一类新型有机给体四硫代富瓦烯插烯物的合成与研究进展

概括了一类新型的有机电子给体——四硫代富瓦烯插烯物的合成方法，讨论了给体的循环伏安特性，并对其电荷转移复合物及自由基阳离子盐的研究进展进行了简要的评述。参考文献４５篇。

双羟甲基和双甲氧甲酰基取代的双(二硫代亚乙基)四硫代富瓦烯的合成

合成了双羟甲基及双甲氧甲酰基取代的双(二硫代亚乙基)四硫代富瓦烯,给出了它们的质谱、核磁共振氢谱和碳谱,并讨论了影响反应的一些因素。

两个多核四硫代富瓦烯类衍生物的合成和电化学行为

合成了2个含3个四硫代富瓦烯单元的化合物,给出了它们的核磁共振氢谱、质谱、紫外吸收光谱及元素分析数据。用循环伏安法测定了它们的氧化还原电位,并将其与仅含1个或2个四硫代富瓦烯单元的化合物的氧化还原电位比较。发现随着分子内共轭程度的增加,分子内的库仑斥力也随之降低。

新型四硫代富瓦烯衍生物的合成及其性质的研究

合成了3个新的含有卤素取代基的四硫代富瓦烯衍生物及6个新的相关化合物。利用溶液的电子吸收光谱对四硫代富瓦烯衍生物的性质进行了研究。研究结果表明,四硫代富瓦烯衍生物的分子中π轨道之间的能级差较小,因而分子具有较高的稳定性。

四硫代富瓦烯及其CT复合物导电LB膜

Conducting Langmuir-Blodgett (LB) films based on a new asymmetrical tetrathiafulvalene (TTF) and its charge transfer complex with TCNQ were prepared by admixing with arachidic acid. The LB films were characterized by surface pressure-area isotherms, UV spectra, and X-ray diffeaction. Conductivity of the LB films relating to the number of layers was studied. After doped with iodine the highest conductivity for the asymmetrical TTF and its TCNQ complex LB film reached 0.23 and 4.7×10-5 S·cm- 1 ，respectively.

二苯并四硫代富瓦烯类衍生物的合成和电化学行为

合成了四个二苯并四硫代富瓦烯(DB-TTF)的衍乍物(3a～b,4a～b),给出了它们的核磁共振氢谱和碳谱,质谱,紫外吸收光谱及元素分析等数据。用循环伏安方法测定了它们的氧化电位,并将此与DB-TTF的氧化电位作了比较。发现:网端取代的硫酮基对分子体系的吸电子效应较强,会明显增大分子的第一氧化电位,而且会降低分子内的Coulomb作用力,相比之下,在四周顶点上取代的烷氧基对分子体系的给电子效应较弱。

双二硫代亚乙基四硫代富瓦烯衍生物的合成及其LB膜的制备

合成了带双羟烷基及双甲酸甲酯基取代的两种双二硫代亚乙基四硫代富瓦烯 (BEDT -TTF)的衍生物及其它们与TCNQ的CT -络合物。制备了它们的LB膜并测试了膜的导电率。由于单分子膜与各层膜相比分子排列紧密程度不同 ,平行于LB膜方向的导电率比垂直于LB膜方向的导电率高近 10 7个数量级。

新型半菁染料阳离子和含锌硫代富瓦烯配阴离子的电荷转移复合物光电响应性质的研究

对一种新型半菁发色基团的碘化物（反式）－Ｎ－十八烷基－４－（２－（４－（２－二甲基氨基）苯基）乙烯基）喹啉碘化物和含锌硫代富瓦烯配阴离子形成的电荷转移复合物：二－［（反式）－Ｎ－十八烷基－４－（２－（４－（２－二甲基氨基）苯基）乙烯基）喹啉］合硫代富瓦烯锌酸盐的成膜性以及它们的ＬＢ膜修饰ＩＴＯ电极上的光电响应性质进行比较研究，用含锌硫代富瓦烯配阴离子对这种半菁发色团阳离子进行组装后，能够改善其成膜性，使单位面积上的半菁发色团数目增加．同时，含锌硫代富瓦烯配阴离子的强吸电子能力还影响半菁发色团的电荷分布，使之有利于电荷分离，从而提高了光电流的量子产率．在无外界影响时，其光电转化的量子产率达０．９％，是碘化物的１．８倍．

两种新型四硫代富瓦烯衍生物的合成与光电性能

聚噻吩类衍生物是导电聚合物中重要的一部分.不带有任何取代基的聚噻吩溶解性能极差,如果在噻吩单体的3,4位引入取代基,则可以有效提高其溶解度.将含羧基的四硫代富瓦烯衍生物(TTF-COOH)和含两个羟基的噻吩衍生物ProDOT(CH2OH)2,通过Steglich酯化反应组合起来,从而得到两种新型衍生物ProDOT(CH2O-TTF)2及ProDOT(CH2OH)(CH2O-TTF).经1H-NMR、UV-Vis和循环伏安法(CV)表征这两种新型衍生物的结构及电化学性质发现:前者衍生物是含有两个TTF片段的ProDOT单体,具有电荷转移现象;后者则具备活性位点,可以进一步发生其他反应.

四硫代富瓦烯衍生物的合成和表征

通过4-二甲氨基吡啶(DMAP)、二环己基碳二亚胺(DCC)催化体系的酯化反应和三乙基磷酸酯的耦合反应得到四硫代富瓦烯衍生物,通过核磁、质谱、红外等手段对所合成的四硫代富瓦烯的衍生物进行了纯度和结构的确认,使用偏光显微镜,差示扫描量热仪等,对其热力学性能和液晶性能进行了表征,证明它是一种室温液晶分子,对它进行了化学氧化实验,研究了四硫代富瓦烯衍生物的氧化还原性质.

新型不对称四硫代富瓦烯导电LB膜的研究

新型不对称四硫代富瓦烯导电ＬＢ膜的研究李洪启姚钟麒刘丹谭干祖俞贤达（中国科学院兰州化学物理研究所７３００００）Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔ（ＬＢ）技术已成为制备分子厚度的有序导电薄膜的有力工具，该领域中四硫代富瓦烯（ＴＴＦ）衍生物是导电ＬＢ膜的研...

简法合成1,3,4,6-四硫杂戊搭烯-2,5-二酮

以异丙醇为溶剂，异丙醇钧和二硫化碳反应生成异丙基黄原酸钠1．1未经纯化，向反应瓶中直接加入二氯乙酸甲酯，制得2，2-双-（异丙基黄原酸基）乙酸甲酯2.2经过浓硫酸催化，得1，3，4，6-四硫杂戊搭烯-2，5-二酮3．整个过程操作简便，产率较高，是制备1，3，4，6-四硫杂戊搭烯3的简便方法．

簇合物裂解法合成二硫纶化合物

以 [Me4N]2 [M4(SPh) 1 0 ]和 [Me4N]4[S4M1 0 (SPh) 1 6](M=Cd,Zn)为前驱体 ,采用簇合物裂解法合成了配合物 (Bu4N) 2 [Cd(mnt) 2 ]、 (Bu4N) 2 [M(dmit) 2 ](M=Cd,Zn)以及双核配合物 (Me4N) 2 [Zn2 (Sph) 2 ·(S2 TTF(SCH2 ) 2 ) 2 ].运用 PM3计算方法得到了各种二硫纶盐配体中硫负离子的静电荷大小关系 :mnt2 - >SPh- >dmit2 - >[(Me S) 2 TTFS2 ]2 - ≈ [(CH2 S) 2 TTFS2 ]2 - .在理论计算及实验结果的基础上 ,探讨了配体上硫负离子的静电荷大小与反应产物间的关系 .

羟甲基和碘甲基取代的3,4-亚乙基二氧噻吩衍生物及其选择性酯化与醚化

羟甲基或碘甲基取代的3,4-亚乙基二氧噻吩(EDOT)衍生物与含氰乙基或羧酸基的四硫代富瓦烯(TTF)衍生物通过酯化或醚化反应可生成EDOT-TTF类型的化合物.在此过程中发现,由3,4-二羟基噻吩-2,5-二羧酸甲酯(1)与环氧溴丙烷经醚化反应生成的关环产物是一个由3,4-二氧-羟甲基乙基噻吩-2,5-二羧酸甲酯(2)与3,4-二氧-2'-羟基亚丙基噻吩-2,5-二羧酸甲酯(2')组成的混合物,两者很难用常规手段分离.由(2+2')衍生的2,5-二羧酸甲酯-3,4-二氧-碘代甲基亚乙基噻吩(3)和3,4-二氧-碘代亚丙基噻吩-2,5-二羧酸甲酯(3')以及3,4-二氧-羟甲基亚乙基噻吩(4)与3,4-二氧-2'-羟基亚丙基噻吩(4')与2-氰乙基硫-3-甲基硫-6,7-二(正己基硫)-四硫代富瓦烯(TTF-1)或2-羧甲基硫-3-甲基硫-6,7-二(正己基硫)-四硫代富瓦烯(TTF-3)进行醚化或酯化反应表现出了高度的选择性,只有3能与TTF-1反应生成结构单一的EDOT-TTF 1.同样只有4能与TTF-3反应生成结构单一的EDOT-TTF 2.