强辐射激发下CdS晶体的光电导特性

在室温下,CdS晶体具有强烈的非线性光吸收效应.我们测量了高激发下CdS晶体的电导性质,并用电子-激子散射模型进行了数值分析.数值计算结果和测景值能够很好地符合,从而进一步证明了CdS晶体的非线性吸收是由于晶体内电子-激子散射造成的.

CdS晶体中载流子迁移率的测量

在室温下，我们测量了电场作用下ＣｄＳ晶体中光生载流子的电流特性，由此计算出电子的迁移率为４２ｃｍ２／Ｖ·Ｓ，空穴的迁移率为１．６×１０２ｃｍ２／Ｖ·Ｓ，激子在其寿命时间内移动约０．４ｍｍ．

猪流行性腹泻病毒电化学发光免疫传感器研制

采用沉淀法制备硫化镉纳米晶体,并与氨水混合加热制备纳米硫化镉-氨水复合物(CdS-NH 3 NCs),将其修饰于玻碳电极后通过戊二醛将猪流行性腹泻病毒的抗体PEDV-2C11固定于电极表面制成电化学发光免疫传感器,实现了对猪流行性腹泻病毒(porcine epidemic diarrhea virus,PEDV)的定量检测.实验结果表明:当PEDV-2C11抗体与PEDV发生免疫反应时,CdS-NH 3与过硫酸根之间的电化学发光反应电子转移受阻,使得电化学发光强度降低;在最佳实验条件下,发光强度变化与PEDV浓度在1.65~1.65×10^5 TCID 50·mL^-1范围内呈良好的线性关系.该方法成功应用于样品中PEDV的检测,表明该电化学发光免疫传感器对猪腹泻病的临床诊断具有重要意义.

纳米CdS-磺化聚苯胺(SPAn)多层复合膜的光学特性研究

研究了利用层 层自组织生长法制备的磺化聚苯胺 CdS纳米晶体复合膜的光学特性 .研究发现 ,随样品中CdS纳米晶体尺寸的减小 ,量子尺寸效应明显增强 ;在紫外吸收谱中表现为吸收边出现了明显蓝移 ;在光致发光谱中 ,不仅激子直接复合产生的带边发射产生了蓝移 ,而且陷阱态复合产生的宽带发射也发生了蓝移 .还发现样品经低温退火处理后 ,激子复合产生的带边发射显著增强 ,发射带宽随纳米尺寸的减小而变窄 .