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题名抛光液组分对硬盘盘基片超光滑表面抛光的影响
被引量:6
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作者
周艳
罗桂海
潘国顺
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机构
清华大学摩擦学国家重点实验室
深圳清华大学研究院
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出处
《纳米技术与精密工程》
EI
CAS
CSCD
2012年第2期177-183,共7页
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基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2011CB013102)
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2009AA043101)
广东省自然科学基金重点资助项目(8251805701000001)
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文摘
在硬盘盘基片的最终抛光中,研究SiO2溶胶颗粒、氧化剂、络合剂和润滑剂对盘基片Ni-P材料抛光性能的变化规律,获得较高的材料去除速率(MRR)和原子级光滑表面,以满足下一代硬盘盘基片制造的更高要求.结果表明,采用平均粒径25 nm的SiO2溶胶颗粒,易减少微划痕等缺陷;以过氧化氢为氧化剂,可大幅提高MRR;加入有机酸络合剂后,MRR显著增大,其中含有水杨酸的抛光液MRR最大,并讨论不同络合剂对盘基片去除的影响机理;丙三醇润滑剂的引入,使抛光中摩擦系数减小,盘基片的表面粗糙度得到明显降低.采用原子力显微镜(AFM)、光学显微镜和Chapman MP2000+表面形貌仪来考察盘基片抛光后的表面质量,基于抛光液各组分的影响作用,最终获得表面粗糙度Ra为0.08 nm的盘基片表面,且MRR达到0.132μm/min.
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关键词
硬盘盘基片
Ni—P
化学机械抛光(CMP)
络合剂
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Keywords
hard disk substrate
Ni-P
chemical mechanical polishing(CMP)
complexing agent
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分类号
TP333.35
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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