电离辐射诱导HeLaS_3细胞凋亡时程变化的影响

采用PI和Hoechst33342双染、流式细胞术 (FCM)和图像分析术 (ICM)检测了不同剂量电离辐射对HeLaS3 细胞凋亡的影响。结果表明 ,HeLaS3 细胞在分别受到 0 .5 - 4 .0GyX射线照射后 8h ,其细胞凋亡呈增高趋势 ,但无统计学意义。照射后 12h ,细胞凋亡显著增加 (p <0 .0 1) ,并达峰值。随后 ,细胞凋亡率迅速下降 ,4 8h ,又有所回升。且流式细胞术与图像分析术所得结果数据相近 ,趋势一致。