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离子注入和固相外延制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y半导体薄膜
1
作者
刘雪芹
王印月
+3 位作者
甄聪棉
张静
杨映虎
郭永平
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第10期2340-2343,共4页
用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长了 2 0 0nm的SiGe薄膜 ,然后将C离子注入SiGe层 ,经两步热退火处理制备了Si1 -x -yGexCy 三元合金半导体薄膜 .应用卢瑟福背散射 (RBS) ,傅里叶变换红外光谱 (FTIR)和高分辨率x射线衍射 (HRXRD)...
用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长了 2 0 0nm的SiGe薄膜 ,然后将C离子注入SiGe层 ,经两步热退火处理制备了Si1 -x -yGexCy 三元合金半导体薄膜 .应用卢瑟福背散射 (RBS) ,傅里叶变换红外光谱 (FTIR)和高分辨率x射线衍射 (HRXRD)研究了薄膜的结构和外延特性 .发现C原子基本处于替代位置 。
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关键词
半导体
薄膜
Si1-x-yGexCy
薄膜
离子注入
固相外延
制备工艺
PECVD
硅锗碳三元合金薄膜
原文传递
题名
离子注入和固相外延制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y半导体薄膜
1
作者
刘雪芹
王印月
甄聪棉
张静
杨映虎
郭永平
机构
兰州大学物理系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第10期2340-2343,共4页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :698760 17)资助课题~~
文摘
用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长了 2 0 0nm的SiGe薄膜 ,然后将C离子注入SiGe层 ,经两步热退火处理制备了Si1 -x -yGexCy 三元合金半导体薄膜 .应用卢瑟福背散射 (RBS) ,傅里叶变换红外光谱 (FTIR)和高分辨率x射线衍射 (HRXRD)研究了薄膜的结构和外延特性 .发现C原子基本处于替代位置 。
关键词
半导体
薄膜
Si1-x-yGexCy
薄膜
离子注入
固相外延
制备工艺
PECVD
硅锗碳三元合金薄膜
Keywords
Si1-x-yGexCy films
ion implantation
solid phase epitaxy
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
离子注入和固相外延制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y半导体薄膜
刘雪芹
王印月
甄聪棉
张静
杨映虎
郭永平
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
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