改善GaAs MESFETs硫钝化稳定性研究的新探索

硫钝化可以明显改善GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFETs)的击穿特性,但钝化效果不稳定。我们利用硫钝化和PECVD SiNx 钝化相结合的方法,使钝化的稳定性得到了提高,但同时击穿电压会出现下降。击穿电压下降的主要原因是:As S键很不稳定,在较高温度下分解,使GaAs表面负电荷密度减小,击穿电压下降。