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P型μC-SiC:H窗口材料掺杂特性的研究
被引量:
2
1
作者
耿新华
孙云
+4 位作者
刘世国
李洪波
陆靖谷
孙建
徐温元
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第4期358-362,共5页
用等离子体射频辉光放电法,在低衬底温度(<170℃)、小rf功率(<60mWcm2)条件下,实现了硼掺杂硅碳合金薄膜材料的微晶化。获得了暗电导率σD~0.2scm-1、光带隙宽度Eopt~2.2eV的p型微晶氢化硅碳...
用等离子体射频辉光放电法,在低衬底温度(<170℃)、小rf功率(<60mWcm2)条件下,实现了硼掺杂硅碳合金薄膜材料的微晶化。获得了暗电导率σD~0.2scm-1、光带隙宽度Eopt~2.2eV的p型微晶氢化硅碳合金(μC-Si:B:H)薄膜。晶化的关键是H2稀释率和掺杂水平的控制。对该材料的掺杂效应、光电特性以及掺杂水平对材料结构的影响进行了详细研究。
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关键词
微晶化
硅碳硼合金
薄膜
掺杂特性
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职称材料
题名
P型μC-SiC:H窗口材料掺杂特性的研究
被引量:
2
1
作者
耿新华
孙云
刘世国
李洪波
陆靖谷
孙建
徐温元
机构
南开大学光电子研究所
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第4期358-362,共5页
文摘
用等离子体射频辉光放电法,在低衬底温度(<170℃)、小rf功率(<60mWcm2)条件下,实现了硼掺杂硅碳合金薄膜材料的微晶化。获得了暗电导率σD~0.2scm-1、光带隙宽度Eopt~2.2eV的p型微晶氢化硅碳合金(μC-Si:B:H)薄膜。晶化的关键是H2稀释率和掺杂水平的控制。对该材料的掺杂效应、光电特性以及掺杂水平对材料结构的影响进行了详细研究。
关键词
微晶化
硅碳硼合金
薄膜
掺杂特性
Keywords
microcrystallization. silicon-carbon-boron alloy, thin film.,low temperature.doping characteristics
分类号
TM215.3 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
P型μC-SiC:H窗口材料掺杂特性的研究
耿新华
孙云
刘世国
李洪波
陆靖谷
孙建
徐温元
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994
2
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