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富硅氮化硅薄膜的荧光发射 被引量:4
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作者 董立军 刘渝珍 +1 位作者 陈大鹏 王小波 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期380-384,共5页
室温下在3.45eV的激光激发下,对950℃温度下淀积的LPCVD富硅的SiNx薄膜中,观测到5个高强度的可见荧光的发射。其峰位位置分别为2.7,2.69,2.4,2.3,2.1eV。通过TEM、IR、XPS等的分析研究表明,该样品为纳米硅镶嵌结构的a SiNx∶H复合膜,分... 室温下在3.45eV的激光激发下,对950℃温度下淀积的LPCVD富硅的SiNx薄膜中,观测到5个高强度的可见荧光的发射。其峰位位置分别为2.7,2.69,2.4,2.3,2.1eV。通过TEM、IR、XPS等的分析研究表明,该样品为纳米硅镶嵌结构的a SiNx∶H复合膜,分析了其微结构的成因及其与膜内应力之间的相互关系。经过1000~1200℃快速退火(RTA)处理,原PL谱蓝移并只出现了峰位为3.0,2.8eV的两个紫蓝色荧光的发射,用能隙态模型对此结果做了初步的分析和讨论。认为薄膜中纳米硅团簇的密度、尺寸的变化和亚稳态缺陷态对其PL峰以及膜应力起着十分重要的作用。 展开更多
关键词 硅镶嵌的sinx膜 光致发光 内应力 快速退火(RTA)
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