硫缺陷对MoS_2纳米管输运性质的影响（英文）

利用密度泛函理论(DFT)和非平衡格林函数(NEGF)的方法研究了S空位缺陷对(8,8)MoS_2纳米管输运性质的影响。构建了10种缺陷结构,主要考察了S空位缺陷的不同位置和缺陷量对输运性质的影响。研究结果表明,相对于纳米管的外层S原子,S缺陷更倾向于定位在纳米管的内层。不同位置的硫缺陷对能带结构的影响明显不同,外层硫缺陷既可以引入供体带也可以引入受体带,而内层硫缺陷只提供受体带。S缺陷的引入有双重作用:一是由于降低带隙对导电起促进作用;二是由于引入陷阱效应对导电起抑制作用。计算结果表明MoS_2纳米管引入S缺陷后,导电性均增强。值得注意的是引入较多的外层硫缺陷会更加利于增强导电性,原因可能是更多的注入了载流子。

热板式蒸汽硫化机欠硫缺陷浅析

热板式蒸汽硫化机经常出现的外观质量缺陷是欠硫。文章针对这一情况,找出了欠硫的原因并提出了相应的解决措施。加强换胶囊岗位管理和设备巡检,严格控制模具内部泄漏是解决欠硫的关键。

硫缺陷工程设计的WS2-x纳米片电催化剂用于还原N2

由于N2的化学惰性,实现高效的N2还原反应(NRR)亟需发展高活性的电催化剂.本文中,我们设计了富含缺陷的WS2纳米片(WS2-x)作为NRR的有效电催化剂,该催化剂是在合成具有氧空位的二维WO3纳米片的基础上通过真空封管法硫化方法制备而成.这种单层的WS2纳米片是由S-W-S夹心阵列组成的类石墨烯结构,具有高电子迁移率,中等带隙和丰富的活性位点,同时硫缺陷有利于N2的吸附和活化.在相对于可逆氢电极为-0.60 V的Na2S O_(4)(0.1 mol L^(-1))中性电解质中,使用该WS2-x催化剂可得到12.1%的法拉第效率和16.38μg h-1mg-1cat.的产氨量.

湿法脱硫系统堵塔原因分析

如今气体脱硫被越来越多的工业企业所重视,不同的工业领域以及不同的生产工艺,所选脱硫工艺路线各有不同,目前应用最广泛的湿式氧化法脱硫系统中,脱硫塔的堵塔问题一直困扰着应用企业。为此,结合技术服务过程中的一些案例进行分析,认为湿法脱硫系统中堵塔问题的主要原因在于脱硫塔自身存在设计缺陷、工艺指标管控不力及催化剂选型不合理、脱硫液再生效果差、硫回收单元硫泡沫处理方式选择不当等,并提出一些有针对性的优化改进措施和预防措施。

表面活性剂修饰ZnIn_(2)S_(4)光催化甲苯选择性氧化

采用溶剂热合成法,借助十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)和十八烷基三甲基溴化铵(STAB)的修饰合成了富含硫缺陷的ZnIn_(2)S_(4)-CTAB和ZnIn_(2)S_(4)-STAB光催化剂.通过透射电镜、X射线衍射、紫外可见漫反射光谱、电子顺磁共振和光电化学性能测试对所有样品进行了表征,并通过光催化甲苯氧化反应测试样品的催化活性.活性结果表明ZnIn_(2)S_(4)-CTAB和ZnIn_(2)S_(4)-STAB上甲苯转化速率分别达到795和1053μmol·g_(cat)^(-1)·h^(-1),是未修饰ZnIn_(2)S_(4)-Blank催化剂的4倍和5倍,同时目标产物苯甲醛选择性均大于92%.机理研究发现,表面活性剂修饰后的ZnIn_(2)S_(4)-CTAB和ZnIn_(2)S_(4)-STAB较ZnIn_(2)S_(4)-Blank具有更高浓度的硫缺陷.硫缺陷通过捕获电子促进了光生载流子的分离与利用,显著提高了ZnIn_(2)S_(4)-CTAB和ZnIn_(2)S_(4)-STAB的光催化甲苯选择性氧化制苯甲醛的活性.

新加坡国立大学的MoS_(2)/ZnS催化CO_(2)制甲醇研究获进展

新加坡国立大学的研究团队提出一种少层二硫化钼(MoS_(2))-硫化锌盒状组合体用于催化CO_(2)加氢制甲醇。MoS_(2)边缘硫缺陷在硫化锌遮挡下可使其在该反应中具有较高的甲醇选择性。相关研究成果发表于《美国化学会·催化》杂志。传统的CO_(2)加氢制甲醇催化剂为Cu/ZnO/Al_(2)O_(3),然而该催化剂甲醇选择性低、稳定性差。