不同先驱体溶胶-凝胶法制备的硫化锗玻璃薄膜

分别使用氯化锗和正锗酸乙脂为溶胶凝胶先驱体 ,用 2种不同的操作步骤制备溶胶 ,采用旋转涂膜技术在单晶硅片和玻璃基片上制备了硫化锗薄膜。对所获得的样品进行了X射线衍射、远红外和Raman光谱测试 ,并用扫描电镜观察薄膜形貌。结果表明 :采用不同先驱体制备的溶胶凝胶硫化锗玻璃薄膜其玻璃结构具有差异 ,并导致薄膜折射率的不同 ;由GeCl4 所得玻璃薄膜为富锗相 ,其折射率约为 2 .8;而由Ge(OC2 H5) 4所得玻璃薄膜为富硫相 ,折射率约为 2 .2。

脉冲激光沉积硫化锗-硫化稼-硫化镉非晶薄膜的结构和性能(英文)

用脉冲激光沉积(pulsed laser deposition,PLD)法在玻璃基片上沉积了组分为80GeS2-15Ga2S3-5CdS的硫系非晶薄膜,利用X射线衍射、分光光度计、扫描电镜、场发射扫描电镜、Raman光谱等研究了薄膜的性能和结构。对薄膜进行紫外脉冲激光极化,采用Maker条纹法测试薄膜的二阶非线性光学效应(second harmonic generation,SHG)。结果表明:获得的硫系GeS2-Ga2S3-CdS非晶薄膜表面光滑平整、厚度约为800 nm、透过率高达78%,与靶材相比,薄膜中的缺陷较多。在紫外脉冲激光极化的薄膜中观察到了明显的SHG,强度约为参考石英单晶的两倍。

γ-硫脲基丙基锗倍半硫化物的合成,^(99)Tc^m标记及生物分布研究

合成了γ 硫脲基丙基锗倍半硫化物 ,进行了99Tcm的标记 ,在配体量为 0 5mg,SnCl2 量为 0 .1mg ,pH =8.0 ,反应温度为 2 0℃ ,反应时间为 2 0min时 ,标记率可达 84 2 %。配合物在小鼠体内的生物分布实验结果表明 ,配合物主要浓集在肺中 ,其次是肝脏。在标记物质量浓度为 5 0 μg/mL时 ,测得它对KB(人鼻咽癌 ) ,HCT(人结肠癌 )和Bel(人肝癌 )细胞的抑制率分别为 69 0 % ,76 9% ,4 4 7%。

α-甲基-β-杂环酰胺基乙基锗倍半硫化物的合成和抗癌活性研究

用α-甲基丙烯酸、二氧化锗、杂环胺、硫化氢等原料合成了 6种新型有机锗化合物 ,即α-甲基 -β-杂环酰胺基乙基锗倍半硫化物 ,用多种现代分析技术研究了它们的组成、结构特征和理化性质 ,对其中 4种化合物进行了体外 Hela细胞培养试验 ,结果显示 。

二羧乙基锗倍半硫化物的合成

本文报道用自制的三氯锗丙酸和硫化氢合成二羧乙基锗倍半硫化物的方法及其提纯方法。

Cu(111)衬底上单层铁电GeS薄膜的原子和电子结构研究

二维铁电材料因具有自发极化特性,在铁电场效应晶体管、非易失性存储器和传感器中具有广泛的技术和器件应用.特别是第Ⅳ主族单硫属化合物具有最高的理论预测热电特性和本征的面内铁电极化特性,适合作为探索二维铁电极化特性的模型材料.然而,由于相对大的解理能,目前不容易获得高质量和大尺寸单层第Ⅳ主族单硫属化合物,严重阻碍了这些材料应用到快速发展的二维材料及其异质结研究中.本文采用分子束外延方法在Cu(111)衬底上成功制备单层GeS.通过高分辨扫描隧道显微镜,原位X射线光电子能谱和角分辨光电子能谱以及密度泛函理论计算,对单层GeS原子晶格和电子能带结构进行了系统表征.研究结果表明:单层GeS具有正交晶格结构和近似平带的电子能带结构.单层GeS的成功制备和表征使得制备高质量和大尺寸单层第Ⅳ主族单硫属化合物成为可能,有利于该主族材料应用到快速发展的二维铁电材料以及异质结研究中.

激光作用下GeS_2非晶半导体薄膜的性能及结构变化

采用514.5石nm波长的氩离子激光器,结合X射线衍射分析（XRD）、红外光谱分析（IR）、扫描电镜分析（SEM）和透射光谱分析,研究了GeS2非晶半导体薄膜在激光辐照后的性能及结构变化.实验结果发现,经热处理和激光辐照后,薄膜的光学吸收边均移向短波长处,并且随着辐照激光强度和辐照时间的增加而增加,这种平移在退火薄膜中是可逆的.SEM结果分析表明,薄膜在激光辐照后有晶相出现,且随着辐照激光强度的增加,晶相更多.

“纳米花朵”有望大幅提高电池容量

据报道，近日，美国科学家在熔炉里烧制了一朵粉红的“花”。它虽然没香味，但却能储存大量能量，有望带来一场电池革命。“纳米花朵”由金属硫化锗的粉尘制成，而硫化锗是一种半导体材料。由于呈花瓣状，该物体虽然很小，但表面积很大，因此可储存不少的能量。

“纳米花”电池

日前，美国科学家设计了一种微型电池，这种微小粉色纳米结构可以彻底颠覆传统电池设计，以独特的表面结构存储能量。这种“纳米花”是由硫化锗（一种半导体材料）制成，

GeSe基薄膜太阳电池模拟研究

硫化亚锗(GeSe)具有合适的禁带宽度、高的吸收系数和高的载流子迁移率等优异的光电特性,且组分简单、低毒和储量丰富,特别适合作为光伏吸收材料。本文基于新型太阳电池吸收层材料GeSe构筑了结构为金属栅线/AZO/i-ZnO/CdS/GeSe/Mo/玻璃的薄膜太阳电池,分别模拟分析了缓冲层和吸收层的厚度、掺杂浓度,以及吸收层体缺陷密度对器件性能的影响。经过优化CdS缓冲层厚度和掺杂浓度以及GeSe吸收层厚度和掺杂浓度,器件获得高达27.59%的转换效率。这些结果表明GeSe基薄膜太阳电池有成为高效光伏器件的潜力。

MoSe_(2)/GeS异质结的增强光致发光

二维半导体材料的光电性质调控是其器件应用的基础。研究了二维MoSe_(2)/GeS异质结的光致发光性质,观察到该p-型GeS半导体薄膜能够显著增强MoSe_(2)的荧光强度,且荧光增益随MoSe_(2)层数增加而衰减。该增强发光现象可能与异质结界面处电荷极化和共振能量转移相关。此研究为构建先进光电功能的范德华异质结提供了思路。