海洋防腐涂料用纳米硫氰酸亚铜的制备

以六偏磷酸钠为无机分散剂,通过CuCl沉淀的转化制备了纳米硫氰酸亚铜(CuSCN)粉体。讨论了粉体合成的原理及pH值、分散剂用量和反应物浓度对产物粒径的影响,其中pH值对产物的影响最大。实验原理一方面是利用了高溶度积的CuCl向低溶度积的CuSCN的逐渐转化过程;另一方面利用了无机分散剂双电层的作用。用透射电镜、扫描电镜、X射线衍射和红外光谱表征产物的形貌和结构。结果表明:当pH=6.7～7.2,分散剂质量分数w=0.05%,反应物摩尔浓度为0.3mol/L时,可以制备出粒径为80～90nm、粒度均匀且不含杂质的CuSCN粉体。

逆岐化法制备硫氰酸亚铜纳米粉体

由CuCl2与Cu通过逆岐化过程,生成Cu+的配合物,以聚乙二醇为分散剂,NaSCN为沉淀剂,合成了CuSCN纳米粉体,制备的CuSCN产品粒度在70nm左右,粉体粒度均匀,文章探讨了制备条件对产物粒度的影响。

焦化脱硫废液回收硫氰酸亚铜试验

对HPF法焦炉煤气脱硫装置产生的脱硫废液,采用添加CuSO4的方法生成硫氰酸亚铜,确定了影响产品质量的因素及相应的工艺流程。结果表明,经孔径30μm左右的滤纸过滤,采用脱硫废液加入到CuSO4溶液中的方式,每500 mL CuSO4溶液(Cu2+的浓度与废液中SCN-的浓度相同)废液添加量为600 mL,反应控制pH在1～3、温度为常温,在此适宜的条件下,收率可达到80%以上,产品纯度可达到97%以上。脱硫废液制备CuSCN的工艺简单,处理后的脱硫废液COD由约160 g/L降至10 g/L,经生物脱酚脱氰处理后可达到GB 13456—92的二级外排标准,所得清液可作为熄焦用水循环使用。

新型涂料防腐剂硫氰酸亚铜纳米颗粒的制备和表征

以硝酸铜和硫氰酸铵为原料、异烟肼为还原剂通过调节反应时间制备了3种形貌的硫氰酸亚铜纳米颗粒,并通过扫描电镜、X射线衍射、激光粒度仪、能谱仪对其进行了表征.讨论了反应时间对产物形貌的影响,结果表明:随着反应时间的增长硫氰酸亚铜由小纳米球逐渐生长为一维针状纳米颗粒.

硫氰酸亚铜合成过程中废液处理的研究

实验研究了利用硫氰酸钾生产废液中的硫氰酸根制备硫氰酸亚铜过程中合成废液及洗涤废水无害化处理技术,实验结果表明合成废液及洗涤废水经处理后能达到《污水综合排放标准》GB8978-1996一级排放标准,为硫氰酸钾废液制备硫氰酸亚铜技术的工业化实施提供了可靠的保证。

硫氰酸亚铜产品纯度的测定

分别采用佛尔哈德返滴定法和间接碘量法测定了由废液制得硫氰酸亚铜产品中硫氰酸根和总铜的含量。硫氰酸根的待测试液由样品与NaOH溶液通过加热反应制备;测定总铜的试液分别采用硫酸—硝酸和过氧化氢—硝酸与样品反应制备,实验结果表明,用两种方法制备铜试液所测得的总铜含量无差异。所提出的用过氧化氢—硝酸制备总铜试液的方法较硫酸—硝酸制备方法具有方便、快捷的优点。

硫氰酸亚铜的自动电位滴定法测定

硫氰酸亚铜是一种优良的船底防污涂料,具有杀菌防霉与杀虫活性。可作果树防护剂、镀铜药剂、润滑油脂添加剂、有机合成催化剂、非银系感光材料、海水的电池电极材料、

用脱硫废液生产硫氰酸亚铜的方法

硫氰酸亚铜是一种优良的无机颜料,在化工领域应用广泛。用作船底防污涂料,其稳定性比氧化铜更好。与有机锡化合物混配是有效的防污剂,可用于果树防护。另外还可用作聚氯乙烯塑料的阻燃与消烟剂、润滑油脂的添加剂、

以硫氰酸亚铜作为空穴注入层的钙钛矿发光器件

同有机电荷注入材料相比,无机电荷注入材料具有许多优良的性质,包括高载流子迁移率、良好的稳定性、制备简单和成本低廉等,其在光电器件中的应用备受瞩目。本文采用硫氰酸亚铜(CuSCN)作为有机金属卤化物钙钛矿发光器件的空穴注入层,研究了在其上涂敷钙钛矿薄膜的形貌、晶体结构和光物理性质,并与在普遍采用的导电聚合物空穴注入层上制备钙钛矿薄膜的特性进行了比较。实验结果表明,CuSCN对钙钛矿发光具有显著的猝灭作用,在CuSCN与钙钛矿层之间加入有机间隔层能够明显提高钙钛矿薄膜的发光强度。在此基础上制备了以CuSCN作为空穴注入层的发光器件,器件的最大发光效率为11.7cd/A,较采用导电聚合物作为空穴注入层器件的效率提高了近3倍,并且器件驱动稳定性也有一定程度的提高。

Fe^(0)/C诱导铜盐还原耦合化学沉淀法脱除废水硫氰酸盐

焦化废水是一类伴随焦炭生产而形成的有机-无机组分共存、环境危害大的工业废水,其高含量的硫氰酸盐将毒害微生物、抑制生物活性,影响废水生化系统的稳定性,研究硫氰酸盐的资源化利用具有重要意义。采用等体积浸渍结合碳热还原法制备系列生物炭负载零价铁材料(Fe^(0)/C),用X射线衍射和氮气吸-脱附技术进行物性结构表征;模拟焦化废水,利用零价铁还原铜盐耦合硫氰酸亚铜合成反应,实现硫氰酸根回收利用。表征结果表明:Fe^(0)/C是无定形碳负载零价铁材料,比表面积较小(小于1 m^(2)/g)。实验结果显示,在模拟废水硫氰酸盐质量浓度为2.50 g/L、铜盐浓度为0.03 mol/L、pH为5.5、温度为40℃条件下反应10 min,3Fe^(0)/C(铁质量分数为3%)对硫氰酸盐脱除率达到99%,实现了模拟焦化废水中硫氰酸盐的高效脱除,获得了附加值较高的硫氰酸亚铜产品,丰富了焦化废水物化-生化处理技术理论。

控制硫酸铜加入量实现脱硫废水回用的初步研究

以Na2CO3-NaHCO3缓冲溶液为吸收液的湿法氧化脱硫技术所形成的脱硫废液,含有大量的Na2SO4、Na2S2O3、NaSCN,导致脱硫效率降低且严重超出污水排放标准,成为生产和环保的难题。提出在脱硫废液中加入适量硫酸铜,当硫酸铜的加入量为废液中NaSCN含量的50%左右时,可形成物相纯净的CuSCN沉淀,同时水体中S2O32-转化为SO42-,而且未检测出溶液中有残余的铜离子。经过该法处理过的水体中SCN-、S2O32-浓度显著降低,SO42-浓度增加接近饱和浓度值,再采用低温结晶法析出部分Na2SO4后可作为脱硫液补水回用。

含硫氰酸根废液的无害化处理技术

硫氰酸实验研究了利用硫氰酸钾生产废液中的硫氰酸根制备硫氰酸亚铜过程中合成废液及洗涤废水无害化处理技术。实验结果表明合成废液及洗涤废水经处理后能达到《污水综合排放标准》GB8978- 1996一级排放标准 ,为硫氰酸钾废液制备硫氰酸亚铜技术的工业化实施提供了可靠的保证。

含硫氰酸根废液综合利用及无害化处置技术路线研究

利用硫酸铜、亚硫酸钠与硫氰酸根据合成反应生成硫氰酸亚铜工艺,对硫氰酸钾废液进行无害化处置。实验结果表明,利用合成生成硫氰酸亚铜,可以对硫氰酸钾废液中的硫氰酸根进行回收利用,硫氰酸根的去除率达99%以上,合成后的滤液经过漂水氧化后用D403树脂进行离子交换去除铜、芬顿氧化去除COD处理后,铜离子浓度低于0.5 mg·L^(-1),COD浓度为213 mg·L^(-1),达到《污水综合排放标准》GB8978-1996三级标准。

铜基钯镍退镀液中铜的再生利用

采用硫氰酸盐沉铜法回收铜基钯镍退镀液中的铜。沉铜的优化工艺条件为初始Cu^(2+)质量浓度3.84 g/L、Cu^(2+)与Na SCN及Na_2SO_3摩尔比1∶4∶0.6、沉铜反应温度30℃,陈化时间24 h,沉铜反应后退镀液中Cu^(2+)残留量仅为0.025 mg/L。在此条件下加入聚乙二醇1.5 g/L,并提高分散液温度至50℃,可制得平均粒径为0.472μm的CuSCN超细粉体。CuSCN粉体为类球形,为含α、β两种晶型的混晶。

染料中间体取代苯基硫脲类废水的清洁处理方法

文章对染料中间体取代苯基硫脲类废水进行综合分析,通过对废水中和、置换、氧化、浓缩结晶等工序,回收废水中的取代苯胺、硫氰酸亚铜和硫酸铵,并通过实验探讨了氧化亚铜制备、中和pH值、置换反应摩尔比、双氧水用量等对废水清洁处理对影响。

CuSCN纳米粉体的制备及表征

采用液相沉淀法,通过表面活性剂进行分散,制备了-βCuSCN纳米粉体。讨论了反应温度、反应物浓度及表面活性剂对粉体的影响,用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和激光粒度分析仪对粉体进行了表征。结果表明,最佳反应温度为80℃,最佳反应物浓度均为0.2 mol/L;当聚乙二醇400(PEG400)添加量为1.5%时,分散效果最好,制备的粉体平均粒径为40 nm左右。

p型CuSCN半导体薄膜电沉积特征的研究

采用电化学沉积法分别用水和乙醇作溶剂在In2O3SnO2(ITO)透明导电玻璃上制备出了CuSCN薄膜。通过XPS分析表明:2种溶剂中制备的CuSCN薄膜均为SCN化学剂量比过量,具有p型半导体特征。研究了溶剂对CuSCN薄膜结构和光电学特性的影响。结果表明:在乙醇溶剂中能够制备出晶粒更加细化,致密度较高的CuSCN薄膜,电化学沉积制备的CuSCN薄膜具有βCuSCN结构,属于六方晶系,直接光学带隙为3.7eV,具有较高的透光率。电流时间或电位时间的变化曲线表明:利用薄膜的半导体电阻特性,可以影响薄膜的沉积行为。

理想状态下的透明异质结p-CuSCN/n-ZnO的光电特性研究

本文运用能带理论与载流子扩散模型推导出理想状态下p-Cu SCN/n-Zn O透明异质结的能带结构及无光照条件下的J-V特性表达式,并以此来对p-Cu SCN/n-Zn O的J-V特性曲线进行研究。研究结果表明：Cu SCN与Zn O两者的禁带宽度相差较小,这导致理想状态下遵循普通扩散模型和Anderson扩散模型[1]载流子运输机制运动的载流子数量极其有限,Zn O的掺杂浓度会对p-Cu SCN/n-Zn O异质结反向饱和电流密度产生影响,p-Cu SCN/n-Zn O异质结的内建势垒大小受到两者掺杂浓度的影响。温度的变化会影响p-Cu SCN/n-Zn O异质结的反向饱和电流密度的大小,温度和价带带阶的变化都会使得p-Cu SCN/n-Zn O异质结的内建势垒产生变化。

基于AFORS-HET软件模拟分析p-CuSCN/n-ZnO透明异质结的J-V特性曲线

利用AFORS-HET软件模拟得出p-Cu SCN/n-Zn O异质结在不同光区的J-V特性曲线各不相同,无光照、普通日光、可见光区、红外光区的J-V特性曲线走势大体相同并都为负值。然后与n-Cu SCN/p-Cu SCN和n-Zn O/p-Zn O的J-V特性曲线相互比较,可知这种现象是p-Cu SCN/n-Zn O异质结所独有的。紫外光区[1]的J-V特性曲线与其余光区大不相同,并且为正值。造成正负差异的原因是由于p-Cu SCN/n-Zn O异质结中少数载流子的漂移运动[2-3]为主体运动。最终得出结论,利用p-Cu SCN/n-Zn O透明异质结来制备紫外探测器在理论上是可行的。