离子束辅助沉积和真空退火对硫化锌薄膜应力的影响

在硅基底上用电子束蒸发方法制备了硫化锌薄膜。通过XRD和薄膜应力测试仪研究了离子束辅助沉积和真空退火对硫化锌薄膜应力的影响规律。结果表明,未采用离子辅助技术制备的硫化锌薄膜为压应力,平均应力值为110.6 MPa,当采用离子束辅助工艺时硫化锌薄膜的压应力增加了62.3MPa。真空退火使硫化锌薄膜的平均应力大约降低了二分之一。硫化锌薄膜的微观结构变化是影响薄膜应力的主要因素。

硅衬底硫化锌薄膜发光器件的研制

用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用XRD、XPS技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差异,掺入的稀土元素铒呈三价,电致发光谱为Er3+的发光谱线,硅衬底硫化锌发光薄膜器件可与硅器件工艺兼容.

硫化锌薄膜的制备和结构分析

用常规分舟热蒸发法在玻璃衬底上制备硫化锌薄膜，用X射线衍射和透射电子显微镜研究该薄膜的晶体结构，发现硫化锌薄膜与流化锌粉末在晶体结构上存在差异，实验证实硫化锌晶体是具有高于性的共价键晶体。

掺铒硫化锌薄膜界面态及其对驰豫发光影响的研究

应用ＸＰＳ及电容－电压测试研究硫化锌薄膜的界面态，采用电脉冲瞬态激发技术研究Ｅｒ￣（３＋）激活的ＺｎＳ薄膜特征跃迁非指数衰减过程的弛豫发光，分析了由于氧吸附形成的界面态对弛豫发光的影响。

化学水浴沉积法制备硫化锌薄膜研究进展

硫化锌薄膜是重要的半导体光电材料。分析了化学水浴沉积法制备硫化锌薄膜的原理与机制,重点阐述了制备过程的影响因素及工艺的优化。简要介绍了采用该工艺制备的硫化锌薄膜在Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池方面的应用。最后指出硫化锌薄膜作为一种性能优良、制备成本低廉、对环境友好的功能薄膜材料具有良好的应用前景。

热氧化硫化锌薄膜制备高质量纳米ZnO薄膜的表征

本文报道了利用低压-金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术生长ZnS薄膜,然后,将ZnS薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化制备高质量的纳米ZnO薄膜.采用有效的手段对样品的质量表征:X-射线衍射(XRD)结果表明,纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿多晶结构.喇曼光谱观测到典型的多声子共振过程.在光致发光(PL)光谱中,自由激子(FE)和束缚激子(BE)发射都很明显.低温下,束缚激子(BE)复合发射占主要地位,而自由激子(FE)复合发射也容易观察到.这些结果都说明我们制备的样品是高质量的.

真空蒸发硫化法制备硫化锌薄膜的研究

介绍了硫化锌薄膜的应用和研究现状,阐述了硫化锌薄膜的生长过程理论及其结构,对于硫化锌常用的制备技术也作了较详细的介绍。针对TYZ76.00(YL)型真空镀膜机进行了不同实验设计,尝试探索出在实验室条件下真空蒸发硫化制备硫化锌薄膜的可行方法。通过XRD检测薄膜的结构和物相,金相显微镜观察薄膜的微结构,四探针法测量其电阻。

金属铒和氟化铒掺杂的硫化锌薄膜的交流电致发光(ACEL)特性

本文报导了不同浓度的金属铒和氟化铒掺杂的硫化锌薄膜交流电致发光(ACEL)的特性,并进行了比较。实验结果表明:ZnS:ErF_3薄膜ACEL的最佳浓度(5×10^(-3)g/g)低于ZnS:Er^(3+)薄膜ACEL的最佳浓度(1×10^(-2)g/g)。在ZnS薄膜中掺入稀土离子,随着浓度的增加,稀土离子之间发生交叉弛豫,这一过程与稀土离子周围环境有关,这正是ZnS:ErF_3和ZnS:Er^(3+)薄膜ACEL具有不同的最佳浓度的主要原因。

硫化锌交流电致发光薄膜结构与特性研究

用电子束研制不同介质膜作绝缘层的掺铒硫化锌交流电致发光薄膜器件，用Ｘ射线衍射技术测量薄膜表面结构，发现薄膜多晶的沉积有择优取向的趋势。观察不同绝缘层交流电致发光器件的初始稳定过程，讨论绝缘层质量对交流电致发光器件的影响。

ZnS薄膜的溅射沉积及其XPS研究

用Ａｒ＋束溅射沉积技术在ＨｇＣｄＴｅ表面实现了ＺｎＳ的低温沉积．用Ｘ射线光电子能借（ＸＰＳ）对上述ＺｎＳ薄膜以及热蒸发ＺｎＳ薄膜中的Ｚｎ、Ｓ元素的化学环境进行了对比实验研究．实验表明：离子束溅射沉积ＺｎＳ薄膜具有很好的组份均匀性，未探测到元素Ｚｎ、Ｓ的沉积．

纳米ZnS∶Mn^(2+)薄膜荧光增强动力学研究

利用有机溶胶方法制备了纳米ZnS∶Mn2 + 颗粒并将其分散在PVB薄膜中 ,观察到紫外辐照荧光增强的现象且增长倍数高于以前的报道。利用激发和发射光谱等手段对荧光增强的动力学过程进行了研究。认为纳米ZnS中元激发向Mn2 + 离子和表面态的能量传递是两个互相竞争的过程 ,紫外光辐照使表面态数目减少从而使Mn2 + 的发光增强 ,辐照后ZnS基质的 1P能级对Mn的激发更为有效。该样品在太阳光辐照下有相同的增强效应 。

离子源的溅射特性及其对ZnS薄膜折射率的影响

在离子束辅助镀膜工艺中 ,离子源工作参数无疑是影响薄膜质量的关键因素 .本文对宽束冷阴极离子源溅射特性进行了研究 ,给出了离子源引出电压与溅射速率的关系 .

新结构电致发光薄膜器件的发光区域

在发光层中插入无发光中心的ＺｎＳ薄膜，研究了新结构器件发光层中发光中心周围的广的分布与发光中心在薄膜中位置的关系，确定在ＳｉＯ２／ＺｎＳ：Ｔｂ界面附近区域的发光中心周围有较多的Ｆ，远离该界面区域的发光中心周围的Ｆ－离子较少，前一区域的发光中心的发光亮度较低，后一区域的发光中心的发光亮度较高，并拟合出前一区域的厚度为１８ｎｍ．

连续离子层吸附反应法制备(Zn,Cd)S薄膜及其性能

采用液相薄膜制备工艺———连续离子层吸附反应法(successiveioniclayeradsorptionandreaction,SILAR),在室温下,使用混合阳离子前驱体于玻璃衬底上制备了(Zn,Cd)S薄膜。采用X射线光电子谱分析薄膜的成分,测定紫外透射光谱,分析不同成分对薄膜光电性能的影响,并使用环境扫描电镜对薄膜的表面形貌进行观察。实验结果表明:SILAR法制备薄膜的生长速率约为3nm/cycle。(Zn,Cd)S薄膜的成分偏离前驱体溶液中的n(Zn)/n(Cd)值,表现为Cd含量偏大,这与CdS和ZnS二者的溶度积不同有关。随着Cd含量的增加,薄膜的透射率和禁带宽度降低,电导率增大。通过控制前驱体混合溶液中不同阳离子间的比例可以得到带宽可调的复合硫化物薄膜。

沉积温度对硫化锌(ZnS)薄膜的结晶和光学特性影响研究

对不同温度下沉积的ZnS薄膜的结晶情况和光学特性进行了研究,结果表明:沉积温度对ZnS薄膜的物理和光学特性有较大影响,不同的温度沉积的ZnS薄膜具有不同的择优取向,牢固度也大不相同;不同沉积温度下,ZnS薄膜的光学常数也不尽相同.温度为115℃和155℃时,ZnS薄膜的物理性能和光学性能较差,不适合空间用光学薄膜的研制使用.而190℃和230℃沉积温度下所得薄膜具有较好的物理和光学性能,适合于不同要求的空间用薄膜器件的研制使用.

硫化铜和氧化锌复合薄膜的制备及其摩擦学性能研究

用一种简便的溶胶-凝胶法合成了硫化铜和氧化锌复合薄膜。复合薄膜的微结构、形貌和摩擦学性能分别用X-射线衍射仪、X-射线光电子能谱、原子力显微镜、扫描电子显微镜和UMT-2摩擦学性能测试仪研究。结果表明:所制备的复合薄膜具有均一和致密的六方晶型氧化锌相,薄膜显示出良好的抗磨减摩性能,特别是5%摩尔比例掺杂的硫化铜具有最好的效果,磨痕图片表明薄膜的摩擦机理是轻微的擦伤、黏着磨损。

化学气相沉积法ZnS块材料的生长

本文用化学气相沉积法制备了ZnS薄膜和块材料；观察了ZnS在具有不同表面粗糙度的石墨和石英基体上的成核和长大行为；研究了沉积温度、H2S和Zn蒸汽流量对ZnS生长速率的影响规律．

不同参数溅射的ZnO薄膜硫化后的特性

采用直流反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜 ,然后将它们在H2 S气流中硫化得到ZnS薄膜 .用x射线粉末衍射仪 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)和UV VIS透过光谱对ZnS薄膜样品进行了分析 .结果表明 ,该ZnS薄膜为六角晶体结构 ,沿 (0 0 2 )晶面择优取向生长 ,其结晶状态和透过光谱与工作气压、Ar O2 流量比密切相关 .当气压高于 1Pa时 ,得到厚度很小的ZnS薄膜 ;而气压低于 1Pa时 ,沉积的ZnO薄膜则不能全部反应生成ZnS .另外 ,当Ar O2 流量比低于 4∶1或高于 4∶1时 ,结晶状态都会变差 .此外 ,由于ZnS薄膜具有高的沿 (0 0 2 )晶面择优取向的生长特性 ,使得退火或未退火ZnO薄膜硫化后的晶粒尺寸变化很小 .

硫化温度对ZnS薄膜生长质量的影响

采用热反应法对玻璃衬底上以磁控溅射制备的Zn薄膜进行硫化,制备出Zn S薄膜。薄膜的微观结构、物相结构和表面形貌分别采用正电子湮没技术(PAT)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)进行分析和表征。利用慢正电子湮没多普勒展宽对四个不同硫化温度下得到的ZnS薄膜样品中膜层结构缺陷进行研究,测量了薄膜中的空位型微观缺陷的相对浓度,指出445℃硫化样品中正电子注入能量在1.5～4.5 keV后S参数最小,说明该硫化温度下反应生成的ZnS薄膜结构缺陷浓度最小,膜的致密度最高。XRD结果显示薄膜在445℃以上硫化后,呈(111)择优生长趋势。从扫描电镜的结果也可以看出,在445℃硫化后,薄膜的晶粒明显地变得更大、更致密,这是因为ZnS晶胞比Zn晶胞大以及硫化过程中ZnS固相再结晶的缘故。

铒近红外发光的瞬态特性

报道了用分舟热蒸发研制的掺铒硫化锌薄膜器件的电致近红外发光的瞬态特性，首次运用多段式指数衰减公式与高斯函数复合，描述薄膜发光的瞬态过程，理论结果与实验数据十分接近，证实薄膜的定域能级对器件的弛豫发光产生了影响．