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下一代CMOS纳米线:从原子级到电路级仿真
1
作者
Udita Kapoor
Sean CKelly
+9 位作者
Mark Townsend
Derek Kimpton
Eric Guichard
欧阳文捷
Sebastien Martini
Thierry Poiroux
Oliver Rozeau
James Charles
Daniel Lemus
Tillmann Kubis
《中国集成电路》
2021年第9期37-41,共5页
本文介绍了一个基于纳米线的环形振荡器电路的完整仿真流程,其中的有源器件运用了原子级器件模拟器对其进行了仿真。该仿真的结果已被证明适合于专门为纳米线/GAA环栅场效应晶体管(FET)制定的有源器件SPICE紧凑模型。最后,本文中把有源...
本文介绍了一个基于纳米线的环形振荡器电路的完整仿真流程,其中的有源器件运用了原子级器件模拟器对其进行了仿真。该仿真的结果已被证明适合于专门为纳米线/GAA环栅场效应晶体管(FET)制定的有源器件SPICE紧凑模型。最后,本文中把有源器件纳入SPICE网表,其中包括了后端电阻和电容寄生电阻。
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关键词
TCAD仿真
原子器件仿真
SPICE仿真
硅纳米线fet
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职称材料
题名
下一代CMOS纳米线:从原子级到电路级仿真
1
作者
Udita Kapoor
Sean CKelly
Mark Townsend
Derek Kimpton
Eric Guichard
欧阳文捷
Sebastien Martini
Thierry Poiroux
Oliver Rozeau
James Charles
Daniel Lemus
Tillmann Kubis
机构
美国Silvaco公司
法国CEA-Leti研究所
美国普渡大学
出处
《中国集成电路》
2021年第9期37-41,共5页
文摘
本文介绍了一个基于纳米线的环形振荡器电路的完整仿真流程,其中的有源器件运用了原子级器件模拟器对其进行了仿真。该仿真的结果已被证明适合于专门为纳米线/GAA环栅场效应晶体管(FET)制定的有源器件SPICE紧凑模型。最后,本文中把有源器件纳入SPICE网表,其中包括了后端电阻和电容寄生电阻。
关键词
TCAD仿真
原子器件仿真
SPICE仿真
硅纳米线fet
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
下一代CMOS纳米线:从原子级到电路级仿真
Udita Kapoor
Sean CKelly
Mark Townsend
Derek Kimpton
Eric Guichard
欧阳文捷
Sebastien Martini
Thierry Poiroux
Oliver Rozeau
James Charles
Daniel Lemus
Tillmann Kubis
《中国集成电路》
2021
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