硅管西门子法多晶硅及物理冶金法多晶硅制备

论述了：1）使用本征导电性硅环作为籽晶,采用直拉硅单晶炉及切克劳斯基法拉制等径的具有p型、n型或本征导电性的硅管;2）用p型或n型硅管作为化学西门子法还原炉中的热载体,当载体加热温度在1050 ～ 1100℃时,还原炉内高纯氢及三氯氢硅反应生成的硅沉积在热载体上,制备纯度99.99999％以上的本征或导电性的硅管多晶硅;3）用本征导电性的硅管作为容器,装入纯度大于99.99％的物理冶金法生产的原料硅,采用区熔单晶硅炉,用悬浮区域炼熔法对硅管多次定向凝固,利用分凝效应制备纯度大于99.9999％的硅管太阳能级多晶硅棒.