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ADI公司发布用于无线基础设施的射频功率检测器ADI公司的XFCB-3硅锗制造工艺使AD8318能够提供1MHz-8 GHz RF功率测量
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《电子与电脑》 2004年第7期131-131,共1页
美国模拟器件公司(Analog Devices,Inc.,:ADI),全球领先的高性能信号处理半导体供应商,今日发布用于无线基础设备的射频(RF)功率检测器取得重大突破。ADI公司开发出业界首款对数RF功率检测器,它能够精确测量1 MHz-8 GHz带宽内RF信号的功... 美国模拟器件公司(Analog Devices,Inc.,:ADI),全球领先的高性能信号处理半导体供应商,今日发布用于无线基础设备的射频(RF)功率检测器取得重大突破。ADI公司开发出业界首款对数RF功率检测器,它能够精确测量1 MHz-8 GHz带宽内RF信号的功率,这一带宽超过了以前的最高2.5 GHz频率的测量精度。精确地测量RF功率可以减少代价很高的RF功率发送器的尺寸和成本,并且是满足无线网络管理要求的关键因素之一。该检测器能够保证高达8 展开更多
关键词 射频功率检测器 XFCB-3 硅锗三极管 制造工艺 AD8318 无线基础设施 无线通信 功率测量 ADI公司
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一种结构新颖的锗硅NPN HBT器件特性研究
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作者 刘冬华 段文婷 +6 位作者 石晶 胡君 陈帆 黄景峰 钱文生 肖胜安 朱东园 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期32-36,共5页
对一种结构新颖的锗硅NPN HBT器件的特性进行了研究。通过分析器件发射极窗口宽度W和长度L对器件直流和交流特性的影响,对器件在结构上和制作工艺上进行了优化,得到性能与业界可比的三种不同耐压水平的器件(高速器件、标准器件和高压器... 对一种结构新颖的锗硅NPN HBT器件的特性进行了研究。通过分析器件发射极窗口宽度W和长度L对器件直流和交流特性的影响,对器件在结构上和制作工艺上进行了优化,得到性能与业界可比的三种不同耐压水平的器件(高速器件、标准器件和高压器件),并且成功地被应用于光通讯和射频功放等商业产品中。 展开更多
关键词 NPN异质结三极管 电流增益 截止频率
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