的合成与表征(英文)

合成了外围含4-丁氧基偶氮苯介晶基元的三代硅碳烷液晶树状物PCSi-3G-C4。以4-[4-(6-羟基己氧基)苯基]丁氧基偶氮苯介晶基团对端基官能团为Si-Cl的三代硅碳烷树状物PCSi-3G-Cl脚手架进行功能化,并利用元素分析、红外光谱(IR)、核磁共振(NMR)、偏光显微镜(POM)、差示扫描量热法(DSC)对其结构与液晶性进行表征。结果表明,与对应的液晶基元相似PCSi-3G-C4显示向列相,但二者在熔点、清亮点和液晶态温区等方面存在一定差异。