硅锥阴极中电子输运的数值模拟

引入半导体器件数值模拟的方法，即求解漂移扩散模型为基础的半导体基本方程，对硅锥阴极中载流子的输运过程进行了数值模拟．这一方法可以比较全面地描述载流子输运对硅锥阴极状态的影响．模拟的结果表明，考虑发射电流后，发射电子的供给函数较零电流近似时小．另外，在一定条件下，由于电子输运、ＳＲＨ 产生复合率和碰撞电离产生率的限制，发射电流存在一个上限；强渗透电场下，硅锥阴极顶端内部发生明显的碰撞电离．

真空微电子器件硅锥阴极的工艺研究

本文介绍了利用半导体硅材料制作的真空微电子器件的核心部件,场致发射硅锥阴极,的工艺研究及实验结果。提出了两步腐蚀的工艺方案,制成了形状理想的锥体阴极。

硅锥阴极场致发光显示初探

本文简略介绍了硅锥阴极场致发光显示器件的工作原理、总体设计思路、简要工艺流程、工艺规范等内容.

掺杂浓度对硅锥阴极特性的影响

基于漂移 扩散模型和量子理论中的WKB方法 ,用数值模拟方法分析了材料掺杂浓度对硅锥阴极场致发射特性及工作状态的影响 ,结果表明 ,硅锥阴极单纯的场致发射Iemit E特性受硅材料掺杂浓度的影响很小 .但低掺杂硅锥阴极顶端的电位随发射电流增大而明显上升 .锥体上电位变化可以等效为一个与锥体形状与掺杂相关的串联电阻的作用 ,这一电阻对单尖发射电流有负反馈作用 .另外 ,在常规的工作状态下 ,硅锥阴级的温升并不严重 .这些结果可以作为硅锥阴极设计的参考 .

Si──FEA冷发射微阴极阵列实验研究

对Ｓｉ—ＦＥＡ冷发射微阴极阵列的微电子工艺技术制各方案及其测试观察结果进行了技术报道。已经获得了２０×２０／１００×１００硅尖锥阵列和栅压在１００～４００ｖ之间５０μＡ冷发射阳极电流。