期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
管式炉扩散法制备20%效率的n型双面电池 被引量:1
1
作者 吕晓华 严金梅 +2 位作者 李吉 张进臣 赵朋松 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期924-928,共5页
采用一种管式扩散炉工艺制备了平均效率为20%的n型双面晶硅太阳电池。制得的n型双面晶硅电池峰值正面效率为20.30%、背面效率为17.59%。硼、磷扩散工艺分别在硼、磷高温管式扩散炉中实现,POCl_3气氛的高温扩散工艺沉积PSG/SiO_x层,BBr3... 采用一种管式扩散炉工艺制备了平均效率为20%的n型双面晶硅太阳电池。制得的n型双面晶硅电池峰值正面效率为20.30%、背面效率为17.59%。硼、磷扩散工艺分别在硼、磷高温管式扩散炉中实现,POCl_3气氛的高温扩散工艺沉积PSG/SiO_x层,BBr3气氛的高温扩散工艺沉积BSG/SiO_x层。电化学电容-电压法测试显示正面硼发射极没有受到POCl_3高温扩散的影响。采用电致发光测试方法研究了该n型双面电池的边缘漏电情况。该n型双面电池工艺制作流程采用常规的产线设备,适合大规模生产。 展开更多
关键词 n型双面电池 硼和磷管式扩散 高效率 阻挡层 漏电
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部