SOI技术——21世纪的硅集成技术

SOI技术作为 2 1世纪的硅集成技术 ,越来越受到人们的关注。文章从寄生电容、闭锁效应、热载流子效应、体效应及辐射效应等几个方面详细讨论了 SOI器件对体硅器件的优势 ,并讨论了当前

硅集成技术对通信工业的巨大影响

日益精细的光刻技术和迅速增长的半导体预算将促进更多的通信系统置于具有最佳性能价格比的单片或多片硅芯片上。未来单片ｘＤＳＬ会成为商业市场和消费市场的主流。从Ｅｔｈｅｒｎｅｔ集线器到路由器，从ＤＳＬ调制解调器到ＩＳＤＮ适配器，通信和Ｉｎｔｅｒｎｅｔ设备...

基于硅基三维异构集成技术的宽带双通道TR微系统研究

为满足相控阵系统高容量和高效率的需求,对基于硅基三维异构集成技术的宽带双通道收发(TR)微系统进行研究。结合硅基板及硅通孔(TSV)金属化、无源结构集成(IPD)、硅腔芯片内埋置等技术,研制了一种高集成、小型化的6 GHz~18 GHz频段宽带双通道TR微系统,尺寸为12.0 mm×9.0 mm×2.8 mm,净重为0.8 g,与传统砖式组件相比,该TR微系统体积和重量至少减少1/10。测试结果表明,该TR微系统接收通道增益大于4 dB,回波损耗小于-15 dB;发射通道增益大于6 dB,回波损耗小于-15 dB;接收通道衰减均方根误差小于0.5 dB,移相均方根误差小于5°;发射通道移相均方根误差小于5°。系统测试验证了该设计方案的可行性,能够为相关工程提供参考。

SOI—21世纪的硅集成电路技术

本文扼要介绍 SOI 材料的制备技术、SOI 的优越性以及 SOI 的应用。

SOI,二十一世纪的硅集成电路技术——访上海新傲科技有限公司总工程师林成鲁

SOI(Siliconon Insulator)指的是绝缘层上的硅,是一种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的有独特优势、能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术。随着信息技术的飞速发展。

日趋成熟的SOI技术

SOI技术作为 2 1世纪的硅集成技术正在日益受到人们的青睐。从SOI技术的发展过程、制备工艺、开发应用及市场预测几个方面评述了SOI技术现状及前景。

选择D类放大器

末级（输出级）晶体管工作于开关状态是D类放大器的基本特征，效率高是D类功率放大器的主要优点，主要缺点是需要大功率的高速开关晶体管（曾经很贵）。D类放大器蛰伏的时间超过40年，随着硅集成技术和与D类放大器相关的电路拓扑、信号处理、功率高速器件技术（VMOS为代表，详见下文）的日臻成熟，D类功率放大器终于基本跨过了“性能”和“性价比”这两大门槛，加之来自便携设备、平板显示设备的强劲需求，开始进入了应用为王的时代，半导体制造商八仙过海，整个市场进入了战国时代，大量新产品不断上市，新设计、新概念层出不穷，相比而言，传统的AB类则显得要冷清得多。

XP晶体振荡器系列

Pericom与Designcon公司联合推出首个低抖动、低功耗、高频晶体振荡器系列。该系列振荡器使用Pericom公司已申请专利的XP技术开发。XP技术通过独特的石英和硅集成技术，实现了低抖动、不基于PLL的振荡器，其频率范围为150MHz至220MHz。该系列振荡器适用于对成本和效能较为敏感的高增长串行连接应用，如10千兆以太网（10GbE）、无源光网络（PON）和串行连接SCSI（SAS）。