热氧化对p型Si薄层电阻R_s的影响

本文通过实验表明,在p型Si上进行热氧化,要导致薄层电阻R_s的变化,变化量ΔR_s与p型Si的R_s大小、氧化速率,杂质分凝系数、杂质在Si和SiO_2中的扩散系数有关,并对控制R_s的变化提出了一定措施。