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题名硅纳米结点电子输运性质的计算
被引量:2
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作者
柳福提
程艳
羊富彬
程晓洪
陈向荣
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机构
宜宾学院物理与电子工程学院
四川大学物理科学与技术学院
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出处
《计算物理》
CSCD
北大核心
2013年第6期943-948,共6页
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基金
国家自然科学基金(11174214
11204192)
四川省教育厅科研项目(13ZB0207)资助项目
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文摘
运用第一性原理密度泛函理论结合非平衡格林函数方法,对3个Si原子构成的直线链耦合在Au(100)面形成的三明治结构的纳米结点的电子输运进行计算.结果得到结点电导随距离的变化,当d z=1.584 nm时,结合能最小,结构最稳定,此时Si-Si键长为0.216 nm,Si-Au键长为0.227 nm,电导为0.729 G0(G0=2e2/h),其电子传输通道主要由Si原子的p x、p y轨道电子构成;随着外电压的增大,结点的电导减小,而其I-V曲线表现出线性特征.
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关键词
密度泛函理论
非平衡格林函数
硅纳米结点
电子输运
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Keywords
density functional theory
non-equilibrium green function
silicon nanoscale junctions
electron transport
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分类号
O488
[理学—固体物理]
O469
[理学—凝聚态物理]
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