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硒化铅芯片的制备及测试分析
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作者 邹红军 《电子工艺技术》 2023年第2期41-43,共3页
以醋酸铅Pb(AC)_(2)和硒脲NH_(2)CSeNH_(2)为主要反应材料,以三碘化钾KI_(3)等物质为缓冲剂,采用化学沉积的方法制作硒化铅PbSe芯片。对制作出的硒化铅PbSe芯片进行电镜扫描、能谱分析及X-ray衍射分析,发现硒化铅芯片光电性能和结构有... 以醋酸铅Pb(AC)_(2)和硒脲NH_(2)CSeNH_(2)为主要反应材料,以三碘化钾KI_(3)等物质为缓冲剂,采用化学沉积的方法制作硒化铅PbSe芯片。对制作出的硒化铅PbSe芯片进行电镜扫描、能谱分析及X-ray衍射分析,发现硒化铅芯片光电性能和结构有密切关系。 展开更多
关键词 硒化铅芯片 化学沉积 光电导 光谱响应 光电性能
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