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应用双埋层SOI工艺制备低g值微惯性开关
被引量:
7
1
作者
王超
吴嘉丽
陈光焱
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期1076-1083,共8页
采用双埋层SOI(Silicon-On-Insulator)材料,结合KOH腐蚀工艺、电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺、阳极键合以及喷雾式涂胶工艺,研制了一种基于平面矩形螺旋梁的低g值微惯性开关。利用二氧化硅KOH腐蚀/ICP刻蚀自停止的特点,平面矩形螺旋梁...
采用双埋层SOI(Silicon-On-Insulator)材料,结合KOH腐蚀工艺、电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺、阳极键合以及喷雾式涂胶工艺,研制了一种基于平面矩形螺旋梁的低g值微惯性开关。利用二氧化硅KOH腐蚀/ICP刻蚀自停止的特点,平面矩形螺旋梁厚度的精度为±0.46μm。分析了双埋层SOI材料的电学特性,采用等电位技术,实现了双埋层SOI与上下两层硼硅玻璃的阳极键合。采用玻璃无掩模湿法腐蚀技术,在玻璃封盖底部设计制作了大小为200μm×200μm的防粘连凸台,解决了芯片在清洗干燥过程中的粘连问题。采用ICP刻蚀用硅衬片方法,解决了ICP刻蚀工艺中高温导致的金硅共晶合金问题。实验验证显示,提出的方法效果较好,芯片成品率得到较大提高,为大批量地研制低g值微惯性开关提供了可靠的工艺基础。
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关键词
低g值微惯性开关
双埋层SOI
等电位
防粘连
硅衬片
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职称材料
题名
应用双埋层SOI工艺制备低g值微惯性开关
被引量:
7
1
作者
王超
吴嘉丽
陈光焱
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期1076-1083,共8页
基金
国家自然科学基金委员会和中国工程物理研究院联合基金资助项目(No.11076024)
中国工程物理研究院科学技术发展基金资助项目(No.2009B0403044)
文摘
采用双埋层SOI(Silicon-On-Insulator)材料,结合KOH腐蚀工艺、电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺、阳极键合以及喷雾式涂胶工艺,研制了一种基于平面矩形螺旋梁的低g值微惯性开关。利用二氧化硅KOH腐蚀/ICP刻蚀自停止的特点,平面矩形螺旋梁厚度的精度为±0.46μm。分析了双埋层SOI材料的电学特性,采用等电位技术,实现了双埋层SOI与上下两层硼硅玻璃的阳极键合。采用玻璃无掩模湿法腐蚀技术,在玻璃封盖底部设计制作了大小为200μm×200μm的防粘连凸台,解决了芯片在清洗干燥过程中的粘连问题。采用ICP刻蚀用硅衬片方法,解决了ICP刻蚀工艺中高温导致的金硅共晶合金问题。实验验证显示,提出的方法效果较好,芯片成品率得到较大提高,为大批量地研制低g值微惯性开关提供了可靠的工艺基础。
关键词
低g值微惯性开关
双埋层SOI
等电位
防粘连
硅衬片
Keywords
low-g micro inertial switch
SOI with double buried layers
uniform electric potential
anti-sticking
silicon-base
分类号
TM564 [电气工程—电器]
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
应用双埋层SOI工艺制备低g值微惯性开关
王超
吴嘉丽
陈光焱
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
7
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职称材料
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