硅芯片纳米微流体技术与磁激活细胞分选法对胎儿有核红细胞富集效果的比较

目的分析硅芯片纳米微流体技术与磁激活细胞分选法对胎儿有核红细胞(FNRBC)的富集效果。方法选取2020年1月—2022年12月拟于医院产科门诊进行产前筛查的112例孕妇为研究对象,所有孕妇均采集外周肘静脉血10 mL,分别通过硅芯片纳米微流体技术与磁激活细胞分选法对血液样本中FNRBC进行富集。比较两种方案富集前后细胞形态及细胞计数情况,记录两组方案对FNRBC的富集时间及富集所得FNRBC的无菌试验结果。结果硅芯片纳米微流体技术对FNRBC的富集时间长于磁激活细胞分选法(P<0.05);两种方案的无菌试验阳性发生率比较,差异无统计学意义(P>0.05);与磁激活细胞分选法相比,硅芯片纳米微流体技术进行FNRBC富集时所得的总细胞量较少,FNRBC量较多,FNRBC比例较高(P<0.05)。结论硅芯片纳米微流体技术与磁激活细胞分选法进行FNRBC富集所得样本受污染风险均较低,与磁激活细胞分选法相比,硅芯片纳米微流体技术去除混杂细胞的能力较强,且获得的FNRBC数量较多,对FNRBC的富集效果较好,但所需时间较长。

一种硅芯片/玻璃环静电键合的简易装置

随着微机电系统(MEMS)技术的发展,促进了半导体硅压阻式压力传感器低成本和集成化,使其得到了广泛应用;在压阻式压力传感器无应力封装工艺中,硅芯片/PYREX7740玻璃环静电键合起着重要的作用。本文论述了静电键合基本原理,以此研制了适合于大批量生产的静电键合简易装置,实践表明此装置易操作,施加键合静电电压降为160V,键合时间缩短为约2分钟,键合界面具有较大的封接强度和耐高温冲击性,满足了压力传感器制作的无应力封装的需要,具有实用性。

硅芯片技术发展特点及前景

硅微电子器件是现代信息技术的重要基础，近３０年来，硅芯片集成度和性能以指数规律（“穆尔规则”）持续发展。单元器件微小型化（以“小”求“大”）和不断革新与完善的微细加工技术（以“新”求“小”）是硅芯片迅速进步的主要关键和途径。硅芯片正向千兆元件高集成度和千兆赫高速度发展。在研究、开发、生产和应用密切结合的基础上，硅芯片在２０００年前后将继续迅速进步。

耐高温压阻力敏硅芯片及静电键合工艺

采用微型机械电子系统(MEMS)技术制作出了平膜型硅隔离(SOI)耐高温压阻力敏硅芯片,采用静电键合工艺将该力敏硅芯片封装在硼硅玻璃环上,制作出倒杯式弹性敏感单元.分析了静电键合时力敏硅芯片与玻璃环的对准偏差对力敏硅芯片非线性的影响;实验验证了静电键合工艺对硅芯片温度性能的影响以及制作的耐高温压力传感器的性能.结果表明,对准偏差对硅芯片的非线性有较大影响;静电键合工艺对硅芯片的零位时漂和热零点漂移影响较小;制作的耐高温压力传感器具有优良的性能指标,能满足实际的工程应用需求.

双E型加速度传感器硅芯片的优化设计

介绍了最新优化设计的双 E型加速度传感器硅芯片结构和工艺的实现。通过控制不同敏感硅芯片弹性膜的厚度 ,即可制得不同量程的双 E型敏感硅芯片和加速度传感器。

走向2000年的硅芯片技术

走向２０００年的硅芯片技术李炳宗（复旦大学）１硅芯片——信息社会的重要物质基础９０年代以来，在世界各国竞相加速发展电子信息产业的背景下，半导体微电子技术继续快速发展。在克服了８０年代末世界经济不景气所造成的不良影响以后，近三年半导体产品市场发展更快。...

14nm会是硅芯片的尽头?

尽管英特尔依然乐观地预测将于2015年之前推出8nm制程工艺的芯片,但人们还是怀疑14nm可能将成为硅芯片尺寸的最终尽头。

硅芯片封装中改善芯片崩裂的划片工艺

对崩裂产生的原因及其机理进行分析,确定划片站发生崩裂的根本原因,并针对老型号的切割刀无法适用于新的窄切割槽产品的问题,研究并分析了一种新型切割刀.通过对比实验,确定此新型切割刀在切割新产品时所需要的参数,以最终减少崩裂现象的发生.

浅谈硅芯片工艺的极限以及发展方向

随着硅芯片极限的逐渐逼近,这几年人们也越来越担心摩尔定律是否会最终失效,因为一旦半导体行业停滞不前,对于IT业界来说同样会产生极大的影响,所以全球都关心半导体工艺的进展方向。

Ni~Ⅱ-NTA修饰的银纳米粒/多孔硅芯片在线分离组氨酸标记蛋白和MALDI-TOF质谱检测(英文)

本文通过沉积在多孔硅表面的银纳米粒吸附对氨基苯硫酚和氨基的化学转化得到终端为NiII-Nα,Nα-二(羧甲基)-L-赖氨酸水合物-即NiⅡ-NTA体系的芯片。NiⅡ-NTA修饰的芯片被用于从高浓度的盐和助溶剂的缓冲体系中亲和捕获组氨酸标记的融合蛋白:thioredoxin-urodilatin和SUMO-hu-aprotinin,并进行在线的MALDI-TOF质谱检测,克服了MALDI-TOF质谱中直接点样污染物妨碍样品与基质共结晶的问题,避免了繁琐的离线样品预处理。芯片在线分离、纯化和MALDI-TOF质谱分析体系有望在复杂或原始体液的溶液中分析目标分子。

基于锗硅芯片的光电子学前景与挑战

作为微电子材料，硅具备许多优良的电学特性．采用硅材料的器件集成度能够比其他材料高几个数量级。然而．硅是一种间接带隙材料，其光学跃迁过程会引入大量低能的声子造成跃迁几率很低．导致其光学特性（发射与吸收）远不如Ⅲ/Ⅴ族半导体材料。

光电子与硅芯片能单片集成吗?

GaAs光电子器件与微电子器件的集成呈现出了一些兼容性问题,这些问题会严重影响硅CMOS的性能。

首个可直接兼容硅芯片的锗锡半导体激光器

来自尤里希旗下“皮特格林贝格研究所”（PGI-9）和“保罗谢勒研究所”（Paul Scherrel’In—stitute）的科学家们已经用锗和锡制成了实验用的附件，并目．在硅晶片上进行了测试。

德科学家研制出世界最快硅芯片

德研制世界最快芯片，速度英特尔4倍德国卡尔斯鲁尔大学日前宣布，该校的一个国际研究小组成功研制出目前世界上最快的超速硅芯片，这种芯片可以同时处理260万个电话数据，其运算速度是目前记录保持者Intel（英特尔）芯片的4倍。

硅芯片大限将至 碳纳米管能否粉墨登场

迟早有一天使用硅为材料制造日益变小的电路的极限将会到来，从而终结摩尔定律。碳纳米管技术可将半导体缩小至5nm的极限。

德国欧司朗公司开发出高性能蓝白光LED原型硅芯片

德国欧司朗公司（OSRAM）光电半导体研发人员地制造出高性能蓝白光LED原型硅芯片，氮化镓发光材料层被置于直径为150毫米硅晶圆基板上。这是首次成功利用硅晶圆基板取代蓝宝石基板制作LED芯片，并保持了相同的照明质量和效率。

首块激光器和光栅集成的硅芯片问世

据美国物理学家组织网8月10日（北京时间）报道,新加坡数据存储研究所的魏永强（音译）和同事首次构建出一种由一个激光器和一个光栅集成的新型硅芯片,其中的光栅能让光变得更强并确保激光器输出1500纳米左右波长的光,而通讯设备标准的操作波长正是1500纳米。