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掺杂ZnO-V_2O_5压敏电阻的低温烧结 被引量:12
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作者 吴隽 谢长生 +2 位作者 黄开金 王爱华 王文焱 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期239-243,共5页
对掺杂ZnO-V2O5压敏电阻的低温烧结特性及电性能进行了研究.研究结果表明:通过添加硼酸铅锌玻璃“形成”氧化物PbO和B2O3使其在常规电烧结炉中的烧结温度降低到了800℃,并使非线性特性明显提高,添加6wt%(PbO+B2O3)的样品经800℃ 4h烧结... 对掺杂ZnO-V2O5压敏电阻的低温烧结特性及电性能进行了研究.研究结果表明:通过添加硼酸铅锌玻璃“形成”氧化物PbO和B2O3使其在常规电烧结炉中的烧结温度降低到了800℃,并使非线性特性明显提高,添加6wt%(PbO+B2O3)的样品经800℃ 4h烧结后,其非线性系数和漏电流密度可分别达到22.5,7.2×10-6A/cm2. 展开更多
关键词 压敏电阻 硼酸铅锌玻璃 低温烧结
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