四硼酸锂晶体圆片的加工与表征

介绍了坩埚下降法生长的优质四硼酸锂晶体（ＬＢＯ）７６ｍｍ（３英寸）标准圆片的加工工艺，讨论了ＬＢＯ圆片的质量。研究表明。

四硼酸锂晶体的声表面波应用

介绍了新型压电晶体四硼酸锂的压电和声表面波特性，讨论了四硼酸锂晶体基片声表面波器件的制作工艺，总结了近年来四硼酸锂晶体压电器件的研究成果。

基于三硼酸锂晶体高功率紫外脉冲激光器

为了获得高功率、高重复频率的紫外脉冲激光器,采用1064nm基频光通过三硼酸锂(LBO)晶体与3次谐波355nm进行和频得到4次谐波266nm紫外激光的方法,进行了实验验证,取得了重复频率为20k Hz、紫外激光器的平均输出功率为2.5W、红外到紫外的转换效率为12.5%的实验数据。结果表明,此脉冲激光器利用LBO晶体在高重复频率下取得了较大的紫外平均输出功率。

减少三硼酸锂晶体中散射颗粒的研究

本文主要讨论了三硼酸锂（ＬＢＯ）晶体的一种特殊缺陷，溶剂包藏所产生的散射颗粒。它严重影响着晶体的光学质量。我们通过晶体生长溶液体系的探索研究，终于找到了解决问题的办法。三硼酸锂（ＬｉＢ３Ｏ５）简称（ＬＢＯ）晶体是近几年来福建结物质结构研究所对硼酸盐系列化合物的研究和筛选中发现的一种紫外倍频材料，由于它的透光波段宽，抗激光损伤阈值高等特点，越来越受到人们的重视。通过结构分析可以看出，晶体结构中存在着（Ｂ３Ｏ７）硼氧环阴离子基因，Ｌｉ离子分布在基团骨架间隙中，这些Ｂ３Ｏ７，基团相互联接，沿ｃ轴方向形成螺旋结构，每个螺旋结构又通过硼氧桥相互联接。由于该晶体的硼化物坚固的Ｏ－Ｂ－Ｏ键链所形成的三维网络结构。晶体生长溶液具有很高的粘滞性。晶体在生长中边界层厚度较大，溶质输运不畅，严重影响溶质集团的有序生长排列。如果按常规参照Ｓａｓｔｒｙ发表的相图按ＬＢＯ∶Ｂ２Ｏ３＝２ｍｏｌ％∶１ｍｏｌ％比例生长晶体是很难克服晶体生长过程中“溶剂包藏”这一问题的。经过长时间生长研究发现，ＳａｓｔｒｙＬＢＯ相图中的个别相变点与实验情况是不相符合的。为了尽量降低溶液粘度同时又要遵循相图避免发生别的相变化，一般都采用ＬＢＯ∶Ｂ２Ｏ３＝２∶?

三硼酸锂晶体生长中添加剂的探索研究

三硼酸锂 (LOB)晶体作为一种性能优良的非线性光学材料普遍应用在固体激光变频领域中 ,它以较大的激光损伤阈值和比较小的离散角 ,见长于其它非线性晶体 ,特别在高功率固体激光变频中 ,尤为重要。例如美国SPECTRA PHYSICS .COM研制的 1 0W (MILLENNIAX) ,绿光激光器就是选用的LBO晶体 ,它是目前世界上功率最大的绿光激光器。与此同时 ,也对LBO晶体质量提出了更高的要求。凡是生长过硼酸盐晶体的同行都知道 ,由于硼氧链的作用 ,硼酸盐的饱和溶液一般都比较粘稠 ,粘滞度非常大 ,给晶体生长带来很大的困难。LBO晶体生长尤为突出 ,LBO晶体的(B3 O7)硼氧阴离子基因为三维骨架型硼氧基因 ,它是由一个BO4四面体和二个BO3 三角型组成的 (B3 O7)硼氧六元环 ,并位于其中间构成了三维骨架 ,由于其结构原因 ,导致了LBO晶体生长溶液的高粘滞性 ,同时LBO晶体的分解温度 843℃ ,又限制了通过选择高温助溶剂 ,降低粘滞度的途径。一般我们大家都选用自助溶剂来生长LBO晶体 ,所以溶液的粘度很大 ,从而导致了生长边界层过厚 ,溶质输运不畅 ,晶体生长十分缓慢。同时杂质、溶剂、气泡等有害物质很容易进入晶体 ,造成晶体光学质量较差 ,光散射严重 ,在大功率激光器应用中受到限制。我们初步探索到在 (LBO)

三硼酸锂晶体Ⅰ类非临界相位匹配下近红外波段的差频产生

利用差频发生器产生波长范围为1.1-2.2μm的可调谐近红外激光.实验搭建了差频光路系统,以0.56-0.71μm染料激光器作为泵浦光、1.064μm的半导体激光器作为信号光,经过三硼酸锂晶体在Ⅰ类相位匹配方式条件下通过温度调谐非临界相位匹配方式差频产生较高功率的近红外激光,在近红外波段测得其平均输出功率在30mW以上.泵浦光功率为1.2 W、信号光功率为0.31 W时,测得差频波长为1.54μm的输出功率为35mW,转化效率达11.7%.该近红外差频发生器具有宽调谐、窄线宽的特点.

二硼酸锂晶体的压致非晶化研究

二硼酸锂晶体的压致非晶化研究李玉栋，扈士芬，蓝国祥（南开大学物理系天津３０００７１）Ｐｒｅｓｓｕｒｅ－ＩｎｄｕｃｅｄＡｍｏｒｐｈｉｓａｔｉｏｎｏｆＬｉｔｈｉｕｍＤｉｂｏｒｉｔｅ￥ＹｕｄｏｎｇＬｉ；ＳｈｉｆｅｎＨｕａｎｄＧｕｏｘｉａｎｇＬａｎ（Ｄｅｐａ...

硼酸锂晶体谐振式传感器测定有机溶剂中微量水

采用硼酸锂晶体为压电材料,研制出一种对溶液电导率及介电常数有灵敏频率响应的谐振式传感器,并用于有机溶剂中微量水的快速测定,对二氧六环、乙酸乙酯、正戊醇中水的质量浓度的检测下限分别达到0.5,0.7,1.7mg/L。

高质量三硼酸锂晶体生长的研究

高质量三硼酸锂晶体生长的研究刘有臣郝志武黄朝恩方珍意张力强胡永岚张小成（人工晶体研究所，北京１０００１８）ＳｔｕｄｙｏｎｔｈｅＧｒｏｗｔｈｏｆＨｉｇｈＱｕａｌｉｔｙＬｉＢ３Ｏ５ＣｒｙｓｔａｌＬｉｕＹｏｕｃｈｅｎＨａｏＺｈｉｗｕＨｕａｎｇＣｈａｏｅｎＦ...

四硼酸锂晶体生长及应用

本文就LBO晶体生长与应用等问题进行了研究。指出应大力开展高粘度馆体中晶体生长热力学和动力学的研究，从该晶体诸报器和压控振荡器的性能的测试表明，这种晶体是一种具有很大市场应用潜力的压电晶体材料。

三硼酸锂晶体上1064nm,532nm,355nm三倍频增透膜的设计

采用矢量法设计了三硼酸锂晶体上1064 nm、532 nm和355 nm三倍频增透膜,结果表明1064 nm、532 nm和355 nm波长的剩余反射率分别为0.0017%、0.0002%和0.0013%。根据误差分析,薄膜制备时沉积速率精度控制在+5.5%时,1064 nm、532 nm和355 nm波长的剩余反射率分别增加至0.20%、0.84%和1.89%。当材料折射率的变化控制在+3%时,1064 nm处的剩余反射率增大为0.20%,532 nm和355 nm处分别达0.88%和0.24%。与薄膜物理厚度相比,膜层折射率对剩余反射率的影响大。对膜系敏感层的分析表明,在1064 nm和355 nm波长,从入射介质向基底过渡的第二层膜的厚度变化对剩余反射率的影响最大,其次是第一膜层。在532 nm波长,第一和第三膜层是该膜系的敏感层。同时发现,由于薄膜材料的色散,1064 nm5、32 nm和355 nm波长的剩余反射率分别增加至0.15%、0.31%和1.52%。

三硼酸锂晶体Ⅰ类和Ⅱ类相位匹配角及有效非线性系数的计算

从非线性光学电磁场理论出发，分别数值计算了硼酸锂（LBO）晶体基频光波长1064nm的Ⅰ类和Ⅱ类倍频相位匹配角及有效非线性系数。Ⅰ类相位匹配角在第一象限的范围约是（34°～90°，0～24°），有效非线性系数的平方在匹配角约为（42．2°，56°）时有最大值，匹配角约为（90°，45．6°）时有次极大值，且最大值与次极大值近似相等；Ⅱ类相位匹配角在第一象限的范围约为（0-90°，45．5°～90°），有效非线性系数的平方在匹配角约为（0，90°）时有最大值。

三硼酸锂(LBO)晶体的缺陷研究

三硼酸锂（ＬｉＢ３Ｏ５简称ＬＢＯ）晶体作为一种比较新的非线性光学材料，逐渐得到广泛的应用。但是由于ＬＢＯ晶体Ｏ－Ｂ－Ｏ键链结构特点，晶体生长比较困难，主要是因为溶液粘滞度太大，边界层太厚，溶质输运不畅，排杂和排出溶剂的能力较低。在生长过程中出现的宏观和微观缺陷较多。本文通过光学方法和Ｘ射线形貌方法，分析了晶体中的各种缺陷，并提出减少这些缺陷生成的具体措施。通过研究发现ＬＢＯ晶体主要有以下几种较为严重的缺陷。１．籽晶周围的严重包藏研究发现，一般晶体的籽晶周围都存在着较为严重的多晶堆积型包藏，是一种较明显的宏观缺陷，它的形成原因：一是籽晶内应力的释放造成新的生长分子集团的取向改变，二是籽晶上的杂质粒子凝聚在晶体表面使晶格失配，而且往往形成多晶堆积。一般在籽晶恢复期，因籽晶较小，溶液搅拌效果差，溶质输运不畅，很难形成一个较好的正常生长环境，一般解决的方法是很好地溶解籽晶，提高晶体的转速，加大搅拌，加大过饱和度，加快生长是很有效的。２．晶体内散射颗粒ＬＢＯ晶体结构中存在着（Ｂ３Ｏ７）硼氧环阴离子基团，坚固的Ｏ－Ｂ－Ｏ键链形成了三维网络结构。晶体生长溶液具有较大的粘滞性，晶体在生长过程中边界层厚度对晶体的生长有严重影?

新型非线性晶体——硼酸铯锂的研究

新型非线性晶体———硼酸铯锂的研究张秀荣张顺兴柴耀（中国科学院上海光学精密机械研究所，上海２０１８００）ＳｔｕｄｙｏｆＮｅｗＮｏｎｌｉｎｅａｒＯｐｔｉｃａｌＣｒｙｓｔａｌ———ＣｅｓｉｕｍＬｉｔｈｕｍＢｏｒａｔｅＺｈａｎｇＸｉｕｒｏｎｇＺｈａｎｇＳｕ...

新型压电晶体材料四硼酸锂坩埚下降法新生长技术

该项目根据新型压电晶体材料的发展趋势,研究开发出用坩埚下降法生长四硼酸锂晶体的新工艺技术,生长出大尺寸(直径可达80mm)、高质量的四硼酸锂晶体材料,并实现了稳定生长,成品率由提拉法的30％提高到60％,在国际上率先实现了工业化。该发明1992年中国专利局授予发明专利,在四硼酸锂晶体生长技术领域处于国际领先水平。

LiB_3O_5晶体弹性与压电性能的研究

计算并绘制了LiB3O5（简称LBO）晶体在（100）、（010）、（001）3个主晶面内慢度分布曲线,得到了声速的最大值及其方向.探讨了LBO晶体纵向压电系数d33及机电耦合系数k33随空间方向变化的规律,分别得到了LBO晶体压电系数d33及机电耦合系数k33的最大值及其方向,并与Li2B4O7进行了比较.结果表明,LBO晶体有作为声光器件和压电器件的潜力,并对相关器件的设计、开发及利用等方面有一定的理论指导作用.

Li_2B_4O_7晶体在SAW技术中的应用研究

采用CZ法生长了30× 30mm3 的Li2 B4 O7单晶体。对晶体的压电性能进行了研究 ,弹性系数的交叉分量少 ,数值相对较小 ;在 (0 0 1)面内有较高的声波传播速度 ,其变化范围为 6 5 0 0～ 70 80m/s,在 [0 0 1]方向有较低的声波传播速度 ,大约为 5 16 0m/s;而压电性能表明在不同方向的机电耦合系数均比石英晶体相应参数大得多。对晶体谐振器和压控震荡器的性能进行了研究 ,发现其机电耦合系数近似石英的十倍 ,很适合用来制作宽频器件。晶体谐振器的频率温度特性为抛物线型 ,其转变温度在室温 ,在 - 10℃～ 5 5℃温度范围内频率变化为 3× 10 -4 ,具有良好的频谱响应 ,其寄生频率高出主振 180kHz,衰减大于 30dB ,完全能满足器件使用要求。晶体滤波器 3dB带宽的相对宽度为1%,而石英仅为 0 .4%。

LBO晶体的生长缺陷研究

采用化学腐蚀光学显微法和同步辐射截面形貌术研究了三硼酸锂 (LBO)晶体的生长缺陷 ,实验结果表明 ,LBO晶体中的主要缺陷是位错、包裹物和扇形界 .讨论了这些缺陷形成的原因和降低缺陷的措施 .

Li_2B_4O_7晶体、玻璃及其熔态结构的高温Raman光谱研究

采用半导体脉冲激光光源和时间分辨探测技术 ,测定了二硼酸锂 (Li2 B4O7)晶体、玻璃及其熔融态的常温及高温拉曼光谱 (在 2 98～ 1 773K的温度范围 ) ,观察了其在高温下的相转变、升温过程及其熔体的特征光谱变化。通过谱图解析 。

新型压电晶体Li_2B_4O_7的性能、生长和应用

本文详细介绍了我们在Li2B4O7晶体增润下降法生长方面的研究进展，报道了φ3″、φ4″无芯区、无孪晶、无云层、无开裂和无散射的Li2B4O7晶体的生长条件与缺陷消除，包括高纯原料的制备与成型、缓慢的生长速率、微凸和平的固液界面形状和适当的自退火工序．同时还简要介绍了该晶体的基本性能，综述了近年来的研究进展以及该晶体在SAW器件方面的应用．