不同激光波长和功率下的Bi_2Se_3单晶Raman光谱

采用改良Bridgman法制备出优质Bi_2Se_3单晶。X射线衍射仪和扫描电子显微镜测试结果显示,晶体沿[001]方向生长,结晶性能好。采用两种波长(532和785 nm)及不同功率的激光光源,对Bi_2Se_3单晶体(003)面进行了Raman光谱研究。结果表明:在功率较高时,随着激光功率的增加,Raman特征峰系统性红移和半高宽增大,此时峰位红移是由激光功率的增加,测试区域温度升高,晶格膨胀和声子间的非简谐振动耦合共同导致;在功率较低时,热膨胀可能是造成Raman峰位红移的主要原因。

In掺杂Bi2Se3晶体的电学性能与形貌

采用自助熔融法制备了高质量的In掺杂Bi_2Se_3(Bi_(2-x)In_xSe_3)单晶样品。研究了In掺杂对Bi_2Se_3样品的晶体结构、微观形貌及电输运性能的影响。结果表明:在Bi_(2-x)In_xSe_3样品中,In基本以替代Bi位的形式存在。随着In掺杂量的增加,样品晶格常数c减小,层状结构更加明显且堆叠层数增多。样品的电阻率随着In掺杂量的增加而明显增大,这可能跟掺杂样品内电离杂质的散射的贡献增大有关。另外,Bi_(2-x)In_xSe_3样品的磁电阻大小也与In掺杂量呈正相关关系,这是由于在In掺杂的样品中,In掺杂使得样品中声子散射效应增加,导致了体系中的磁电阻值增大。