超大硅胺基氯锗宾的反应性与立方四锗卡宾的成键解析

超大硅胺基取代的低价锗化合物可以构建新颖的化学结构,提供有学术价值的新发现。二配位的超大硅胺基氯锗宾Ge(N(SiiPr_(3))_(2))Cl(1)具有空的4p轨道和孤电子对。针对这2个特点,研究了化合物1的热构型转换和菲醌氧化加成反应。1的温热分解生成了立方四锗卡宾Ge_(4)(NSiiPr_(3))_(4)(2),与菲醌(L)定量氧化加成生成了胺基一氯菲二酚合锗:[Ge(N(SiiPr_(3))_(2))(L)Cl](3)。表征了2个产物的单晶结构与组成。四锗卡宾2本质上是锗异腈的四聚体,分子呈现出畸变的立方体构型,4个Ge原子和4个N原子构成了中心立方体的8个顶点。其中Ge—N键长为0.2036(3)nm,N—Ge—N与Ge—N—Ge的键角分别为85.51(18)°和94.32(16)°,立方体的侧面接近平行四边形。理论计算首次揭示了四锗卡宾2的成键面貌。自然键轨道(NBO)给出Ge_(4)N_(4)骨架上的20个分子轨道。轨道定域化的计算结果完好地呈现出4对Ge孤对电子、12个Ge—N键和4个Si—N键的定域轨道,能量分别为-12.22、-15.12和-20.12 eV。Ge孤对电子主要保留了4s电子的特性,而Ge—N键主要由N的2s轨道(18.4%)和2p轨道(71.3%)、Ge的4s轨道(0.75%)和4p轨道(9.43%)综合贡献形成。在化合物3的分子中,Ge^(Ⅳ)采取sp^(3)杂化,由于空间位阻与非对称配位,与另外4个配位原子形成非对称四面体构型。

六甲基二硅胺烷在有机合成领域的研究进展

六甲基二硅胺烷在光刻涂胶工艺、薄膜制备、电化学、有机合成等领域应用广泛,综述了其在有机合成领域的研究进展,并展望了其发展趋势。

六甲基二硅胺烷对气相法白炭黑的表面改性

在流化床反应器中 ,利用六甲基二硅胺烷 ( HMDS)对气相法制备的纳米二氧化硅进行了表面包覆 ,研究了包覆温度、包覆时间、HMDS分压等对纳米二氧化硅表面羟基、含碳量、p H值的影响 ,分析了表面包覆后气相法白炭黑的形态与结构。结果表明气相法白炭黑表面包覆 HMDS后 ,团聚状态得到明显改善 ;随着处理时间的延长 ,温度的升高以及 HMDS分压的升高 ,经表面处理后的白炭黑的 p H值和含碳量增加 ,表面羟基数明显减少。反应时间小于 1 5 min时 ,包覆速率较快 ,然后趋于平缓 ;反应温度小于 2 5 0°C时 ,温度对包覆效果影响较大 ,温度大于 40 0°C则影响较小 ;HMDS分压较低时 ,分压对包覆效果影响较大 ,当分压超过 7.9k Pa。

六甲基二硅胺烷改性纳米二氧化硅

采用干法改性工艺,以六甲基二硅胺烷(HMDS)为改性剂,氮气为保护气,对纳米二氧化硅表面进行改性,并分别讨论了反应温度、反应时间等因素对改性效果的影响。采用粉体在液体石蜡中的流动性、浸润性、透射电镜、红外光谱分析等手段表征二氧化硅的改性效果。

六甲基二硅胺烷(HMDS)为原料CVD制备硅基纳米粉体的研究

以六甲基二硅胺烷作原料，用CVD法合成的纳米粉体，在1000～1500℃温度范围内合成的均属无定形，1000℃合成的纳米颗粒呈圆球形，粒径8～10nm，少量25～30nm．在1400℃高温下合成的颗粒较均匀，为8～10nm的圆球形．经高温晶化处理后，低温时合成的粉末呈晶须状，SiC和Si3N4相共存，以SiC相为主．较高温度下合成的粉体颗粒长大成20～40nm，以β-SiC相为主伴有α-SiC相，颗粒外表面有1～2nm的非晶层包裹，当在大气中存放三个月以后，则观测到原来品化的结构变成了无定形．

六甲基二硅胺烷催化芳香醛与2,2-二甲基-1,3-二噁烷-4,6-二酮的缩合反应

在六甲基二硅胺烷的催化作用下,以芳香醛与2,2-二甲基-1,3-二噁烷-4,6-二酮为原料,经缩合反应合成了10种芳基亚甲基麦氏酸化合物.考察了反应温度、反应时间、催化剂用量等因素对反应的影响.确定了最佳反应条件为：取0.1 mol 2,2-二甲基-1,3-二噁烷-4,6-二酮,n（2,2-二甲基-1,3-二噁烷-4,6-二酮）∶n（芳香醛）=1.0∶1.1,催化剂用量为0.1 mol,反应温度为室温,反应时间为1.0 h,在上述反应条件下,产品收率可达86.8%~92.1%.

六甲基二硅胺的研究进展

六甲基二硅胺是重要的有机硅试剂之一,可由三甲基氯硅烷和氨气反应制备,在有机合成反应中用于基团的保护、改性剂和催化剂等,在有机材料方面可用于表面改性、神经组织扫描和等离子体聚合等。综述了六甲基二硅胺在有机合成以及在材料方面的研究进展。

六甲基二硅胺烷作为锂离子电池电解液稳定剂的研究

研究了六甲基二硅胺烷(HMDS)作为锂离子电池电解液的稳定剂对电解液稳定性和电化学性能的影响。将两种不同的电解液经过60℃/24 h高温储存,取样分析检测电解液的H2O和HF的含量变化,并用两种不同的电解液制作电池进行85℃/4 h高温储存和电化学性能测试。结果表明,HMDS的加入明显提高了锂离子电池电解液的储存稳定性及热稳定性,同时可以改善锂离子电池的电化学性能和循环性能。

激光诱导六甲基乙硅胺烷气相合成Si／N／C纳米粉末的制备与表征研究

选择廉价的六甲基乙硅胺烷——（Ｍｅ＿３Ｓｉ）＿２ＮＨ和氨气为原料进行激光诱导气相反应，通过正交变化激光功率密度及反应气流量，制备出具有较宽组分变化范围的Ｓｉ／Ｎ／Ｃ纳米粉。用化学分析，ＴＥＭ，ＳＡＸＳ，ＢＥＴ，ＩＲ，ＸＲＤ等测试手段对粉末进行了表征，结果表明此Ｓｉ／Ｎ／Ｃ粉主要由Ｓｉ─Ｎ和Ｓｉ─Ｃ键构成，是Ｓｉ，Ｎ，Ｃ组成的无定型物，由于实验条件的不同会不同程度地导致粉末中存有有机杂质。

六甲基二硅胺烷改善二次纤维造纸性能

以烘干漂白麦草浆为原料,用六甲基二硅胺烷(HMDS)进行处理,观察处理前后二次纤维的角质化程度和强度性能,扫描电镜(SEM)观察纤维表面形态,并抄纸比较纸页性能变化.发现经HMDS处理能降低二次纤维的角质化程度,增强纤维的结合力和强度,大大提高纸页的强度性能.本法所用药品容易回收,且可循环使用,成本低而无污染.为二次纤维的推广使用提供了行之有效的解决办法,可缓解我国目前造纸原料短缺的矛盾,因此有一定的经济效益和社会效益.

六甲基二硅胺烷(HMDS)在植物组织扫描电镜样品制备中的应用

植物组织的扫描电镜样品干燥通常采用临界点干燥法和冷冻干燥法,但这些方法存在操作复杂,需要专门仪器等诸多不便。作者在工作中探索了六甲基二硅胺烷(HMDS)对样品进行干燥,并与冷冻干燥法做了比较。结果表明:在花期柱头和子房等幼嫩组织上,经HMDS干燥后的扫描结果较好且两种方法的结果几乎一致,在幼果期胚珠较为成熟的组织上,HMDS比冷冻干燥法的效果差。

用环硅胺烷的高沸废物做二甲基二乙氧基硅烷的研究

本文介绍了利用环硅胺烷的高沸废物做(CH_3)_2Si(OC_2H_5)_2硅烷的试验过程,阐述了反应的影响因素与收率间的关系及样品的测试分析结果。认为:用环硅胺烷的高沸废物做(CH_3)_2Si(OC_2H_5)_2硅烷具有效益高、利润大,工艺简单等优点。

以六甲基二硅胺烷为氮源一锅法电氧化醇制腈

以2,2,6,6-四甲基哌啶氮氧自由基(TEMPO)为电催化氧化媒介,六甲基二硅胺烷(HMDS)为氮源,在室温下实现了一锅法电氧化醇类化合物为腈类化合物.采用循环伏安法和电化学原位红外光谱技术分别对TEMPO的电催化性能和一锅法电氧化历程进行了研究.在优化条件下,将该反应体系拓展到系列醇类化合物的电催化氧化中,结果表明,不同的醇类化合物,特别是苄醇,取得了较好的反应收率.基于以上研究结果提出了可能的反应机理.

等离子体结合六甲基二硅胺烷处理提升增透膜抗真空污染性能研究

本文采用溶胶-凝胶法制备了SiO_(2)增透膜,然后对其进行等离子体结合六甲基二硅胺烷(HMDS)表面改性处理。研究了后处理改性对增透膜表面形貌、微观结构、光学性能及激光损伤性能的影响规律,获得了抗真空有机污染的二氧化硅增透膜。结果表明,增透膜在采用等离子体结合HMDS表面改性处理后,膜层收缩、粗糙度下降、极性羟基等有机基团含量减少;两步后处理改善了增透膜膜层结构和光学性能,显著提高了膜层疏水能力和真空条件下的抗污染性能,并且对溶胶-凝胶二氧化硅增透膜的高损伤阈值属性不产生影响。

六甲基二硅胺烷的等离子体聚合

在室温和无添加气体条件下,完成了六甲基二硅胺烷较低功率密度的等寒子体聚合。研究了聚合膜的沉积规律和过程。给出了聚合物膜的结构和性质。得到经验式为 C_(1.42)H_(2.65)N_(0.2)O_(0.15)Si的新聚合物。

含双六甲基二硅胺基二甲基硅基环戊二烯基稀土二价镱配合物的合成及结构

经过三步反应合成了红色晶体,双六甲基二硅胺基二甲基硅基环戊二烯基稀土二价镱配合物[η5-C5H4S iM e2N(S iM e3)2]2Yb(Ⅱ).2THF,X射线衍射结果表明,[η5-C5H4S iM e2N(S iM e3)2]2Yb(Ⅱ).2THF属于单斜晶系,空间群为P21/c,a=1.646 87(12)nm,b=0.907 70(6)nm,c=3.049 4(3)nm,β=93.642(4),°V=4.549 3(6)nm3,Z=2,C34H72N2O2S i6Yb,Mr=1 905.41,Dc=1.288 g/cm3,F(000)=1 840.00,μ(MoKα)=22.42 cm-1(λ=0.071 070 nm)。收集独立衍射点7 814个,将其中I>3.00σ(1)的用于结构解析,用全矩阵最小二乘法校正,得最终偏离因子R=0.039,Rw=0.050。8配位的中心镱原子与2个四氢呋喃的氧及2个环戊二烯基配位形成扭曲的四面体结构。

激光诱导六甲基乙硅胺烷制备氮化硅纳米粉体

针对激光气相合成氮化硅纳米粉体的性能与成本的矛盾,在对激光合成反应物的研究与分析的基础上,选择廉价、无氯硫、对CO2激光有强吸收、易于处理的有机硅烷反应物六甲基乙硅胺烷(HMDS)作为价格昂贵、难以处理的硅烷(SiH4)的替代反应物,进行了激光合成氮化硅纳米粉体的研究。

N,N-二甲基三甲基硅胺的合成及表征

以三甲基氯硅烷(TMCS)、二甲胺为起始原料,偏三甲苯(TMB)为溶剂,经甲氧基三甲基硅烷催化合成N,N-二甲基三甲基硅胺(DMATMS)。考察了溶剂比、反应温度、催化剂用量、TMCS加料速度及反应时间对产物收率的影响,并对目标化合物进行了FTIR、1HNMR、GC表征。结果表明,当n(TMCS)∶n(TMB)=1∶2,反应温度30℃,催化剂用量0.3 mL,TMCS滴加时间15 min,反应时间60 min时,DMATMS收率90.77%,质量分数97.31%。

六甲基二硅胺烷对纳米二氧化硅表面改性的研究

以六甲基二硅胺烷(HMDS)为改性剂,氮气为保护气,对纳米二氧化硅表面进行改性研究,并通过粘度测定、红外光谱分析等手段对改性的效果进行评价.结果显示,在本实验所考察的范围内,反应温度为100℃,偶联剂用量为12mL时,改性效果最好.