掺杂硅纳米线的光电特性

采用激光烧蚀法制备了磷掺杂硅纳米线和硼掺杂硅纳米链,并运用透射电子显微镜(TEM)、近边X射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)、X射线光电子能谱(XPS)及场发射(FE)测量等对其进行了研究。结果表明:硅纳米线包覆在二氧化硅层中及其核心由磷掺杂的晶体硅构成,磷不仅存在于硅纳米线的核心内,也存在于二氧化硅与硅核心的相界面上;硼掺杂硅纳米链的外部直径约为15nm,由直径11nm的晶核和2nm的无定形氧化物外层构成的晶格所组成,其粒间距为4nm,硅纳米粒子链的阀值场强为6V/μm,优于未掺杂的硅纳米线的阀值场强(9V/μm)。X射线光吸收谱可以补充提供常规电流 电压测量得不到的信息,并提示掺杂分布的细节。