基于光纤熔接与抛磨技术的硅锗芯光纤F-P腔温度传感器

光纤法布里-珀罗(F-P)腔传感器作为温度传感器,应用广泛。提高光纤制作材料及成分的光电特性有利于提高温度传感器的灵敏性。基于光纤熔接与抛磨技术制备了一种基于硅锗芯光纤的F-P腔温度传感器,其制备过程为:先用优化的熔接参数将普通单模光纤与硅锗芯光纤熔接,再通过光纤抛光的方式抛磨硅锗芯光纤,其长度可通过观察抛磨过程中反射光谱的自由光谱范围精确控制。实验结果表明:熔接端面光滑平整,其反射光谱的强度比单模光纤平端高7. 7 dB;硅锗芯光纤F-P腔传感器具有较高的温度灵敏度,可达116. 1 pm/℃。

激光热处理对硅锗芯石英包层光纤成分分布的影响

硅锗合金在非平衡条件下凝固时容易出现成分偏析,光纤制备过程带来的成分分布不均匀问题会导致很高的光纤损耗。利用CO_(2)激光对半圆柱硅棒和锗棒拼接法制备的硅锗芯石英包层光纤进行热处理,研究不同处理条件对纤芯成分分布的影响。实验结果表明,在激光扫描方向上的边缘区域可形成连续的富硅硅锗合金,并且越靠近该边缘区域,纤芯的成分分布越均匀。本研究为制备和优化硅锗芯光纤,实现纤芯均匀的成分分布提供了方法。

准单模掺锗硅芯光纤的受激喇曼散射中的模竞争

本文报道了准单模掺锗硅芯光纤的受激喇曼散射中的模竞争实验研究。观察到了喇曼竞争现象和喇曼跳级现象。较详细分析了受激喇曼模的竞争。