硼轻掺杂对a-Si∶H光电导层性能影响的研究

用等离子体增强化学气相沉积法制备了厚为 1μm左右的B轻掺杂a Si∶H光电导层 ,得到了a Si∶H的暗电导率与淀积工艺参数和B掺杂比关系的实验曲线 ,利用该曲线确定了最佳工艺参数和最佳掺杂比。测量了最佳参数下淀积的a Si∶H薄膜的电学和光学性能及其受掺杂比的影响。结果表明 ,当B掺杂比增大时 ,a Si∶H的暗电导率先减小后增大 ,并可发生几个数量级的变化。光电导率减小 ,折射率略有降低 ,线性吸收系数显著增大 ,光学带隙减小。测量的数据表明 ,我们制备的B轻掺杂a Si∶H光电导层满足投影机用液晶光阀的要求。

射频磁控溅射法制备硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜的研究

研究了工艺参数对硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜形成及光电导性能的影响。采用射频磁控溅射的方法制备了硼轻掺杂的氢化非晶硅薄膜,结果表明,衬底温度和溅射功率对薄膜的沉积速率、掺杂量、光吸收系数、电导率等有着很大的影响,在温度300℃,溅射功率300 W时沉积速率达到最大。通过实验得到的规律可以通过调整工艺参数来得到性能优良的硼轻掺杂氢化非晶硅薄膜。