硼靶制备技术的研究

介绍 Ｂ靶制备技术及其质量厚度测量方法。静电振动、高压电喷和离心沉淀主要用于制备有衬 Ｂ靶，而聚焦重离子束溅射和电子轰击可用来制备自支撑 Ｂ靶和有衬 Ｂ靶。 Ｂ靶的质量厚度用分光光度法和称重法测量。

半导体硼柱形微靶电火花加工技术

在惯性约束聚变研究中,硼的柱形微靶可作为黑腔填充材料。本文通过电火花铣削加工技术,采用含碳较高的电介质,利用导电性能较好的钨钢作电极材料,实现了半导体硼柱形微靶加工。通过奥林巴斯测量显微镜对硼柱直径进行了测量,测量结果表明,硼柱的直径加工精度可控制在小于±10μm。采用扫描电镜对形貌进行了分析,结果表明,加工前后硼的表面形貌未改变。通过能谱分析了硼柱表面的导电层成分及通过X射线能谱(XPS)分析了碳元素价态,结果表明,电火花铣削加工过程中,由于电介质分解生成游离态的碳及电极材料熔融后沉积在硼表面,形成辅助导电层,通过对辅助导电层加工,产生的瞬时高温使硼熔融气化,从而实现对半导体硼的加工。

HER-2靶向硼脂质体的细胞靶向与细胞内分布研究

目的分析新制备的HER2靶向硼脂质体在细胞靶向、滞留及细胞内分布等方面的特性,探讨该脂质体作为靶向给药系统用于硼中子俘获治疗研究的可能性。方法分别从靶向剂Trastuzumab、脂质体和装载的WSA3个方面观察SKBR3细胞对125ITrastuzumabWSA3H脂质体的摄取与滞留。Trastuzumab标记了125I用伽玛计数器检测;脂质体标记了3H用液闪计数器检测;WSA用感应耦合等离子体质谱仪检测。激光共聚焦显微镜观察WSA在细胞内的分布。结果最初8h细胞对125ITrastuzumab的摄取量快速增加,24h后细胞内125I量反而有所下降。细胞对3H脂质体的摄取随培养时间而增加,直到48h也没有达到平台期。培养4、8及24h,细胞含硼量分别达到55、78及132×10-6。细胞摄取125ITrastuzumabWSA3H脂质体后,在普通培养液中培养24和48h,分别有90%、67%的WSA滞留在细胞内。激光共聚焦显微镜下显示大部分WSA位于细胞浆。结论细胞摄取量满意,WSA在细胞内滞留时间长,说明125ITrastuzumabWSA3H脂质体是一个很好的运载工具,有希望应用于硼中子俘获治疗研究。

Ag-B靶材热压制备及致密化过程研究

以化学组成Ag∶B=93∶7（质量比）的混合粉体为原料,采用热压烧结制备Ag-B靶材。通过阿基米德法测量靶材密度、扫描电镜（SEM）观察靶材断面形貌、X射线衍射仪（XRD）分析物相、差示扫描量热法（DSC）分析粉体相变,研究了热压工艺对靶材致密度和微观组织的影响,并探讨了Ag-B靶材的致密化过程。结果表明：Ag-B粉体在升温至1000℃过程中,Ag,B之间未形成固溶体或金属间化合物,但B的加入降低了Ag-B粉体的熔化潜热;在450~750℃温度范围内,温度升高靶材相对密度从81.8%增加至95.3%;烧结温度超过750℃后,出现“反致密化现象”,800℃时靶材相对密度下降至89.2%;Ag-B靶材的相对密度随着热压压力、保温保压时间的增加而增加;相比较而言,烧结温度和保温保压时间是Ag-B靶材致密化的主要因素;在烧结温度750℃、保温保压时间120 min、压强28 MPa条件下,Ag-B靶材致密度达到95.3%。

BNCT中子源的研发现况与展望

硼中子俘获疗法(boron neutron capture therapy,BNCT)治疗癌症是一种典型的二元疗法,它既需要高品质的中子束,又需要高靶向性的含硼药物,两者缺一不可、密切配合,方可对肿瘤实现细胞级精准的靶向杀伤.BNCT治疗方法显著的优越性的背后,是对中子源和载硼药物特性的很高要求.含硼药物研究涉及多学科,包括放射学、化学、医学、药学、生物学和物理学等.本文主要讨论BNCT中子源的问题.首先,介绍BNCT对中子束特性要求的国际标准,回顾几十年来BNCT中子源发展的困难所在;然后,展现近年来加速器中子源异军突起、开创BNCT新未来的前景,明确研发中的核心技术;最后,报告我国在此领域前沿研究的最新成果及其发展展望.