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题名硅-玻璃-硅阳极键合机理及力学性能
被引量:6
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作者
陈大明
胡利方
时方荣
孟庆森
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机构
太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室
太原理工大学先进镁基材料山西省重点实验室
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出处
《焊接学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第2期123-127,166,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(51405328)
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文摘
采用两步法阳极键合技术成功实现了硅-玻璃-硅的连接.两次键合过程中,电流特征有明显差异,第一次键合电流先迅速增大到峰值电流,然后迅速衰减至一较小值.受先形成Na+离子耗尽层的影响,第二次键合电流从峰值电流衰减的过程中,出现二次增大然后衰减的现象.利用扫描电镜对键合界面进行观察,结果表明玻璃两侧界面均键合良好,玻璃表面可观察到大量析出物.利用万能材料试验机对键合强度进行测试,结果表明,界面强度随着键合电压的升高而增大.断裂主要发生在玻璃基体内部靠近第二次键合界面一侧.
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关键词
阳极键合
硅-玻璃-硅
电子封装
键合强度
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Keywords
anodic bonding
Si-glass-Si
electronic packaging
bonding strength
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分类号
TB332
[一般工业技术—材料科学与工程]
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