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软化学法合成有机杂化锗、锡硫属化物的研究进展
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作者 贾定先 戴洁 +2 位作者 赵前信 唐爱斌 刘宇 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第2期193-200,共8页
本文总结了软化学方法合成有机杂化的锗、锡硫属化合物的研究进展,介绍了代表性物质的结构以及[M2Q6]4-、[M3Q7]2-、[M4Q9]2-、[M4Q10]4-(M=Ge,Sn;Q=S,Se,Te)等构筑单元的超分子组装、聚合过程中的主要影响因素。
关键词 硫属化物 硫属化物 学合成 结构
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三元镍基硫属化物纳米棒阵列的简单合成及其高效的电催化析氧性能
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作者 杜卫民 刘欣 +4 位作者 朱琳 付佳敏 郭文山 杨晓晴 双培硕 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2022年第8期1252-1261,共10页
通过一步溶剂热法成功合成了泡沫镍(NF)支撑的三元镍基硫属化物(Ni_(3)(Se_(x)S_(1−x))_(2))纳米棒阵列。结构表征结果表明,所得三元Ni_(3)(Se_(x)S_(1−x))_(2)纳米棒属于三方物相,在泡沫镍基底上形成了有序的阵列结构。由于其快速的载... 通过一步溶剂热法成功合成了泡沫镍(NF)支撑的三元镍基硫属化物(Ni_(3)(Se_(x)S_(1−x))_(2))纳米棒阵列。结构表征结果表明,所得三元Ni_(3)(Se_(x)S_(1−x))_(2)纳米棒属于三方物相,在泡沫镍基底上形成了有序的阵列结构。由于其快速的载流子传输效率、丰富的活性位点和多阴离子的协同效应,Ni_(3)(Se_(0.3)S_(0.7))_(2)/NF纳米棒阵列具有最佳的电催化性能。在1.0 mol/L的KOH溶液中,电流密度为50 mA/cm2时,过电势仅为344 mV,塔菲尔斜率为40.17 mV/dec,同时具有优异的电化学稳定性。更重要的是,以商用Pt/C为阴极,Ni_(3)(Se_(0.3)S_(0.7))_(2)/NF纳米棒阵列为阳极进行全分解水实验,仅需要1.49 V的电池电位即可提供10 mA/cm2的电解电流,表现出良好的电解水效果。该研究为电解水技术领域提供了一种高效的电催化剂,也为电化学能源技术中非贵重电催化剂的合理构建提供了有价值的见解。 展开更多
关键词 三元 硫属化物 纳米阵列 电催析氧 电解水制氢
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有机杂化锑基主族异金属硫属化物的研究进展 被引量:2
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作者 冯美玲 黄小荥 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1599-1608,共10页
本文综述了有机杂化锑基主族异金属硫属化物的研究进展,对它们的结构和异金属次级结构基元进行了描述、归类和总结;探讨了有机组分分别作为结构导向剂和配体两种角色所起到的不同作用;介绍了这类化合物在离子交换、光催化性能方面的研究... 本文综述了有机杂化锑基主族异金属硫属化物的研究进展,对它们的结构和异金属次级结构基元进行了描述、归类和总结;探讨了有机组分分别作为结构导向剂和配体两种角色所起到的不同作用;介绍了这类化合物在离子交换、光催化性能方面的研究;展望了该体系的发展趋势。 展开更多
关键词 主族金 硫属化物 晶体结构 次级结构基元 离子交换 光催
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锡硫属化物[M(en)_3]_2[Sn_2Se_4S_2](M=Mn,Co)的溶剂热合成,晶体结构与性质表征 被引量:3
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作者 达力玛 白音孟和 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期1310-1316,共7页
在乙二胺溶剂体系中,180℃条件下合成了两种化合物[M(en)_3]_2[Sn_2Se_4S_2](1)和[Co(en)3]2[Sn_2Se_4S_2](2)。通过X-射线单晶衍射、SEM、IR、TGA和UV-Vis等手段对其进行了表征。X-射线单晶衍射结果表明化合物1和2是类质同晶,均为正交... 在乙二胺溶剂体系中,180℃条件下合成了两种化合物[M(en)_3]_2[Sn_2Se_4S_2](1)和[Co(en)3]2[Sn_2Se_4S_2](2)。通过X-射线单晶衍射、SEM、IR、TGA和UV-Vis等手段对其进行了表征。X-射线单晶衍射结果表明化合物1和2是类质同晶,均为正交晶系,并属于Pbca空间群,结构中均含有Sn和两种硫属元素S、Se组成的二聚体阴离子[Sn2Se4S2]2-。两种晶体的晶胞参数分别为:化合物1,a=1.6020(8)nm,b=1.1842(6)nm,c=1.9658(10)nm,Z=8;化合物2,a=1.5491(5)nm,b=1.1688(4)nm,c=1.18666(6)nm,Z=8。紫外-可见漫反射光谱研究结果表明,化合物1和2的禁带宽度分别为1.54 e V和1.64 e V,均有半导体性能。 展开更多
关键词 溶剂热合成 硫属化物 晶体结构 表征
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以过渡金属配合物作为客体阳离子的铟硫属化物研究进展
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作者 达力玛 刘芳 白音孟和 《内蒙古石油化工》 CAS 2015年第5期1-3,共3页
以过渡金属配合物作为客体阳离子的铟硫属化物在催化、离子交换、半导体、光电导体、光致发光、非线性光学等方面具有广泛的应用前景,因而作为新型的多功能材料,其合成及性能研究成为人们研究的焦点。有机溶剂热反应成为合成铟硫属化合... 以过渡金属配合物作为客体阳离子的铟硫属化物在催化、离子交换、半导体、光电导体、光致发光、非线性光学等方面具有广泛的应用前景,因而作为新型的多功能材料,其合成及性能研究成为人们研究的焦点。有机溶剂热反应成为合成铟硫属化合物一种有效的方法,通过有机溶剂热合成方法人们得到了各种复杂结构的铟硫属化物。 展开更多
关键词 硫属化物 溶剂热合成 晶体结构
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土耳其比尔肯特大学研制出一种全硫属化物可变红外滤光片
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作者 高国龙 《红外》 CAS 2010年第7期44-44,共1页
土耳其比尔肯特大学(Bilkent University)研制成功一种全硫属化物空间可变红外滤光片。这种空间可变光子带隙滤光片是通过在硅衬底上热蒸发多层高折射指数反差非晶硫属化物玻璃膜层的方法制成的(见图1)。
关键词 硫属化物玻璃 红外滤光片 土耳其 可变 大学 折射指数 光子带隙 空间
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传输大功率红外光的硫属化物光纤
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作者 秦大甲 《文献快报(纤维光学与电线电缆)》 1997年第3期14-16,共3页
关键词 红外光 硫属化物 光纤 传输
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硫属化物玻璃红外光纤
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作者 孙小恰 《玻璃技术》 1992年第3期47-50,共4页
关键词 硫属化物玻璃 红外光学纤维
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低维硫属化物晶体的合成研究进展 被引量:8
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作者 董言治 安永林 辛剑 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2001年第2期211-216,共6页
金属硫属化物是指含有Ⅵ A族 S2-、 Se2-、 Te2-元素的化合物,它们在半导体领域、配位化学、固体化学及红外探测设备中具有不可替代的重要性。 这类化合物主要包括Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体以及多元金属硫属化物(尤其是过渡... 金属硫属化物是指含有Ⅵ A族 S2-、 Se2-、 Te2-元素的化合物,它们在半导体领域、配位化学、固体化学及红外探测设备中具有不可替代的重要性。 这类化合物主要包括Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体以及多元金属硫属化物(尤其是过渡金属硫化物) ,其合成几乎涉及所有的晶体生长方法,如:薄膜生长法、高温合成方法、电化学方法、溶剂热合成等。本文综述了低维硫属化物几种合成方法的优缺点及其新进展。 展开更多
关键词 低维硫属化物 溶剂热 学方法 高温合成 晶体生长
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层状金属硫属化物对水中锌的离子交换性能研究 被引量:2
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作者 李建荣 付明来 《环境科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期1040-1047,共8页
通过水热反应制备的层状金属硫属化物K1.9Mn0.95Sn2.02S6(KMS),对水中Zn2+具有良好的吸附性能.采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和能谱仪(EDS)等手段表征了KMS吸附前后的结构、化学组成和微观形貌.Zn2+与K+发生离子交换后... 通过水热反应制备的层状金属硫属化物K1.9Mn0.95Sn2.02S6(KMS),对水中Zn2+具有良好的吸附性能.采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和能谱仪(EDS)等手段表征了KMS吸附前后的结构、化学组成和微观形貌.Zn2+与K+发生离子交换后,会与硫产生共价键作用而被吸附,材料的层间距由0.851 nm变为1.123 nm.化学吸附导致吸附后的KMS表面会变得粗糙.考察了p H、反应时间、初始浓度、反应温度和共存离子等因素对KMS吸附Zn2+的影响.在p H=3~6之间,溶液的p H对吸附量没有明显影响.在不同温度下,动力学数据符合准二级动力学模型,而且速率控制步骤主要由液膜扩散控制.吸附过程的活化能为40.24 k J·mol-1.在10℃、25℃和40℃下,KMS对Zn2+的最大吸附量分别是:111.67 mg·g-1、142.91 mg·g-1和161.02 mg·g-1.Langmuir等温吸附模型可以用来描述吸附平衡过程.碱金属和碱土金属离子对Zn2+去除率的影响较小,影响顺序是Ca2+>Mg2+>Na+,而重金属离子对Zn2+的去除影响较大,影响顺序是Cd2+>Pb2+>Cu2+>Ni2+.离子交换后的KMS不会再释放出Zn2+,可以作为一种永久储存重金属的废弃物. 展开更多
关键词 硫属化物 离子交换 锌离子 动力学 等温模型
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硫属铋镉化物着色玻璃显色过程的研究 被引量:4
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作者 刘智恩 程继健 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期203-210,共8页
本文对以硫属铋镉化物着色玻璃的显色过程进行了系统的研究与讨论。X射线衍射、透射电镜、电子衍射及EDAX能谱分析表明;玻璃在显色过程中析出了由CdS(Se)和Bi_2Se_3等半导体化合物组成的固溶体微晶,其组成随显色温度的提高而改变,从而... 本文对以硫属铋镉化物着色玻璃的显色过程进行了系统的研究与讨论。X射线衍射、透射电镜、电子衍射及EDAX能谱分析表明;玻璃在显色过程中析出了由CdS(Se)和Bi_2Se_3等半导体化合物组成的固溶体微晶,其组成随显色温度的提高而改变,从而造成玻璃光吸收的变化。ZnO参与了玻璃的显色过程。从热力学与动力学的观点分析了玻璃的显色过程,对实验结果作了较为圆满的解释。 展开更多
关键词 颜色玻璃 着色 玻璃 铋隔
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硫属铋镉化物着色的新型近红外滤光玻璃 被引量:2
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作者 刘智恩 程继健 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期212-220,共9页
以半导体着色理论为指导,采用硫属铋化物为着色剂通过掺杂 CdS(Se),得到了一种透过率高、吸收界限分别位于1.0和1.5μm 的新型近红外滤光玻璃。研究了 ZnO、Bi_2O_3含量对玻璃光吸收性的影响,其适宜用量和最低量分别为16.0~28.0wt%和3.... 以半导体着色理论为指导,采用硫属铋化物为着色剂通过掺杂 CdS(Se),得到了一种透过率高、吸收界限分别位于1.0和1.5μm 的新型近红外滤光玻璃。研究了 ZnO、Bi_2O_3含量对玻璃光吸收性的影响,其适宜用量和最低量分别为16.0~28.0wt%和3.0wt%。微量组份可促进玻璃显色,降低显色温度。选择对着色剂具有较大溶解度的 K_2O-ZnO-SiO_2和 Na_2O-K_2O-ZnO-SiO_2系统为基玻璃,并对玻璃的理化、电学性能等进行了测试。结果表明,在 K_2O-ZnO-SiO_2系统中以 Na_2O 取代部分 K_2O 后,玻璃的主要性能得到改善。由半导体物理学的讨论可知,从具有较小禁带宽度值的硫属铋化物单独着色,得不到透过率高、吸收界限陡的滤光玻璃,这对此类玻璃今后的研制与开发具有指导意义。 展开更多
关键词 近红外玻璃 滤光 着色
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高压下过渡金属二硫属化物的超导电性
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作者 黄艳萍 迟振华 崔田 《物理》 CAS 北大核心 2022年第4期247-254,共8页
过渡金属二硫属化物是一类典型的二维类石墨烯层状结构的材料,相比于石墨烯的全碳元素组成以及无带隙的电子结构特点,具有更丰富的元素组成、多样的微观结构和奇异的物理性质。过渡金属二硫属化物强烈的各向异性以及在催化、光伏器件和... 过渡金属二硫属化物是一类典型的二维类石墨烯层状结构的材料,相比于石墨烯的全碳元素组成以及无带隙的电子结构特点,具有更丰富的元素组成、多样的微观结构和奇异的物理性质。过渡金属二硫属化物强烈的各向异性以及在催化、光伏器件和储能材料等领域的优异表现,引起了科学家们浓厚的研究兴趣。它们的层间范德瓦耳斯间隙、层间范德瓦耳斯相互作用、层间堆垛次序对压力非常敏感,易于通过压力调控其晶体结构和电子能带结构,进而发生电子基态的变化。过渡金属二硫属化物的电子基态可以是莫特绝缘体、激子绝缘体、电荷密度波、半导体、(拓扑)半金属、金属,甚至是超导体。在常压条件下,部分过渡金属二硫属化物具有超导电性。实验表明,压力可以诱导过渡金属二硫属化物非超导母体发生超导转变,或者提高超导母体的超导转变温度。文章以典型的过渡金属二硫属化物为例,概述了其在高压调控下超导电性的响应,并简要讨论产生超导电性的物理机制。 展开更多
关键词 高压 过渡金硫属化物 超导电性
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一种硫醇/胺方法将金属氧化物转换为器件级金属硫属化物(英文)
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作者 张童 张立建 +4 位作者 尹奕炜 江晨辉 李诗昂 朱长飞 陈涛 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2019年第6期899-906,共8页
利用分子前驱体溶液制备金属硫属化物薄膜在器件领域具有广泛的应用前景.本文利用巯基乙醇和乙醇胺这种新型硫醇/胺溶剂,溶解很多价格便宜的金属氧化物和氢氧化物,如Cu_2O, ZnO, SnO, In(OH)_3, GeO_2, Cd(OH)_2, MnO, PbO, Bi_2O_3, Sb... 利用分子前驱体溶液制备金属硫属化物薄膜在器件领域具有广泛的应用前景.本文利用巯基乙醇和乙醇胺这种新型硫醇/胺溶剂,溶解很多价格便宜的金属氧化物和氢氧化物,如Cu_2O, ZnO, SnO, In(OH)_3, GeO_2, Cd(OH)_2, MnO, PbO, Bi_2O_3, Sb_2O_3.通过添加硫脲和硒粉作为硫源和硒源后可以制得相应的二元金属硫化物、硒化物.此方法还可用来制备纯物相的带隙可调的三元CuSbSe_(2-x)Sx和四元Cu_2ZnSnSe_4.我们用这种方法合成的Sb_2S_3平面异质结太阳电池光电转化效率可高达到4.39%.这项研究提供了一种制备二元、三元、四元器件级金属硫属化物薄膜的普适性方法. 展开更多
关键词 硫属化物 器件级 乙醇胺 In(OH)3 Cd(OH)2 异质结太阳电池
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二硫化钼的电子输运与器件 被引量:4
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作者 邱浩 王欣然 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期280-293,共14页
二硫化钼具有与石墨烯类似的二维层状结构,因其宽禁带、无悬挂键等特性,在以晶体管为代表的逻辑器件领域有广泛的应用;另外,单层二硫化钼为直接带隙半导体,在光电器件中应用也逐渐引起研究人员的关注.本文综述了近期基于二硫化钼晶体管... 二硫化钼具有与石墨烯类似的二维层状结构,因其宽禁带、无悬挂键等特性,在以晶体管为代表的逻辑器件领域有广泛的应用;另外,单层二硫化钼为直接带隙半导体,在光电器件中应用也逐渐引起研究人员的关注.本文综述了近期基于二硫化钼晶体管器件电子输运研究、及其在电子、光电器件领域研究进展;除此,对于二维过渡金属二硫属化物中诸如二硫化钨、二硒化钨在器件方面应用也进行了简单的讨论. 展开更多
关键词 电子输运 器件应用 二维过渡金硫属化物
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离子热合成金属硫属化合物研究取得新进展
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《中国科学院院刊》 2012年第2期251-251,共1页
中科院福建物质结构所结构化学国家重点实验室黄小荥研究组首次采用离子热合成方法获得了晶态的金属硫属化物基多孔材料。该系列化合物是以[SnSe4]四面体和[Sn3Se4]半立方烷为结构单元,
关键词 合成金 离子 国家重点实验室 多孔材料 硫属化物 合成方法 结构
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非硅体系介孔材料的合成 被引量:2
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作者 姜治平 江东亮 +1 位作者 张景贤 林庆玲 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1465-1473,共9页
本文主要从合成角度综述了几种主要类型的非硅体系介孔材料的研究进展,从总体发展方面综述了金属氧化物、金属、硫属化物以及碳等材料的介孔形态材料的合成研究。全文回顾了自非硅体系介孔材料最早被合成以来的成果,选择介绍了早期较重... 本文主要从合成角度综述了几种主要类型的非硅体系介孔材料的研究进展,从总体发展方面综述了金属氧化物、金属、硫属化物以及碳等材料的介孔形态材料的合成研究。全文回顾了自非硅体系介孔材料最早被合成以来的成果,选择介绍了早期较重要且有代表性的研究成果,详细地述评了其中突破性的进展,并重点介绍了各个体系近年来最新的研究进展。 展开更多
关键词 硫属化物 硬模板
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Syntheses,Structures and Band Gaps of KLnSiS_4(Ln=Sm,Yb) 被引量:3
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作者 郭胜平 曾卉一 +3 位作者 郭国聪 邹建平 徐刚 黄锦顺 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1543-1548,共6页
Two new quaternary sulfides,KSmSiS4(1) and KYbSiS4(2),have been synthesized by high-temperature solid-state reaction.Single-crystal X-ray diffraction analyses indicate that both compounds crystallize in the space grou... Two new quaternary sulfides,KSmSiS4(1) and KYbSiS4(2),have been synthesized by high-temperature solid-state reaction.Single-crystal X-ray diffraction analyses indicate that both compounds crystallize in the space group P21/m,and the crystal data are as follows:a = 6.426(11),b = 6.582(11),c = 8.602(15) ,β = 107.90(13)°,Z = 2,V = 346.2(10) 3,Dc = 3.317 g/cm3,F(000) = 318,μ(MoKα) = 10.334 mm-1,the final R = 0.0559 and wR = 0.1370 for 1;and a = 6.3244(10),b = 6.5552(10),c = 8.5701(15) ,β = 108.001(13)°,Z = 2,V = 337.91(9) 3,Dc = 3.621 g/cm3,F(000) = 334,μ(MoKα) = 15.737 mm-1,the final R = 0.0422 and wR = 0.0960 for 2.The KLnSiS4(Ln = Sm,Yb) structure consists of corrugated ∞2 [LnSiS4]-layers which are formed by edge-sharing LnS8 bicapped trigonal prisms and SiS4 tetrahedra.The K+ cations are located in the cavities defined by S2-anions between the ∞2 [LnSiS4]-layers.Band-gap analyses show that compounds 1 and 2 are semiconductors with optical band-gaps of 2.40 and 2.34 eV,respectively. 展开更多
关键词 硫属化物 稀土 固态作用 晶体结构
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SYNTHESIS AND CRYSTAL STRUCTURE OF A NEW TERNARY TANTALUM CHALCOGENIDE Ni_2Ta_2Te_4 被引量:2
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作者 黄宝泉 黄金陵 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 1989年第2期145-148,共4页
The compound Ni2Ta2Te4 is obtained by heating the elements at 1000℃ in evacuated silica tube. Mr=989.70, orthorhombic system,space group Pma2,a = 7.914(1),b= 6.2372(5),c=7.2362(6)A,V = 357.2(1)A3, Z = 2, DC = 9.201 g... The compound Ni2Ta2Te4 is obtained by heating the elements at 1000℃ in evacuated silica tube. Mr=989.70, orthorhombic system,space group Pma2,a = 7.914(1),b= 6.2372(5),c=7.2362(6)A,V = 357.2(1)A3, Z = 2, DC = 9.201 g/ca3,λ(MoKα)=0.7093A,μ= 537.90Cm-1.F(000)=820. Final R=0.083 and Rw=0.103 for 889 reflections.This compound is iso-structural to Ni2Nb2Te4,with two-dimensional(2D) network structure. In each cluster unit,two Ni and two Ta atons form a rhombic plane with four Ni-Ta bonds (average 2.655 A) and one Ni-Ni bond (2.512 A) without Ta-Ta interac-action. The distorted tetrahedral coordination of each metal atons is completed by four Te atoms.The average distances are 2.792A for bonds Ta-Te and 2.556 A for bonds Ni-Te. 展开更多
关键词 合成 晶体结构 硫属化物 原子簇合
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Effects of in-plane stiffness and charge transfer on thermal expansion of monolayer transition metal dichalcogenide 被引量:1
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作者 王占雨 周艳丽 +4 位作者 王雪青 王飞 孙强 郭正晓 贾瑜 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第2期343-349,共7页
The temperature dependence of lattice constants is studied by using first-principles calculations to determine the effects of in-plane stiffness and charge transfer on the thermal expansions of monolayer semiconductin... The temperature dependence of lattice constants is studied by using first-principles calculations to determine the effects of in-plane stiffness and charge transfer on the thermal expansions of monolayer semiconducting transition metal dichalcogenides.Unlike the corresponding bulk material,our simulations show that monolayer MX_2(M = Mo and W;X = S,Se,and Te) exhibits a negative thermal expansion at low temperatures,induced by the bending modes.The transition from contraction to expansion at higher temperatures is observed.Interestingly,the thermal expansion can be tailored regularly by alteration of the M or X atom.Detailed analysis shows that the positive thermal expansion coefficient is determined mainly by the in-plane stiffness,which can be expressed by a simple relationship.Essentially the regularity of this change can be attributed to the difference in charge transfer between the different elements.These findings should be applicable to other two-dimensional systems. 展开更多
关键词 电荷转移 面内刚度 膨胀效应 硫属化物 过渡金 单层 热膨胀系数 第一原理计算
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