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题名富硅氮化硅薄膜的荧光发射
被引量:4
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作者
董立军
刘渝珍
陈大鹏
王小波
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机构
中国科学院微电子研究所
中国科学院研究生院
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期380-384,共5页
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基金
国家"973"计划资助项目(2003CB314703)
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文摘
室温下在3.45eV的激光激发下,对950℃温度下淀积的LPCVD富硅的SiNx薄膜中,观测到5个高强度的可见荧光的发射。其峰位位置分别为2.7,2.69,2.4,2.3,2.1eV。通过TEM、IR、XPS等的分析研究表明,该样品为纳米硅镶嵌结构的a SiNx∶H复合膜,分析了其微结构的成因及其与膜内应力之间的相互关系。经过1000~1200℃快速退火(RTA)处理,原PL谱蓝移并只出现了峰位为3.0,2.8eV的两个紫蓝色荧光的发射,用能隙态模型对此结果做了初步的分析和讨论。认为薄膜中纳米硅团簇的密度、尺寸的变化和亚稳态缺陷态对其PL峰以及膜应力起着十分重要的作用。
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关键词
硅镶嵌的sinx膜
光致发光
内应力
快速退火(RTA)
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Keywords
nano-silicon microstructure SiN_x film
photoluminescence
membrane stress
rapid thermal (annealing(RTA))
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分类号
O472.3
[理学—半导体物理]
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