圆形Janus硫硒化钼板的振动行为分析

采用分子动力学(MD)模拟和有限元方法(FEM)研究了单层Janus硫硒化钼(MoSSe)的振动行为.将晶格失配引起的固有应变添加到双层板模型中,利用FEM实现了对MoSSe的模拟.利用MD模拟和FEM计算出自由边界和固支边界下MoSSe圆板的振动情况,并分析了尺寸、应变和压力对固有频率的影响.结果表明,自由边界下MoSSe圆板的固有频率随着尺寸的增加而逐渐减小.当圆板直径达到8.6 nm时,频率出现明显的不连续现象,究其原因在于碗状翘曲和管状翘曲.不同尺寸MoSSe圆板的固有频率的MD模拟结果与FEM计算结果一致,且在小变形情况下,2种方法得到的应变与压力对固有频率的影响也一致.双层板模型可以准确预测MoSSe板的振动行为.

单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的合成及MoS_(2(1-x))Se_(2x)(x=0.25)场效应晶体管的光电特性

二硫化钼的合金化/掺杂是探索二维材料在微电子器件中潜在应用的一种新途径。使用化学气相沉积法,并利用氯化钠辅助生长,通过调节硫粉和硒粉的质量比,在SiO_(2)/Si衬底上获得了6种不同组分的单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金,光致发光峰位置在678(~1.83 eV)~813 nm(~1.53 eV)范围内变化。连续生长的大面积单层MoS2(1-x)Se_(2x)(x=0.25)合金的横向尺寸可达到200μm。为了研究MoS_(2(1-x))Se_(2x)合金的光电特性,使用了大面积生长的单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)(x=0.25)合金制备了场效应晶体管。光电测试结果表明,520 nm激光照射下的单层MoS_(2(1-x))Se_(2x)(x=0.25)场效应晶体管响应度达到了940 mA·W^(-1),检测率为5.32×10^(10)cm·Hz^(1/2)·W^(-1),快速响应时间为8 ms。