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考虑硅衬底效应的基于TSV的3D-IC电源分配网络建模
1
作者
孙浩
赵振宇
刘欣
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2014年第12期2339-2345,共7页
基于硅通孔TSV的3D-IC在电源分配网络PDN中引入了新的结构——TSV,另外,3D堆叠使得硅衬底效应成为不可忽略的因素,因此为3D-IC建立PDN模型必须要考虑TSV以及硅衬底效应。为基于TSV的3D-IC建立了一个考虑硅衬底效应的3DPDN模型,该模型由P...
基于硅通孔TSV的3D-IC在电源分配网络PDN中引入了新的结构——TSV,另外,3D堆叠使得硅衬底效应成为不可忽略的因素,因此为3D-IC建立PDN模型必须要考虑TSV以及硅衬底效应。为基于TSV的3D-IC建立了一个考虑硅衬底效应的3DPDN模型,该模型由P/G TSV对模型和片上PDN模型组成。P/G TSV对模型是在已有模型基础上,引入bump和接触孔的RLGC集总模型而建立的,该模型可以更好地体现P/G TSV对的电学特性;片上PDN模型则是基于Pak J S提出的模型,通过共形映射法将硅衬底效应引入单元模块模型而建立的,该模型可以有效地反映硅衬底对PDN电学特性的影响。经实验表明,建立的3DPDN模型可以有效、快速地估算3D-IC PDN阻抗。
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关键词
3D-IC
电源分配网络
P/G
TSV
PDN阻抗
硅衬底效应
下载PDF
职称材料
芯片内互连线电阻和电感频变分布参数提取
被引量:
3
2
作者
刘晨波
李征帆
王玉洋
《微波学报》
CSCD
北大核心
2002年第2期9-13,32,共6页
本文使用导体截面矩量法提取芯片内互连线电阻和电感频变分布参数。根据芯片内多接地导体的情况重新推导了公式 ,实现了对算法的改进。研究了硅衬底导电率变化对金属绝缘半导体传输线的分布电阻和分布电感参数的影响。通过两个例子的计...
本文使用导体截面矩量法提取芯片内互连线电阻和电感频变分布参数。根据芯片内多接地导体的情况重新推导了公式 ,实现了对算法的改进。研究了硅衬底导电率变化对金属绝缘半导体传输线的分布电阻和分布电感参数的影响。通过两个例子的计算 ,证明算法可应用于芯片内互连线参数提取。
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关键词
芯片内互连线
频变参数
参数提取
趋肤
效应
矩量法
硅
衬
底
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职称材料
高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文)
3
作者
李哲
吕垠轩
+1 位作者
何燕冬
张钢刚
《北京大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期637-641,共5页
对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋...
对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋势,但是PBTI具有较高的退化速率和较低的恢复比例,这会对器件的寿命预测带来影响。最后给出在PBTI应力条件下,界面陷阱和体陷阱的产生规律及其对器件退化的影响。
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关键词
正偏置温度不稳定性(PBTI)
高介电常数栅介质
绝缘
衬
底
上的
硅
型金属氧化层半导体场
效应
晶体管(soI
MOSFET)
退化
应力诱导漏电流(SILC)
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职称材料
题名
考虑硅衬底效应的基于TSV的3D-IC电源分配网络建模
1
作者
孙浩
赵振宇
刘欣
机构
国防科学技术大学计算机学院
长沙学院数学与计算科学系
出处
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2014年第12期2339-2345,共7页
文摘
基于硅通孔TSV的3D-IC在电源分配网络PDN中引入了新的结构——TSV,另外,3D堆叠使得硅衬底效应成为不可忽略的因素,因此为3D-IC建立PDN模型必须要考虑TSV以及硅衬底效应。为基于TSV的3D-IC建立了一个考虑硅衬底效应的3DPDN模型,该模型由P/G TSV对模型和片上PDN模型组成。P/G TSV对模型是在已有模型基础上,引入bump和接触孔的RLGC集总模型而建立的,该模型可以更好地体现P/G TSV对的电学特性;片上PDN模型则是基于Pak J S提出的模型,通过共形映射法将硅衬底效应引入单元模块模型而建立的,该模型可以有效地反映硅衬底对PDN电学特性的影响。经实验表明,建立的3DPDN模型可以有效、快速地估算3D-IC PDN阻抗。
关键词
3D-IC
电源分配网络
P/G
TSV
PDN阻抗
硅衬底效应
Keywords
3D-IC
PDN
P/G TSV
PDN impedance
silicon substrate effect
分类号
TP301 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
芯片内互连线电阻和电感频变分布参数提取
被引量:
3
2
作者
刘晨波
李征帆
王玉洋
机构
上海交通大学电子工程系
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2002年第2期9-13,32,共6页
文摘
本文使用导体截面矩量法提取芯片内互连线电阻和电感频变分布参数。根据芯片内多接地导体的情况重新推导了公式 ,实现了对算法的改进。研究了硅衬底导电率变化对金属绝缘半导体传输线的分布电阻和分布电感参数的影响。通过两个例子的计算 ,证明算法可应用于芯片内互连线参数提取。
关键词
芯片内互连线
频变参数
参数提取
趋肤
效应
矩量法
硅
衬
底
Keywords
On-chip interconnects, Frequency-dependent parameter, Parameter extraction, Skin effect, Method of Moment, Silicon substrate
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文)
3
作者
李哲
吕垠轩
何燕冬
张钢刚
机构
北京大学微电子学研究院、教育部微电子器件与电路重点实验室
出处
《北京大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期637-641,共5页
基金
国家重点基础研究发展计划(2011CBA00606)资助
文摘
对高k栅介质SOI nMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究,并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较,分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性及饱和漏电流、亚阈摆幅和应力诱导漏电流的影响。结果显示,PBTI的退化和恢复与NBTI效应具有相似的趋势,但是PBTI具有较高的退化速率和较低的恢复比例,这会对器件的寿命预测带来影响。最后给出在PBTI应力条件下,界面陷阱和体陷阱的产生规律及其对器件退化的影响。
关键词
正偏置温度不稳定性(PBTI)
高介电常数栅介质
绝缘
衬
底
上的
硅
型金属氧化层半导体场
效应
晶体管(soI
MOSFET)
退化
应力诱导漏电流(SILC)
Keywords
PBTI
high-k gate dielectrics
SOI MOSFET
degradation
SILC
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
考虑硅衬底效应的基于TSV的3D-IC电源分配网络建模
孙浩
赵振宇
刘欣
《计算机工程与科学》
CSCD
北大核心
2014
0
下载PDF
职称材料
2
芯片内互连线电阻和电感频变分布参数提取
刘晨波
李征帆
王玉洋
《微波学报》
CSCD
北大核心
2002
3
下载PDF
职称材料
3
高k栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究(英文)
李哲
吕垠轩
何燕冬
张钢刚
《北京大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
下载PDF
职称材料
已选择
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