掺碳锗硅合金最新研究进展

ＳｉＧｅＣ三元合金近几年来受到人们的广泛关注，碳的加入为Ｓｉ－Ｇｅ系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性。本文对碳加入锗硅材料中后应变的缓解及碳对合金能带结构的影响进行了概述，并对其机理做了总结。

UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金中碳的应变缓解效应

碳的加入为 Si- Ge系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性 .处于替代位置的碳可以缓解 Si Ge合金的应变 ,同时调节其能带 .报道了用 UHV/CVD生长的掺碳达 2 .2 %的锗硅碳合金 ,获得了良好的外延层质量 ,应变缓解效应明显 .使用了 X射线衍射 ( XRD) ,二次离子质谱( SIMS)与高分辨电子透射显微镜 ( HRTEM)对外延层进行检测 ;使用傅里叶红外吸收光谱( FTIR)确定碳原子处于替代位置 。

UHV/CVD外延生长锗硅碳三元合金的应变研究

用超高真空化学气相沉积方法 ,在Si(10 0 )衬底上生长掺C高达 2 2 %的Si1-x-yGexCy 合金薄膜 ,外延层质量良好。用高分辨透射电子显微镜 ,X射线衍射 ,傅立叶红外吸收光谱以及拉曼光谱对外延层进行了检测。结果表明 :替代位C的加入 ,明显缓解了宏观上的应变 ,但在合金中仍存在着微观应变。

锗硅碳合金的制备及性能研究进展

三元合金ＳｉＧｅＣ中处于替代位置的碳能缓解ＳｉＧｅ 合金的应变， 并同时调节其能带结构。碳的加入对锗硅材料中应变的缓解及碳对合金能带结构的影响， 尤其是弛豫状态下的锗硅材料及锗硅碳材料的调节作用本文进行了总结， 并对其制备的方法机理做了分析。

退火对UHVCVD外延生长锗硅碳三元合金的影响

采用傅立叶红外吸收光谱 (FTIR)和X射线衍射 (XRD)研究了超高真空化学气相沉积外延生长的Si1 -x - yGexCy三元合金的热稳定性。在比较高的退火温度下 (95 0℃或以上 ) ,Si1 -x -yGexCy中的替代位的C逐渐形成SiC沉淀 ,减弱了应变的补偿作用 ,从而增大了合金中的应变 ,显示出不同于Si1 -xGex的弛豫行为。

锗硅碳合金中碳的应变缓解效应研究

SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一。处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性。本文利用UHV/CVD技术生长了掺碳达2.2%的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解效应进行了研究。

Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金的热氧化物的生长动力学及光学特性

利用椭偏仪、荧光光谱和X光电子谱研究了Si1-x -yGexCy合金在 90 0℃干O2 气氛下所形成的氧化物的生长动力学及其光学特性。结果表明 :随着合金中碳含量的增加 ,氧化速率逐渐下降 ;而氧化物中 383nm附近的发光带是由于氧化薄膜中与 (SixGe1-x)O2

离子注入和固相外延制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y半导体薄膜

用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长了 2 0 0nm的SiGe薄膜 ,然后将C离子注入SiGe层 ,经两步热退火处理制备了Si1 -x -yGexCy 三元合金半导体薄膜 .应用卢瑟福背散射 (RBS) ,傅里叶变换红外光谱 (FTIR)和高分辨率x射线衍射 (HRXRD)研究了薄膜的结构和外延特性 .发现C原子基本处于替代位置 。