人工硬脑膜在硬膜下电极埋置术中的应用

目的探讨使用人工硬脑膜修补替代自体硬脑膜原位缝合在降低硬膜下电极埋置术后并发症发生率中的作用。方法回顾性分析2008年1月至2021年12月进行硬膜下电极埋置术的308例病人的临床资料。2008年1月至2013年12月手术的163例采取自体硬脑膜原位缝合(自体硬脑膜组),2014年1月至2021年12月手术的145例采取人工硬脑膜修补(人工硬脑膜组)。两组手术评估、手术操作均为同一治疗团队完成,除对硬脑膜处理方式改变之外,其余手术流程保持一致。结果自体硬脑膜组术后继发颅内出血13例(7.97%)、脑脊液漏22例(13.50%)、颅内感染5例(3.07%);人工硬脑膜组术后继发颅内出血4例(2.76%)、脑脊液漏7例(4.83%)、颅内感染3例(2.07%)。人工硬脑膜组术后继发性颅内出血发生率、脑脊液漏发生率均明显低于自体硬脑膜组(P<0.045)。两组术后颅内感染发生率无统计学差异(P>0.045)。结论在硬膜下电极埋置术中使用人工硬脑膜修补替代自体硬脑膜原位缝合,在降低继发颅内出血、脑脊液漏方面具有明显的优势。