富集硼11三氟化硼制备工艺的研究进展

富集硼11三氟化硼是半导体离子注入的重要掺杂源,与天然丰度三氟化硼相比,可显著提高芯片的稳定性和抗辐射干扰,被广泛应用于通信、国防、航空航天等领域中,随着国产替代化的进程,其制备工艺和生产路线呈现出相应的优缺点,在实际生产中,企业可根据自身情况选择合理的生产路线,得到富集硼11三氟化硼产品。文章主要对富集硼11三氟化硼制备工艺的研究进展加以论述,以供参考。

4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧硼戊环的^(11)BNMR及~1H-^(11)BHMQC研究

以4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧硼戌环分子为研究对象,对碳硼烷类化合物的核磁共振(NMR)检测方法进行了研究.除了采用常规的核磁共振碳谱(^(13)C NMR)、氢谱(~1H NMR)及其二维相关谱外,引入核磁共振硼谱(^(11)B NMR)与二维异核多量子相关谱(~1H-^(11)B HMQC),对含硼类化合物结构进行了测定,该方法对于准确解析硼烷类化合物的结构具有较好的参考意义.

n+^(11)B反应的理论计算和分析

在统一的豪泽 -费许巴赫理论和激子模型的基础上 ,利用光学模型来处理中子诱发轻核核反应的一种新理论已经产生 .利用这一新理论 ,对当入射中子En≤ 2 0MeV时n + 11B反应的所有反应截面 ,出射中子和α粒子的双微分截面进行了计算 .通过比较理论计算的各种截面 ,出射中子总的双微分截面与实验数据 。