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镁硫电池硫硒化合物正极材料的研究
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作者 朱悦丹 王犟 +2 位作者 努丽燕娜 武迪 郭瑞 《上海航天(中英文)》 CSCD 2021年第5期1-7,共7页
镁硫电池是较具发展潜力的新型电池,其与锂硫电池相比具有体积能量密度高、安全性好的优点,在航空航天领域具有良好的应用前景。作为正极材料,硫理论比容量高、价格便宜,但导电性能不佳;硒导电性好,但理论比容量较低、价格较贵。制备了... 镁硫电池是较具发展潜力的新型电池,其与锂硫电池相比具有体积能量密度高、安全性好的优点,在航空航天领域具有良好的应用前景。作为正极材料,硫理论比容量高、价格便宜,但导电性能不佳;硒导电性好,但理论比容量较低、价格较贵。制备了兼具两者优点的硫硒化合物(硫硒摩尔比分别为15∶1、1∶1、1∶15),并与微孔碳复合,发现硫硒比为1∶1的硫硒化合物/微孔碳复合正极材料SSe/C表现出最高的循环比容量,在50 mA·g^(−1)电流密度下45次循环后仍然能具有400 mAh·g^(−1)以上的比容量。因此,硫硒化合物是一种较具有潜力的镁硫电池正极材料。 展开更多
关键词 电池 正极材料 硫硒化合物 电化学性能 微孔碳
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1,3,2-二氮磷杂环戊-4-酮-2-硒(硫)代化合物的合成及生物活性 被引量:1
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作者 邓胜娄 陈茹玉 杨秀凤 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第8期647-650,共4页
利用 P( NEt2 ) 3与 α-氨基乙酰胺类化合物在干馏条件下的环缩合反应合成了一系列新型五元磷杂环 ,对所合成的化合物进行了元素分析和谱学表征 .初步生物活性测试表明 。
关键词 合成 除草活性 抗烟草花叶病毒活性 杀菌活性 1 3 2-二氮磷杂环戊-4-酮-2-()代化合物
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部分硫/硒(S/Se)红外非线性晶体原料的快速合成方法研究 被引量:1
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作者 倪友保 戚鸣 +3 位作者 吴海信 黄昌保 王振友 张春丽 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期853-858,共6页
含有硫/硒(S/Se)元素的部分化合物在现有中红外非线性晶体材料中占据相当重要的地位。高纯多晶原料是生长优质S/Se光学晶体的基础,但常规合成方法存在周期长、数量少等缺点。为此,针对部分S/Se化合物,我们对传统的合成方法进行优化、... 含有硫/硒(S/Se)元素的部分化合物在现有中红外非线性晶体材料中占据相当重要的地位。高纯多晶原料是生长优质S/Se光学晶体的基础,但常规合成方法存在周期长、数量少等缺点。为此,针对部分S/Se化合物,我们对传统的合成方法进行优化、改进,实现GaSe,AgGaSe2,AgGaGeS4,AgGaGe5Se12等的快速合成,单次合成原料200-300g,合成周期小于48h,经过粉末衍射(XRD)测试表明合成的原料质量较好,能够生长出较大尺寸单晶。文中对快速合成方法的机理、存在的问题等也进行了相关讨论。 展开更多
关键词 /化合物 多晶合成 中红外非线性光学晶体
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CdS_(0.1)Se_(0.9)半导体纳米晶体的生长和吸收光谱的研究 被引量:3
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作者 孙平 王引书 +3 位作者 颜其礼 黄平 林永昌 王若桢 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期184-187,共4页
采用两步退火方法获得了嵌埋于玻璃基体内CdSxSe1-x的半导体纳米晶体 ,其平均尺寸随退火时间的增加而增大 .从实验测量的室温吸收谱上看到 ,当纳米晶体的平均直径从 5.6 1nm减小到 4 .6 9nm时 ,其吸收边向高能方向移动了 0 .0 89eV .用... 采用两步退火方法获得了嵌埋于玻璃基体内CdSxSe1-x的半导体纳米晶体 ,其平均尺寸随退火时间的增加而增大 .从实验测量的室温吸收谱上看到 ,当纳米晶体的平均直径从 5.6 1nm减小到 4 .6 9nm时 ,其吸收边向高能方向移动了 0 .0 89eV .用有效质量近似模型计算了半导体纳米晶体的吸收边相对其体材料的移动 ,将理论计算与实验结果进行了比较 . 展开更多
关键词 半导体纳米晶体 吸收光谱 生长 硫硒化合物
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玻璃中CdSeS纳米晶体的室温光致发光谱 被引量:4
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作者 王引书 郑东 +4 位作者 孙萍 王一红 刘惠民 桑丽华 王若桢 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期139-143,共5页
对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500~800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe1-xSx纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300~800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃... 对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500~800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe1-xSx纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300~800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃中不能形成纳米晶体。生长温度在600~650℃,纳米晶体的PL光谱主要为两个宽的发光带,即带边激子发光带和通过表面态复合的发光带。随着生长温度的升高,带边复合发光的蓝移减小,通过表面态的发光逐渐消失,并出现了叠加于宽发光带上的一系列明显的弱发射峰。不同温度生长的样品中,叠加峰的能量相同。同一样品中叠加峰的能量不随激发光波长的变化而变化。 展开更多
关键词 纳米晶体 PL光谱 精细结构 CdSeS 玻璃 室温 光致发光谱 三元化合物
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纳米CdSe_xS_(1-x)微晶玻璃的光吸收性能 被引量:5
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作者 许仲梓 陆春华 张其土 《南京工业大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第1期21-25,共5页
半导体纳米微晶掺杂滤光玻璃由于具有优异光学性质 ,近年来已成为光电子材料科学与技术关注的焦点之一。以硼硅酸盐玻璃为基质 ,通过对掺杂微晶组成、结构的设计以及颗粒尺寸的控制 ,系统的研究了纳米微晶的组成、结构以及纳米颗粒尺寸... 半导体纳米微晶掺杂滤光玻璃由于具有优异光学性质 ,近年来已成为光电子材料科学与技术关注的焦点之一。以硼硅酸盐玻璃为基质 ,通过对掺杂微晶组成、结构的设计以及颗粒尺寸的控制 ,系统的研究了纳米微晶的组成、结构以及纳米颗粒尺寸效应等因素对玻璃光吸收性能的影响。结果表明 ,玻璃吸收曲线的截止波长位置以及截止吸收系数主要取决于半导体纳米CdSexS1-x微晶的组成 。 展开更多
关键词 CdSexS1-x 纳米微晶玻璃 光电子材料 光吸收性能 化合物 组成设计 结构设计
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ZnSSe双光子吸收光电二极管的自相关器 被引量:1
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作者 孙涛 黄锦圣 +3 位作者 张伟力 柴路 王清月 苏荫强 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期255-256,共2页
报道一种ZnSSe双光子吸收光电二极管的新型飞秒自相关器 ,其工作波长覆盖 40 0~ 80 0nm的极宽光谱范围。用对紫外波长更为敏感的ZnMgS双光子吸收光电二极管 ,可延伸自相关器的工作波长至短于 40 0nm的紫外波段。
关键词 ZNSSE 光电二极管 自相关器 双光子吸收 飞秒激光脉冲 硫硒化合物
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