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硫离子注入纳米金刚石薄膜的微结构和电化学性能
被引量:
2
1
作者
蒋梅燕
朱政杰
+2 位作者
陈成克
李晓
胡晓君
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第14期350-357,共8页
采用热丝化学气相沉积法制备纳米金刚石薄膜,并对薄膜进行硫离子注入和真空退火处理.系统研究了退火温度对薄膜微结构和电化学性能的影响.结果表明,硫离子注入有利于提升薄膜的电化学可逆性.在800°C及以下温度退火时,薄膜中晶界处...
采用热丝化学气相沉积法制备纳米金刚石薄膜,并对薄膜进行硫离子注入和真空退火处理.系统研究了退火温度对薄膜微结构和电化学性能的影响.结果表明,硫离子注入有利于提升薄膜的电化学可逆性.在800°C及以下温度退火时,薄膜中晶界处的非晶碳相逐渐向反式聚乙炔相转变,致使电化学性能逐渐变差.当退火温度上升到900°C时, Raman光谱和TEM结果显示此时薄膜中金刚石相含量较多且晶格质量较好,晶界中的反式聚乙炔发生裂解;X射线光电子能谱结果表明,此时C-O键、C=O键、p-p*含量显著增多;Hall效应测试显示此时薄膜迁移率与载流子浓度较未退火时明显升高;在铁氰化钾电解液中氧化还原峰高度对称,峰电位差减小至0.20 V,电化学活性面积增加到0.64 mC/cm^2,电化学可逆性远好于600, 700, 800°C退火时的样品.
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关键词
纳米金刚石薄膜
硫离子注入
电化学性能
微结构
下载PDF
职称材料
题名
硫离子注入纳米金刚石薄膜的微结构和电化学性能
被引量:
2
1
作者
蒋梅燕
朱政杰
陈成克
李晓
胡晓君
机构
浙江工业大学材料科学与工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第14期350-357,共8页
文摘
采用热丝化学气相沉积法制备纳米金刚石薄膜,并对薄膜进行硫离子注入和真空退火处理.系统研究了退火温度对薄膜微结构和电化学性能的影响.结果表明,硫离子注入有利于提升薄膜的电化学可逆性.在800°C及以下温度退火时,薄膜中晶界处的非晶碳相逐渐向反式聚乙炔相转变,致使电化学性能逐渐变差.当退火温度上升到900°C时, Raman光谱和TEM结果显示此时薄膜中金刚石相含量较多且晶格质量较好,晶界中的反式聚乙炔发生裂解;X射线光电子能谱结果表明,此时C-O键、C=O键、p-p*含量显著增多;Hall效应测试显示此时薄膜迁移率与载流子浓度较未退火时明显升高;在铁氰化钾电解液中氧化还原峰高度对称,峰电位差减小至0.20 V,电化学活性面积增加到0.64 mC/cm^2,电化学可逆性远好于600, 700, 800°C退火时的样品.
关键词
纳米金刚石薄膜
硫离子注入
电化学性能
微结构
Keywords
nanocrystalline diamond films
sulfur ion implantation
electrochemical properties
microstructure
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
TQ163 [化学工程—高温制品工业]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硫离子注入纳米金刚石薄膜的微结构和电化学性能
蒋梅燕
朱政杰
陈成克
李晓
胡晓君
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
2
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职称材料
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