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MgSe薄膜的相结构研究
被引量:
2
1
作者
廖清华
彭学新
+3 位作者
熊传兵
刘念华
范广涵
江风益
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第11期824-828,共5页
我们采用MOCVD外延技术首次在GaAs(100)和(111)衬底上成功地生长了MgSe单层薄膜.利用X射线衍射技术观察到了它的NaCl结构、纤锌矿结构和闪锌矿结构三种相结构。
关键词
硒化镁
相结构
半导体薄膜技术
下载PDF
职称材料
MOCVD法在GaAs上生长MgSe薄膜
2
作者
晓晔
《电子材料快报》
1998年第5期8-9,共2页
关键词
MOCVD
砷化镓
硒化镁
薄膜
生长
全文增补中
题名
MgSe薄膜的相结构研究
被引量:
2
1
作者
廖清华
彭学新
熊传兵
刘念华
范广涵
江风益
机构
南昌大学材料科学研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第11期824-828,共5页
基金
国家自然科学基金
江西省自然科学基金
文摘
我们采用MOCVD外延技术首次在GaAs(100)和(111)衬底上成功地生长了MgSe单层薄膜.利用X射线衍射技术观察到了它的NaCl结构、纤锌矿结构和闪锌矿结构三种相结构。
关键词
硒化镁
相结构
半导体薄膜技术
Keywords
Semiconducting films
X ray diffraction
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
TN304.25 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
MOCVD法在GaAs上生长MgSe薄膜
2
作者
晓晔
出处
《电子材料快报》
1998年第5期8-9,共2页
关键词
MOCVD
砷化镓
硒化镁
薄膜
生长
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MgSe薄膜的相结构研究
廖清华
彭学新
熊传兵
刘念华
范广涵
江风益
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
2
下载PDF
职称材料
2
MOCVD法在GaAs上生长MgSe薄膜
晓晔
《电子材料快报》
1998
0
全文增补中
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