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管式炉扩散法制备20%效率的n型双面电池
被引量:
1
1
作者
吕晓华
严金梅
+2 位作者
李吉
张进臣
赵朋松
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第12期924-928,共5页
采用一种管式扩散炉工艺制备了平均效率为20%的n型双面晶硅太阳电池。制得的n型双面晶硅电池峰值正面效率为20.30%、背面效率为17.59%。硼、磷扩散工艺分别在硼、磷高温管式扩散炉中实现,POCl_3气氛的高温扩散工艺沉积PSG/SiO_x层,BBr3...
采用一种管式扩散炉工艺制备了平均效率为20%的n型双面晶硅太阳电池。制得的n型双面晶硅电池峰值正面效率为20.30%、背面效率为17.59%。硼、磷扩散工艺分别在硼、磷高温管式扩散炉中实现,POCl_3气氛的高温扩散工艺沉积PSG/SiO_x层,BBr3气氛的高温扩散工艺沉积BSG/SiO_x层。电化学电容-电压法测试显示正面硼发射极没有受到POCl_3高温扩散的影响。采用电致发光测试方法研究了该n型双面电池的边缘漏电情况。该n型双面电池工艺制作流程采用常规的产线设备,适合大规模生产。
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关键词
n型双面电池
硼和磷管式扩散
高效率
阻挡层
漏电
下载PDF
职称材料
题名
管式炉扩散法制备20%效率的n型双面电池
被引量:
1
1
作者
吕晓华
严金梅
李吉
张进臣
赵朋松
机构
晶澳太阳能有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第12期924-928,共5页
文摘
采用一种管式扩散炉工艺制备了平均效率为20%的n型双面晶硅太阳电池。制得的n型双面晶硅电池峰值正面效率为20.30%、背面效率为17.59%。硼、磷扩散工艺分别在硼、磷高温管式扩散炉中实现,POCl_3气氛的高温扩散工艺沉积PSG/SiO_x层,BBr3气氛的高温扩散工艺沉积BSG/SiO_x层。电化学电容-电压法测试显示正面硼发射极没有受到POCl_3高温扩散的影响。采用电致发光测试方法研究了该n型双面电池的边缘漏电情况。该n型双面电池工艺制作流程采用常规的产线设备,适合大规模生产。
关键词
n型双面电池
硼和磷管式扩散
高效率
阻挡层
漏电
Keywords
n-type bifacial solar cell
B and P furnaces diffusion
high efficiency
barrier layer
electric leakage
分类号
TN305.4 [电子电信—物理电子学]
TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
管式炉扩散法制备20%效率的n型双面电池
吕晓华
严金梅
李吉
张进臣
赵朋松
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
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职称材料
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参考文献
引证文献
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