硒化铅芯片的制备及测试分析

以醋酸铅Pb(AC)_(2)和硒脲NH_(2)CSeNH_(2)为主要反应材料,以三碘化钾KI_(3)等物质为缓冲剂,采用化学沉积的方法制作硒化铅PbSe芯片。对制作出的硒化铅PbSe芯片进行电镜扫描、能谱分析及X-ray衍射分析,发现硒化铅芯片光电性能和结构有密切关系。

室温生物诱导合成硒化铅纳米半导体

以醋酸铅和硒代硫酸钠作为反应物,蛋壳薄膜作为生物活性载体,设计一种在生物活性材料参与下室温原位合成硒化铅纳米团簇的新方法．利用蛋膜上特定周期性分布的大分子与无机前驱体离子之间的螯合作用和电荷作用,引导和控制硒化铅微晶在蛋膜载体上的形成、聚集和分布,成功制得结晶完善且在蛋膜上均匀分布的具有规则形状的硒化铅纳米团簇．紫外-可见光谱和荧光光谱分析表明所制备的硒化铅纳米粒子具有均匀的小尺寸,表现为明显的量子尺寸效应．

硒化铅纳米粒子DNA电化学传感器检测花椰菜花叶病毒35S启动子基因序列

以水热法合成十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)修饰的PbSe纳米粒子。在碳糊电极表面制备的PbSe纳米粒子壳聚糖(CHIT)复合膜上,实现了DNA的固定和杂交,并用循环伏安法和电化学交流阻抗法进行了表征。应用电活性分子亚甲紫(MV)作为杂交指示剂,以微分脉冲伏安法对转基因植物CaMV35S启动子基因片段进行测定,检测范围为5.0×10-11～5.0×10-6mol/L;检出限为1.6×10-11mol/L(3σ)。该传感器能很好地识别DNA互补序列、非互补序列和2碱基错配序列。

化学沉淀法制备硒化铅薄膜

采用化学沉淀的方法沉淀PbSe薄膜,分别加入缓冲剂联氨(方法A)和碘化钾(方法B)。对反应原理进行了分析,对制备过程进行了优化,分别制备出了高质量的PbSe薄膜。采用XRD、SEM、EDS以及红外光谱测试对所制备样品进行了分析。结果表明,两种方法制备均为PbSe多晶薄膜,方法A制备薄膜结晶质量更好,择优生长方向明显;薄膜颗粒度、表面粗糙度都小于方法B;两种薄膜的Pb元素与Se元素比例接近化学计量比,方法B含有少量I元素;两种方法制备样品的吸收边相对带边跃迁都发生蓝移。

硒化铅光导型红外探测器的电极选择

本文主要介绍硒化铅光导型多元红外探测器的电极材料选择和电极的制备工艺。

敏化工艺对硒化铅薄膜形貌和性能的影响

用醋酸铅、硒粉及亚硫酸硒钠为主要原料采用化学液相沉积的方法在玻璃衬底上制备出了一系列的硒化铅半导体薄膜材料,采用在有氧环境下对薄膜进行热处理来实现薄膜的敏化过程,用SEM、XRD、EDS和IR等分析手段对薄膜的形貌、结构以及性能进行了表征。当敏化温度低于375℃时薄膜晶粒尺寸变化不大,但表面O/(Se+Pb)原子比随敏化温度的升高而明显升高,同时薄膜结构有所变化。硒化铅薄膜经过敏化处理后具有了一定的光电特性,在光照条件下薄膜的电阻变化率在5%～10%左右。

硒化铅量子点聚乙烯醇薄膜的三阶非线性光学特性

通过湿化学方法制备了具有三阶非线性光学性质的硒化铅/聚乙烯醇复合物薄膜.采用透射电镜和扫描电镜对硒化铅量子点的尺寸和薄膜的形貌进行表征.运用Z扫描方法,研究了薄膜在波长为532nm,脉冲宽度为38ps条件下的三阶非线性光学性质.实验结果表明:合成的硒化铅量子点尺寸在10nm左右,属于强量子受限,制备的薄膜表面粗糙度比较好;薄膜在皮秒脉冲激光作用下呈现负的非线性折射效应和反饱和吸收性质,其三阶非线性极化率χ(3)为3.6×10-11 esu.

混合式硒化铅线阵红外CCD的研制

文章叙述了混合式硒化铅线阵红外电荷耦合器件的工作原理，结构及主要用途。

硒化铅核壳量子点的合成与应用研究进展

硒化铅(PbSe)量子点具有宽红外光谱调控范围、高荧光量子产率和可溶液加工等特点,成为一类重要的红外材料体系。与广泛研究的PbS量子点相比,PbSe量子点在空气中容易氧化,从而严重破坏其光电特性,制约了其应用的发展。壳层的包覆是有效提升PbSe量子点光学特性和化学稳定性的策略之一,是推动PbSe量子点应用发展的材料研究方向。本文综述了PbSe核壳量子点的合成及其在光电探测、太阳能电池、激光器和光催化等领域的应用研究进展,希望能够为国内研究者开展相关研究提供参考。

硒化铅红外探测器的性能参数分析

本文主要介绍硒化铅红外探测器在不同工作温度下的性能数据，并且简要叙述了该探测器的性能参数的测试条件。

红外光电导探测器硒化铅(PbSe)在油份分析中的应用

本文研究了红外光电导探测器硒化铅(PbSe)在油份分析中的应用,总结了该探测器在应用中应注意的几个问题.

溶剂热法制备硒化铅亚微米八面体

在聚乙烯吡咯烷酮K30(PVP)存在下,采用溶剂热法成功地合成出立方相硒化铅(PbSe)纳米晶。分别用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对样品的形貌和晶体结构进行了表征分析。SEM结果表明样品为大量的尺寸均一的八面体形状的纳米晶,经XRD分析证明,八面体状的纳米晶是立方相PbSe。进一步考察了反应时间对样品形貌的影响,并分析了PbSe亚微米八面体的生长机制。

硒化铅量子点/石墨烯可见光敏晶体管的研究

石墨烯晶体管以其高载流子迁移率和宽波长范围光吸收在光探测方面得到了广泛研究.然而石墨烯极低的光吸收率限制了其响应灵敏度.以溶液法用氧化铅、硒粉、TOP为反应物一步合成硒化铅量子点,与湿法转移的单层铜基底石墨烯复合,制备硒化铅量子点/石墨烯光敏晶体管,利用石墨烯的高迁移率和量子点对光的高吸收效率提高晶体管的光响应,测试表明晶体管对波长370 895 nm范围内的光均有良好响应,在波长540 nm光强0.528μW/cm^2下的响应率达到了10~6A/W.

硒化铅红外传感器的温度特性测试与分析

为使火焰探测器能更好地在宽温度范围下工作,对火焰探测器常用的硒化铅(PbSe)传感器暗电阻的温度特性进行研讨。基于硒化铅负温度系数特性,对某型硒化铅传感器在不同温度下的暗电阻进行测试,并对硒化铅的温度-电阻曲线进行拟合和误差分析。结果表明:给出的标定方法可以用于快速确定传感器温度特性,可为相关应用提供设计依据。

探测器硒化铅薄膜的磁控溅射制备及性能研究

本文主要探讨硒化铅薄膜的生长机制以及镀膜工艺参数、掺杂处理等对硒化铅薄膜成分、结构、级光电性能的影响,以保证探测器的实际应用性能,促进核物理和粒子物理实验研究的顺利开展。

硒化铅光导型红外探测器的光刻技术

本文着重介绍硒介铅光导型红外探测器的光刻过程和工作原理。

栅格素化使中温硒化铅热电半导体材料的冷却效果优于碲化铋

热电技术是一种可以不通过运动部件而直接实现电能和热能相互转化的新能源技术,在深空探测、5G控温以及激光雷达控温等众多领域具有不可替代的应用.然而,热电技术的广泛应用受到热电材料性能的限制,即由材料的无量纲热电优值(ZT=σS^(2)/κtot)决定[1].材料的电导率(σ)、塞贝克系数(S)、总热导率(κ_(tot),κ_(tot)=κ_(lat)+κ_(ele))、晶格热导率(κ_(lat))、电子热导率(κ_(ele))和开尔文温度(T)决定了其ZT值.ZT值的优化需要靠提高电传输性能(σS^(2))或降低热传输性能(κ_(tot)),然而这些热电参数相互耦合,需要采取适当的策略实现电-热传输解耦.

硒化铅薄膜制备

众所周知,3.5～4.3微米是红外辐射大气透过率最高,背景辐射强度最弱的波段。从这个大气窗口能获得工农业、军事等多种红外遥感信息。但工作在这一波段的灵敏探测器一般都需要致冷到77K,只有硒化铅例外,它是迄今为止能在干冰点工作的探测度最高的探测器。硒化铅容易集成多元阵列,因此,可用于手提式夜视装置,红外跟踪和低温测试技术装置中。

基于退火效应硒化铅融合量子点制备及探测器性能研究

硒化铅纳米结构材料因其多激子产生效应、快速光敏吸收和近红外发射而被广泛应用于太阳能电池和光电探测器,并成为探测器领域的研究热点。在制备硒化铅量子点的基础上,通过退火工艺得到了一种新型的纳米材料融合量子点。所需的最佳退火温度可以有效减少缺陷,提高融合量子点的活性。为了体现融合量子点与其他材料相比的优势,采用旋涂法制备薄膜并用于光电导器件的研制。退火温度从室温提高到470℃,通过透射电子显微镜观察了不同温度下硒化铅量子点的融合现象,并研究了量子点退火对光电导器件性能的影响。量子点之间的平均距离随着退火温度的升高而减小,这增强了量子点之间的相互融合。实验数据表明,硒化铅活性层的最佳退火温度为310℃,开关比K和响应度R在310℃时达到最大值,响应度增加3倍以上。这是因为硒化铅活性层中载流子的迁移率增强。并成功制备了光电导探测器Au/PbSe融合量子点/Au(100 nm),为后续制备新的量子点器件奠定了基础。

不同粒径纳米硒化铅对大鼠胚胎神经干细胞的氧化损伤作用

目的探讨不同粒径纳米硒化铅(Pb Se)对大鼠胚胎神经干细胞(NSCs)的氧化损伤作用。方法将处于对数生长期的NSCs暴露于终浓度分别为0(对照)、6.25、12.5、25、50、75、100、200μg/ml两种粒径(8、25 nm)的纳米Pb Se悬液24 h,采用MTT法检测细胞存活率,采用乳酸脱氢酶(LDH)法检测细胞膜损伤情况。将处于对数生长期的NSCs暴露于终浓度分别为0(对照)、60、80、100μg/ml两种粒径的纳米Pb Se悬液24 h,检测细胞内超氧化物歧化酶(SOD)、谷胱甘肽过氧化物还原酶(GSH-Px)活力及谷胱甘肽(GSH)、丙二醛(MDA)含量,采用ELISA法检测细胞培养液中8-羟基-2'-脱氧鸟嘌呤核苷(8-OH-d G)的含量。结果与对照组相比,不同浓度的两种粒径纳米Pb Se暴露组NSCs细胞的存活率均降低,差异有统计学意义(P<0.05);且随着两种粒径纳米Pb Se暴露浓度的升高,NSCs细胞的存活率均呈下降趋势。当纳米Pb Se暴露浓度≥50μg/ml时,8 nm粒径纳米Pb Se暴露组NSCs细胞的存活率均低于25 nm粒径纳米Pb Se暴露组,差异有统计学意义(P<0.05)。与对照组相比,不同浓度两种粒径纳米Pb Se暴露组NSCs细胞培养液中的LDH活力均升高,差异有统计学意义(P<0.05);且随着两种粒径纳米Pb Se暴露浓度的升高,NSCs细胞培养液中的LDH活力均呈上升趋势。在相同浓度下,8 nm粒径纳米Pb Se暴露组NSCs细胞培养液中LDH的活力均高于25 nm粒径纳米Pb Se暴露组,差异有统计学意义(P<0.05)。与对照组相比,不同浓度两种粒径纳米Pb Se暴露组NSCs细胞上清液中SOD、GSH-Px活力和GSH含量均降低,而MDA含量均升高,差异均有统计学意义(P<0.05);且随着两种粒径纳米Pb Se暴露浓度的升高,NSCs细胞上清液中SOD、GSH-Px活力和GSH含量均呈下降趋势,而MDA含量均呈上升趋势。与相同浓度25 nm粒径纳米Pb Se暴露组比较,各浓度8 nm粒径纳米Pb Se暴露组NSCs细胞上清液中SOD、GSH-Px活力和GSH含量均降低,而MDA含量均升高,差异均有统计学意义(P<0.05)。与对照组相比,不同浓度两种粒径纳米Pb Se暴露组NSCs细胞培养基中8-OHd G的含量均升高,差异有统计学意义(P<0.05);且随着两种粒径纳米Pb Se暴露浓度的升高,NSCs细胞培养基中8-OHd G的含量均呈上升趋势。与相同浓度25 nm粒径纳米Pb Se暴露组比较,80、100μg/ml的8 nm粒径纳米Pb Se暴露组NSCs细胞培养基中8-OH-d G含量均升高,差异有统计学意义(P<0.05)。结论纳米Pb Se引起NSCs细胞的氧化损伤可能是导致其产生细胞毒性的主要原因。