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NiO纳米碗状阵列的低压电阻开关特性
1
作者
殷元祥
谢雨莎
+3 位作者
陈涛
张涛
陈鹏
邱晓燕
《中国科学:物理学、力学、天文学》
CSCD
北大核心
2023年第4期89-98,共10页
我们利用单层胶体球自组装模板结合电化学沉积和磁控溅射方法在覆盖Pt导电层的白云母衬底上制备了NiO纳米碗状阵列(Nano-bowl-like NiO Array,nb-NiO).每个NiO纳米碗高约450 nm,碗口直径约450 nm,碗深约300 nm,在Pt导电层上密排形成二...
我们利用单层胶体球自组装模板结合电化学沉积和磁控溅射方法在覆盖Pt导电层的白云母衬底上制备了NiO纳米碗状阵列(Nano-bowl-like NiO Array,nb-NiO).每个NiO纳米碗高约450 nm,碗口直径约450 nm,碗深约300 nm,在Pt导电层上密排形成二维阵列.在nb-NiO阵列上覆盖厚约20 nm的HfO_(2)薄膜,然后制备Ag或Pt点电极形成Ag(Pt)/HfO_(2)/nb-NiO/Pt堆栈器件.器件在小于±0.4 V的翻转电压下即可在高低电阻态之间周期性可逆跳变,表现出良好的电阻开关特性:器件在高低电阻态之间翻转的时间<8.7μs;初始高/低电阻比值~10^(4),连续测试1500个周期后依然>10^(3).断电后,器件稳定在高(低)电阻态的时间>104s.纳米碗状阵列结构使得NiO薄膜厚度在150–450 nm内周期性连续变化;由于氧空位导电细丝更易在厚度较小的纳米碗底部导通,因此碗状阵列结构使得原本空间随机分布的氧空位导电细丝通道具有了局域有序性,进而提升了器件电阻开关性能的稳定性.HfO_(2)薄膜层降低了器件漏电流,提高了器件的高/低电阻值比.Ag电极与氧离子的氧化还原反应加速了氧空位导电细丝的导通和断裂,从而降低了翻转电压.
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关键词
NiO纳米
碗状阵列
电阻开关特性
低电压
原文传递
Cu-S/Ni碗状复合阵列用于无酶葡萄糖传感器
2
作者
唐晓兰
《科学技术创新》
2022年第4期13-16,共4页
采用两步电沉积法成功制备了Cu-S/Ni层状纳米碗状阵列。过渡金属硫化物具有低成本、高活性、导电性能好、资源丰富等优点,是非酶促葡萄糖传感器的理想选择。电化学测试结果表明,Cu-S/Ni电极具有1378.068μA·mM;cm;的高灵敏度,0.5~...
采用两步电沉积法成功制备了Cu-S/Ni层状纳米碗状阵列。过渡金属硫化物具有低成本、高活性、导电性能好、资源丰富等优点,是非酶促葡萄糖传感器的理想选择。电化学测试结果表明,Cu-S/Ni电极具有1378.068μA·mM;cm;的高灵敏度,0.5~4mM的线性范围较宽,0.0184uM的低检测极限。这些结果表明,Cu-S/Ni层状碗状纳米结构可作为无酶葡萄糖传感器的发展方向。
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关键词
碗状阵列
电沉积法
无酶葡萄糖生物传感器
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职称材料
题名
NiO纳米碗状阵列的低压电阻开关特性
1
作者
殷元祥
谢雨莎
陈涛
张涛
陈鹏
邱晓燕
机构
西南大学物理科学与技术学院
西南大学微纳结构光电子学重庆市重点实验室
出处
《中国科学:物理学、力学、天文学》
CSCD
北大核心
2023年第4期89-98,共10页
基金
重庆市自然科学基金面上项目(编号:cstc2019jcyj-msxmX0451)资助。
文摘
我们利用单层胶体球自组装模板结合电化学沉积和磁控溅射方法在覆盖Pt导电层的白云母衬底上制备了NiO纳米碗状阵列(Nano-bowl-like NiO Array,nb-NiO).每个NiO纳米碗高约450 nm,碗口直径约450 nm,碗深约300 nm,在Pt导电层上密排形成二维阵列.在nb-NiO阵列上覆盖厚约20 nm的HfO_(2)薄膜,然后制备Ag或Pt点电极形成Ag(Pt)/HfO_(2)/nb-NiO/Pt堆栈器件.器件在小于±0.4 V的翻转电压下即可在高低电阻态之间周期性可逆跳变,表现出良好的电阻开关特性:器件在高低电阻态之间翻转的时间<8.7μs;初始高/低电阻比值~10^(4),连续测试1500个周期后依然>10^(3).断电后,器件稳定在高(低)电阻态的时间>104s.纳米碗状阵列结构使得NiO薄膜厚度在150–450 nm内周期性连续变化;由于氧空位导电细丝更易在厚度较小的纳米碗底部导通,因此碗状阵列结构使得原本空间随机分布的氧空位导电细丝通道具有了局域有序性,进而提升了器件电阻开关性能的稳定性.HfO_(2)薄膜层降低了器件漏电流,提高了器件的高/低电阻值比.Ag电极与氧离子的氧化还原反应加速了氧空位导电细丝的导通和断裂,从而降低了翻转电压.
关键词
NiO纳米
碗状阵列
电阻开关特性
低电压
Keywords
nano-bowl-like NiO array
resistive switching characteristic
low voltage
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
TQ138.13 [化学工程—无机化工]
原文传递
题名
Cu-S/Ni碗状复合阵列用于无酶葡萄糖传感器
2
作者
唐晓兰
机构
西南大学物理科学与技术学院
出处
《科学技术创新》
2022年第4期13-16,共4页
文摘
采用两步电沉积法成功制备了Cu-S/Ni层状纳米碗状阵列。过渡金属硫化物具有低成本、高活性、导电性能好、资源丰富等优点,是非酶促葡萄糖传感器的理想选择。电化学测试结果表明,Cu-S/Ni电极具有1378.068μA·mM;cm;的高灵敏度,0.5~4mM的线性范围较宽,0.0184uM的低检测极限。这些结果表明,Cu-S/Ni层状碗状纳米结构可作为无酶葡萄糖传感器的发展方向。
关键词
碗状阵列
电沉积法
无酶葡萄糖生物传感器
Keywords
Bowl-shaped array
Electrodeposition method
Enzyme free glucose biosensor
分类号
TP212.2 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
NiO纳米碗状阵列的低压电阻开关特性
殷元祥
谢雨莎
陈涛
张涛
陈鹏
邱晓燕
《中国科学:物理学、力学、天文学》
CSCD
北大核心
2023
0
原文传递
2
Cu-S/Ni碗状复合阵列用于无酶葡萄糖传感器
唐晓兰
《科学技术创新》
2022
0
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职称材料
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