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题名硼镓共掺多晶硅背钝化太阳电池的光衰研究
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作者
贺海晏
权微娟
单伟
王仕鹏
黄海燕
陆川
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机构
浙江正泰太阳能科技有限公司
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出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第7期99-104,共6页
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文摘
研究同一小硅锭中不同部位的硼镓共掺多晶硅片制备成背钝化太阳电池后,不同的电池效率和光衰情况,并研究经过同样的抗光衰处理后这些电池的光衰情况。测试结果显示,硅锭尾部位置的硅片具有最高的电阻率、最高的氧含量、最低的硼、镓含量及最高的杂质含量。将硅锭不同位置的硅片经过量产产线制成背钝化电池后,头部硅片得到的电池片的平均转换效率为19.08%,中部硅片得到的电池片的平均转换效率平均效率为19.15%,尾部硅片得到的电池片的平均转换效率为19.06%。光衰结果显示,对于未经过抗光衰处理的电池片,头部和中部位置具有较低的光衰比例,而尾部位置具有较高的光衰比例;电池片经过抗光衰处理后,不同位置对应的电池片都有效率提升,继续经过光衰测试后,尾部位置出现较明显的抗光衰效果。该研究对硼镓共掺多晶硅片生产和多晶背钝化电池抗光衰工艺具有指导意义。
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关键词
多晶硅
硅太阳电池
光衰
硼镓共掺
背钝化太阳电池
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Keywords
polycrystalline silicon
silicon solar cells
degradation
B/Ga co-doped
passivated emitter back surface(PERC)
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分类号
TK514
[动力工程及工程热物理—热能工程]
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题名镓硼共掺对6英寸VGF法锗单晶电阻率均匀性的影响
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作者
张颖武
边义午
陈晨
周春锋
王云彪
兰天平
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第8期708-712,725,共6页
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文摘
由于杂质分凝效应,镓掺杂垂直梯度凝固(VGF)法锗单晶的电阻率分布不均匀,理论上利用镓和硼分凝系数的差异,镓硼共掺工艺可以提升锗单晶电阻率均匀性。采用镓硼共掺工艺制备了6英寸(1英寸≈2.54 cm)VGF法锗单晶,对比分析了掺杂工艺对锗单晶电阻率均匀性的影响。当镓和硼杂质浓度分别为5.13×10^(18)cm^(-3)和0.67×10^(18)cm^(-3)时,在等径0~40 mm范围内轴向电阻率不均匀性为4.92%,等径0 mm和40 mm处径向电阻率不均匀性分别为1.63%和0.45%,与镓杂质浓度为5.13×10^(18)cm^(-3)的镓掺杂工艺相比,锗单晶头部的电阻率均匀性明显提升。当硼杂质浓度提高到1.89×10^(18)cm^(-3)时,镓硼共掺锗单晶头部电阻率均匀性变差。结果表明,适量硼掺杂的镓硼共掺工艺可以提升锗单晶头部电阻率均匀性。
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关键词
6英寸
垂直梯度凝固(VGF)法
锗单晶
镓硼共掺
电阻率
均匀性
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Keywords
6 inch
vertical gradient freeze(VGF)method
Ge single crystal
Ga-B co-doping
resistivity
uniformity
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分类号
TN304.11
[电子电信—物理电子学]
TN304.053
[电子电信—物理电子学]
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