硫硒化亚锗光电探测器的制备及光电性能

采用微机械剥离法得到横向尺寸约为12μm的硫硒化亚锗(GeS_(0.5)Se_(0.5))纳米片,以铬/金(Cr/Au)为接触电极,首次制备得到GeS_(0.5)Se_(0.5)光电探测器,并探究了其光电性能.结果表明,剥离所得的纳米片具有良好的结晶质量,硫和硒在纳米片中分布均匀,光学带隙为1.3 eV;该光电探测器在515 nm光激发下最大探测能力达到4.52×10^(13)Jones,最高响应度为1.15×10^(4)A/W,外部量子效率为2.79×10^(4)6%,展现出非常高效、快速和稳定的光响应能力.