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MgSe薄膜的相结构研究 被引量:2
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作者 廖清华 彭学新 +3 位作者 熊传兵 刘念华 范广涵 江风益 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期824-828,共5页
我们采用MOCVD外延技术首次在GaAs(100)和(111)衬底上成功地生长了MgSe单层薄膜.利用X射线衍射技术观察到了它的NaCl结构、纤锌矿结构和闪锌矿结构三种相结构。
关键词 硒化镁 相结构 半导体薄膜技术
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MOCVD法在GaAs上生长MgSe薄膜
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作者 晓晔 《电子材料快报》 1998年第5期8-9,共2页
关键词 MOCVD 砷化镓 硒化镁 薄膜 生长
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