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非侵入式光学探测技术加快硅片调试
1
作者
Israel Niv
《电子设计应用》
2004年第5期12-15,3,共4页
包括激光电压探测和时间分辨发射技术的非侵入式光学检测方法,有助于设计工程师获取硅片成功,缩短产品进入市场的时间。
关键词
硅
片调试
复杂时序问题模式
硅设计验证方法
物理调试
方法
光学探测技术
错误隔离技术
节点级探测技术
机械探测法
光子辐射测量
工程技术
验证
测试系统
非侵入性TRE技术
下载PDF
职称材料
题名
非侵入式光学探测技术加快硅片调试
1
作者
Israel Niv
机构
美国Optonics公司
出处
《电子设计应用》
2004年第5期12-15,3,共4页
文摘
包括激光电压探测和时间分辨发射技术的非侵入式光学检测方法,有助于设计工程师获取硅片成功,缩短产品进入市场的时间。
关键词
硅
片调试
复杂时序问题模式
硅设计验证方法
物理调试
方法
光学探测技术
错误隔离技术
节点级探测技术
机械探测法
光子辐射测量
工程技术
验证
测试系统
非侵入性TRE技术
分类号
TN302 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
发文年
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1
非侵入式光学探测技术加快硅片调试
Israel Niv
《电子设计应用》
2004
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职称材料
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