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石墨烯晶体管的栅长对跨导的影响
1
作者
张庆伟
李平
+4 位作者
廖永波
王刚
曾荣周
王恒
翟亚红
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2017年第12期25-27,33,共4页
对于传统的硅MOS场效应晶体管,器件跨导的大小正比于沟道的宽长比.本文在石墨烯晶体管中发现了相反的现象.制备了源漏之间距离相同,且沟道宽度相同的石墨烯晶体管,实验结果为沟道较长的晶体管跨导较大.究其原因,石墨烯晶体管中栅电极覆...
对于传统的硅MOS场效应晶体管,器件跨导的大小正比于沟道的宽长比.本文在石墨烯晶体管中发现了相反的现象.制备了源漏之间距离相同,且沟道宽度相同的石墨烯晶体管,实验结果为沟道较长的晶体管跨导较大.究其原因,石墨烯晶体管中栅电极覆盖的沟道面积较大时,被感应的载流子数量较多,所以跨导较大.此实验结果和分析对石墨烯晶体管的进一步理解和应用有明显的意义.
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关键词
石墨烯
晶体管
跨导
宽长比
硅mos晶体管
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职称材料
题名
石墨烯晶体管的栅长对跨导的影响
1
作者
张庆伟
李平
廖永波
王刚
曾荣周
王恒
翟亚红
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2017年第12期25-27,33,共4页
基金
国家自然科学基金项目(61404021)
电子薄膜与集成器件重点实验室开放基金(KFJJ201608)
文摘
对于传统的硅MOS场效应晶体管,器件跨导的大小正比于沟道的宽长比.本文在石墨烯晶体管中发现了相反的现象.制备了源漏之间距离相同,且沟道宽度相同的石墨烯晶体管,实验结果为沟道较长的晶体管跨导较大.究其原因,石墨烯晶体管中栅电极覆盖的沟道面积较大时,被感应的载流子数量较多,所以跨导较大.此实验结果和分析对石墨烯晶体管的进一步理解和应用有明显的意义.
关键词
石墨烯
晶体管
跨导
宽长比
硅mos晶体管
Keywords
graphene transistors
transconductance
width to length ratio
Si
mos
transistors
分类号
TN312 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
石墨烯晶体管的栅长对跨导的影响
张庆伟
李平
廖永波
王刚
曾荣周
王恒
翟亚红
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2017
0
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